Небольшого напряжения

Потерями в активных сопротивлениях обмоток ввиду их малости из-за небольшого количества витков обмоток импульсного трансформатора обычно пренебрегают.

Первое направление — это создание крупно структурированных ВС из небольшого количества процессоров максимальной производительности. Процессоры этих ВС по-прежнему относятся к векторно-конвейер-ному типу, но в самих процессорах увеличивается количество конвейерных функциональных линий, увеличивается число команд, одновременно вызываемых из программы для обработки и исполнения. Таким образом, увеличивается степень параллельности внутри каждого процессора. Для этих систем планируется наличие от 4-х до 64-х процессоров. Для их объединения разрабатываются коммутационные сети с пропускной способностью 10—100 Гбит/с. Считается, что эти ВС воспримут ПО, которое создается для существующих супер-ЭВМ.

В присутствии небольшого количества паров воды процесс окисления ускоряется и протекает согласно реакции

Газообразные топлива состоят из горючих. (СО, Н2, СН4, CmHn) и негорючих (N2, O2, СО2) газов и небольшого количества водяного пара (Н2О).

На электропроводность полупроводника существенное влияние оказывает наличие в нем атомов различных примесей. При добавлении в полупроводник, относящийся к IV группе периодической системы элементов Д.И.Менделеева, элементов Vгруппы образуются валентные связи между атомами примеси и четырьмя атомами полупроводника. При этом пятый валентный электрон примеси оказывается избыточным и значительно слабее связанным со своим атомом, чем остальные четыре. При сообщении кристаллу небольшого количества дополнительной энергии (значительно меньшей, чем ширина запрещенной зоны AW) избыточный электрон переходит в зону проводимости и становится свободным. При увеличении содержания атомов примеси возрастает число электронов в зоне проводимости, а число дырок при этом не меняется. При значительном увеличении концентрации электронов по сравнению с концентрацией дырок ток в основном переносится электронами. В этом случае электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. Примеси, способные отдавать электроны в зону проводимости, называются донорными или донорами.

вышение экономичности и надежности работы турбин. Далее, пройдя цилиндры низкого давления 5 (ЦНД) турбины, пар направляется в конденсатор 6, в котором конденсируется при глубоком вакууме. Особенность работы конденсатора заключается в возникновении разности давлений между охлаждающей водой и конденсирующимся паром, приводящей к поступлению (присосу) небольшого количества охлаждающей воды с более высоким соле-содержанием, чем в конденсате, в результате чего конденсат загрязняется. Забираемый из конденсатора 6 конденсат прокачива-

водят охлаждающую техническую воду для дополнительной конденсации небольшого количества пара, транспортируемого вместе со сдуваемым газом. Влага, уловленная дефлегматором сдувок, возвращается в приемные баки выпарной установки.

p-n-Переходы изготовляют введением небольшого количества примеси в тонкий поверхностный слой полупроводника. По способу изготовления различают сплавные и диффузионные р-п-переходы.

Следует отметить, что указанный способ определения доверительных интервалов справедлив только при большом количестве измерений (п>204-30). На практике чаще всего значение ел приходится определять по результатам сравнительно небольшого количества измерений. В этом случае при нормальном законе распределения для определения доверительного интервала нужно пользоваться коэффициентами Стыодента tn, которые зависят от задаваемой доверительной вероятности Р и количества измерений п (табл. 1.3).

г)2 — удельное сопротивление грунта соответствует примерно среднему значению (грунт средней влажности; измерениям предшествовало выпадение небольшого количества осадков);

Процесс получения омических контактов сплавлением заключается в следующем. Тонкий слой металла, металлическую навеску или шарик, нанесенные на поверхность кристаллической пластины, нагревают до температуры, при которой они плавятся. При этом происходит растворение в них небольшого количества полупроводника. При охлаждении системы полупроводник с растворенными в нем атомами металла и легирующими примесями кристаллизуется. В результате этого формируется сильно легированный слой полупроводника того же типа электропроводности и создается структура типа Ме-п+-п или Ме-р+-р. Важную роль в процессе сплавления играет смачиваемость полупроводника металлом. Для улучшения смачиваемости поверхность полупроводника очищают от примесей и оксидных слоев. Применяют флюсы для удаления остаточной поверхностной пленки. Чтобы при охлаждении от температуры сплавления до комнатной в области контакта полупроводник — металл не возникали большие остаточные напряжения, необходимо выбрать полупроводник и металл с близкими по значению термическими коэффициентами расширения.

Полной симметрии плеч в реальной схеме достичь невозможно, и это обусловливает наличие небольшого напряжения дрейфа. Для повышения стабильности балансного УПТ вводят сопротивление Ro, с помощью которого поддерживается большее постоянство потенциалов эмиттеров при изменении токов транзисторов. Сопротивление этого резистора определяется соотношением Ro = Af/6max//03, где Д/бтах — максимальное изменение потенциала базы, обусловленное дрейфом или входным сигналом усилителя; /оэ — ток покоя транзистора.

Схема двухтактного усилителя мощности, работающего в режиме В, приведена на 18.11, а графики, поясняющие работу одного из плеч, показаны на 18.12, б. В двухтактном усилителе желательно использовать транзисторы с близкими характеристиками, работающие по очереди в режиме В. Последнее достигается выбором небольшого напряжения смещения для попадания в точку В, при котором в режиме покоя еще отсутствует входной базовый ток.

пары реверсирующих контакторов 1КН, 2КН исключается, так как в цепи их катушек установлены вторая пара контактов кнопки 4КУ и размыкающие контакты контакторов 1KB и 2KB. При нажатии кнопки 4К.У также получает питание катушка промежуточного реле 1РП. Его замыкающие контакты закрываются в цепи питания катушки реле РУП, а размыкающие контакты в параллельной цепи открываются. Через замыкающие блок-контакты 1KB, 2KB независимо от положения реостата РГ в цепи возбуждения генератора создается цепь питания обмотки возбуждения генератора 057" через постоянное добавочное сопротивление гд. Величина этого сопротивления выбирается из условия обеспечения небольшого напряжения на зажимах генератора и, следовательно, малой скорости вращения якоря электродвигателя Д.

.>0) тиристоры открываются в прямом направлении тока (Ч-О в условиях небольшого напряжения (пороговое напряжение 6'п~ -1-^-2 В).

При изменении относительно небольшого напряжения управления Uy, меньшего, чем значение потенциального барьера Д<р, происходит управление током в цепи нагрузки транзистора со значительным на-

Так как в исходном состоянии е(?) = Е0, то напряжение на конденсаторе С, равное разности потенциалов его обкладок, t/c(0) = = ЕО — U0. Полярность этого небольшого напряжения зависит от соотношения ЕО и IV, при Uо = ЕО (/с(0) = 0.

Полной симметрии плеч в реальной схеме достичь невозможно, что обусловливает наличие небольшого напряжения дрейфа. Для повышения стабильности балансного УПТ вводят резистор связи R0, с помощью которого поддерживается большее постоянство потенциалов эмиттеров при изменении токов транзисторов. Сопротивление этого резистора определяется соотношением R0 = Д1/бтахДоэ, где ДС/бтах - максимальное изменение потенциала базы, вызванное дрейфом или входным сигналом усилителя; /Q., — ток покоя транзистора.

Дифференцирующие и интегрирующие цепи. Действие прямоугольного импульса с амплитудой 1/„ и длительностью г„ на цепь можно рассматривать как включение постоянного напряжения UK и его отключение через промежуток времени 1И с замыканием цепи со стороны входа. В соответствии с характером таких переходных процессов напряжения на емкости и активном сопротивлении уже не будут повторять форму входного прямоугольного импульса ( 10.8, а). Если постоянная времени цепи значительно превышает длительность импульса (т » ?„)> конденсатор за время действия импульса заряжается до небольшого напряжения, завал плоской вершины импульса на активном сопротивлении получается незначительным и можно считать, что такая цепь передает прямоугольные импульсы без существенных искажений ( 10.8, б).

В проводящих материалах валентная зона перекрывается зоной проводимости, в которой существуют незанятые состояния ( 3-2, б). Электроны под влиянием приложенного уже небольшого напряжения легко переходят из первой зоны во вторую, в которой имеется большое количество незанятых состояний, и становятся свободными электронами в том смысле, что их положение в объеме металла неопределенно: они' могут оказаться в любом месте объема. В металлах много свободных электронов, которые под действием электрического поля движутся в пространстве между кристаллами металла, образуя упорядоченное движение заряженных частиц, или электрический ток. При этом в нормальных условиях электрон может пройти расстояние, в тысячу раз больше размера параметра решетки, прежде чем он испытает «рассеяние» при столкновении с положительным ионом решетки.

Каскады предварительного усиления обеспечивают согласование мощного оконечного каскада усилителя с источником сигнала (см. 1.6,6). Они, как правило, работают в режиме А и предназначены для увеличения сравнительно небольшого напряжения источника сигнала до такого уровня, при котором осуществляется нормальное возбуждение мощного оконечного каскада. Поскольку основные показатели предварительного

Пусть на входных зажимах источника ивх (t) появился пилообразный импульс отрицательной полярности с амплитудой Ит. Одновременно с ним на выходных зажимах источника опорного напряжения «оп (t) вырабатывается опорный прямоугольный импульс отрицательной полярности, который поступает на сетки ламп JIi и Л2 и вызывает их запирание. Запертые лампы можно исключить из рассмотрения. Будем считать, что входной сигнал передается на выход через обычную разделительную цепь: через сопротивление ^г и конденсатор С — на сопротивление нагрузки RK. Постоянная времени разделительной цепи Q = C(RT-\ Rn). За время действия входного импульса конденсатор С разделительной цепи зарядится до небольшого напряжения А (минус — на левой обкладке С, плюс—на правой). При треугольной форме входного сигнала в соответствии с выводами § 2.2