Небольшое отрицательноеКрепление подвижной части на подвесе применяется в приборах наибольшей чувствительности — гальванометрах (см. § 3.4). Подвес, подобно растяжке, представляет собой тонкую упругую нить, на которой свободно подвешивается подвижная часть. В при,-, борах на -подвесах применяется световой отсчет. Они требуют установки по уровню, поскольку подвижная часть висит свободной и поэтому даже небольшое отклонение положения прибора от вертикального может вызвать ее затирание.
Пусть частота сигнала со будет не точно шн/2, а со = а>„/2 -f- Q, где Q — небольшое отклонение, не выходящее из полосы прозрачности колебательного контура. Тогда комбинационная частота будет
При больших значениях тока /2 размагничивающее действие реакции якоря п нагревание обмоток вызывают небольшое отклонение характеристики Л/2п = = / (^а) °т прямой линии в сторону уменьшения Л/2П.
В магазинных мостах погрешность от дискретности обусловливается следующим. Если при некотором положении рычага переключателя самой младшей декады резистора /?2 указатель равновесия дает небольшое отклонение с^ от нулевого положения в одну сторону, а при перемещении рычага на один контакт отклонение меняет знак и получается некоторое а2, то в пределах чувствительности моста не удается урав новесить мост. Погрешность дискретности в этом случае будет равна половине значения сопротивления одного элемента самой младшей декады резистора /?2. Однако путем интерполяции можно устранить указанную погрешность. Если отклонение at получается при некотором сопротивлении самой младшей декады /?/, а а2 — при сопротивлении /?2" > R*', то сопротивление, соответствующее нулевому отклонению указателя равновесия, т. е. уравновешенному состоянию моста,
Так, для фигуры, показанной «а 18.5, а = 14, b = 4. Если имеется небольшое отклонение от кратности частот, то фигура будет вращаться и видоизменяться, повторяя свои формы через некоторый промежуток
В случае нелинейных цепей, содержащих нелинейные элементы с падающими участками характеристик, как было показано в § 4-5, могут иметь место состояния как устойчивого, так и неустойчивого равновесия. Неустойчивое равновесие возможно также при наличии достаточной положительной обратной связи (§ 4-6). В случае неустойчивого равновесия раз возникшее небольшое отклонение от положения равновесия в дальнейшем возрастает. При этом возможен случай апериодического перехода в другие устойчивые состояния равновесия, или возможен случай нарастания автоколебаний в цепи до некотброго устойчивого значения амплитуды колебаний, примером чего является ламповый генератор (§ 4-6). В обоих случаях новое устойчивое состояние, или, соответственно, устойчивый периодический автоколебательный процесс, определяется нелинейностью характеристик элементов цепи.
На основании рассмотрения 3-17 можно установить также следующее. Если обмотка имеет полный шаг и щетки установлены на нейтрали, то э. д. с. ветви будет наибольшей. Кроме того, при этом направления токов всех проводников, лежащих под одним полюсом, будут одинаковы, и поэтому развиваемый электромагнитный момент будет максимальным. Следовательно, такое устройство обмотки и такое расположение щеток являются наиболее выгодными. Небольшое отклонение шага z/j от полного не оказывает заметного влияния на значения э. д. с. и вращающего момента, так как изме-
Крепление подвижной части на подвесе применяется в приборах наибольшей чувствительности —^гальванометрах (см. § 16). Подвес, подобно растяжке, представляет собой тонкую упругую нить, на которой свободно подвешивается подвижная часть. В приборах на подвесах применяется световой отсчет. Они требуют стационарной установки по, уровню, поскольку подвижная часть висит свободно,, И поэтому даже небольшое отклонение положения прибора от вертикального может вызвать ее затирание.
Основы теории. 1. Существенным отличием электрических цепей содержащих нелинейные элементы, является возможность возникновения в них колебательного процесса под действием постоянных источников. Последнее является следствием неустойчивого состояния равновесия , при котором достаточно малое отклонение режима работы от исходного (независимо от того , какими причинами оно вызвано) с течением времени увеличивается. Возникшее вследствие случайного толчка небольшое отклонение развивается в виде колебательного процесса. Из теоретического курса известно, что причинами неустойчивого состояния может быть наличие в цепи нелинейного элемента с падающей характеристикой либо наличие достаточно большой положительной обратной связи.
В нелинейных цепях, содержащих нелинейные элементы с падающими участками характеристик, как было показано в § 22.5, могут иметь место состояния как устойчивого, так и неустойчивого равновесия. Неустойчивое равновесие возможно также при наличии достаточной положительной обратной связи (см. § 22.6). В случае неустойчивого равновесия раз возникшее небольшое отклонение от положения равновесия в дальнейшем возрастает. При этом возможен случай апериодического перехода в другие устойчивые состояния равновесия или случай нарастания автоколебаний в цепи до некоторого устойчивого значения амплитуды колебаний, примером чего является транзисторный генератор (см. § 22.6). В обоих случаях новое устойчивое состояние или, соответственно, устойчивый периодический автоколебательный процесс определяются нелинейностью характеристик элементов цепи.
Автоматические выключатели уставгавливают в шкафы КТП после проверки их исправности и соответствия технических данных указанным на схеме в проекте. Автоматический выключатель выдвижной конструкции подсоединяют к внешней цепи с помощью втычных контактов. Перед установкой автоматического выключателя в шкаф проверяют совпадение вертикальных и горизонтальных осей симметрии втычных контактов и ножей. Допускается небольшое отклонение от соосности, при котором в рабочем положении автоматического выключателя просвет между задними колесами каркаса автоматического выключателя и рельсами не превышает 1 мм. Раствор главных втычных контактов должен быть 4—5 мм; сила нажатия каждого втычного контакта 100—120 Н. Подвижные и неподвижные вспомогательные контакты должны совпадать по осям симметрии и иметь провал 1,5—2 мм.
5.29. а) Возрастет; б) Ucw будет иметь небольшое отрицательное значение; в) при обрыве в цепи R\ значения параметров ц, Ri уменьшаются, a S и D — увеличиваются; при обрыве в цепи Яг, № и Ri увеличиваются, a S и D уменьшаются.
Потенциал базы открытого транзистора также имеет небольшое отрицательное значение:
Обычно сумма е0дз + еом несколько превышает значение t/a0> поэтому напряжение UQ имеет небольшое отрицательное значение, достаточное для запирания транзистора Т. Смещение уровня напряжения на базе (от положительного значения U&0 до небольшого отрицательного значения — t/б) достигнуто за счет использования диодов Дз и Д4 в цепи связи диодной схемы И с базой транзистора Т. Диоды Дз и Д4 называют смещающими. Без них запирание транзистора Г не гарантировалось бы, так как значение напряжения 0&0 на анодах диодов Hi и Да может превышать напряжение отсечки входной характеристики транзистора еоб.
выходе элемента Эг оно соответствует логическому «О» (Е0). Рассмотрение процессов формирования импульсов начнем с момента переключения, когда на выходе элемента 3i напряжение изменилось от Е0 до Ei (сформировался перепад «О—1»), а на выходе элемента 32 оно изменилось от Ei до Е0. Конденсатор С2 заряжается от выходного напряжения Ei элемента 5Х через его выходное сопротивление rnijill и резистор R2- На резисторе R2 зарядный ток создает запирающее напряжение, которое превышает пороговый уровень ?/пор. В результате появления этого напряжения диод Д2 заперт, а на выходе элемента Э2 поддерживается напряжение Е0, конденсатор Ci, зарядившийся в предшествующий полупериод колебаний (плюс — на левой, согласно 6.101, обкладке, минус— на правой), теперь разряжается через выходное сопротивление гвых 02 элемента 32 и открытый диод Д^. На входе элемента 9i поддерживается небольшое отрицательное напряжение —еод, соответствующее напряжению отсечки диода Д^ Постоянная времени цепи разрядки конденсатора 62 = Ci(rnp ± + гвых 02), постоянная времени цепи зарядки 6i = С2(/-вых,.,-f/?2). При симметрии элементов схемы (Сх = С2 = С; Кг = RZ = /?) 62 = С(гпр t + гвых 0); 0! = = C(JR + гвых j). По мере зарядки конденсатора С2 напряжение на входе элемента Э2 уменьшается; когда оно перейдет уровень ?/пор, в схеме развивается регенеративный процесс переключения, завершающийся скачкообразным изменением напряжения на выходе элемента Эг до значения Ei, а на выходе элемента 5t — до значения Е0. Конденсатор Ci, разрядившийся до напряжения Е0 + eOR, начинает заряжаться от выходного напряжения Ег элемента Э2 через его выходное сопротивление гвых 12 и резистор Rlf Положительное напряжение, по-
После переключения транзистор Тл оказывается включенным. Напряжение па его эмиттере положительно, но по величине невелико (соответствует падению напряжения на открытом змиттерпом переходе). Конденсатор С зарядился за время Т] практически до напряжения Е. За время начального скачка напряжение на нем не успевает измениться. Поэтому после скачка напряжение на эмиттере 7"2 (УЭ2=- + t/6ai~ruc — + ~'бэ! — Б ~ — Е. Так как транзистор 7"о открыт, напряжение на его коллекторе мало по величине. Соответствующим выбором /?к его можно сделать близким к пулю. Напряжение на эмиттере Т2 оказывается отрицательнее напряжения на его базе, в результате чего транзистор запирается. Схема оказывается во втором квазиустойчивом состоянии равновесия, когда транзистор Г2 заперт, а Т, открыт. Конденсатор С перезаряжается через открытый эмиттерный переход транзистора Т± и резистор R2 на источник -\- Еэ. Ток эмиттера TL /3l~(E3/R,)-- ic, где ic — ток перезаряда конденсатора С. Из-за появления емкостной составлтощс i эмиттерного тока транзистор Т\ в течение некоторого времени после переключения может находиться в насыщенном состоянии. По мере перезаряда конденсатора С напряжение на эмиттере запертого транзистора 7'2 повышается, стремясь к уровню -{-Еа. Когда напряжение на эмиттере Tz превысит значение напряжения на коллекторе Тг, транзистор Т2 отпирается и в схеме начинает развиваться процесс лавинного переключения транзисторов. Длительность пребывания схемы во втором квазиустойчивом состоянии равновесия т2— -02 In ( 1 -\-\Е[/Е^), где 62 « CR2. Данное соотношение справедливо в том случае, когда в момент, предшествующий переключению. напряжение на коллекторе Т\ имеет небольшое отрицательное значение, близкое к нулю. Определим значение RK, при котором данное соотношение обеспечивается. К моменту переключения транзисторов ток перезаряда ic близок к E3/R2-Соответственно ток эмиттера 7\ /3iT = (Ea/R{) -\-(Ea/R2). Чтобы транзистор при данном эмиттсрном токе не был насыщен и в то же время имел лишь небольшое отрицательное напряжение на коллекторе, сопротивление резистора RK следует
Для установления необходимого режима работы на базу транзистора относительно эмиттера подают небольшое отрицательное смещение (0,05—0,5 в, в зависимости от типа транзистора и режима его работы) '). Это смещение желательно получать от источника коллекторного питания, так как при этом для питания усилителя потребуется лишь один источник.
Повышение входного сопротивления транзистора при малых входных токах приводит к изгибу нижней части сквозной динамической характеристики, что при слабых сигналах вызывает появление значительных нелинейных искажений. Поэтому в каскадах, работающих в режиме В с изменяющейся амплитудой сигнала, на базу относительно эмиттера подают небольшое отрицательное смещение (0,1-г-0,2 в для германиевых транзисторов) от низкоомного делителя напряжения. При этом сквозная характеристика спрямляется и нелинейные искажения при слабых сигналах практически исчезают.
В опытах короткого замыкания определяются также напряжения короткого замыкания ык12, мк13, ык:23, значения которых в относительных единицах равны соответствующим сопротивлениям короткого замыкания. Следует отметить, что индуктивное сопротивление рассеяния обмотки, расположенной между двумя другими, близко к ,нулю или имеет небольшое отрицательное значение, что формально эквивалентно емкостному сопротивлению. Возможность появления отрицательных индуктивных сопротивлений рассеяния связана с тем, что, согласно соотношениям (14-31) и (14-32), для
Для установления необходимого режима работы на базу транзистора относительно эмиттера подают небольшое отрицательное смещение(0,05—0,5 в, п зависимости от типа транзистора и режима его работы) '). Это смещение желательно получать от источника коллекторного питания, так как при этом для питания усилителя потребуется лишь один источник.
Повышение входного сопротивления транзистора при малых входных токах приводит к изгибу нижней части сквозной динамической характеристики, что при слабых сигналах вызывает появление значительных нелинейных искажений. Поэтому в каскадах, работающих в режиме В с изменяющейся амплитудой сигнала, на базу относительно эмиттера подают небольшое отрицательное смешение (0,1—0,2 в для германиевых транзисторов) от низкоомного делителя напряжения. При этом сквозная динамическая характеристика каскада спрямляется и нелинейные искажения при слабых сигналах практически исчезают.
В опытах короткого замыкания определяются также напряжения короткого замыкания ык12, ык13, uK23, значения которых в относительных единицах равны соответствующим сопротивлениям короткого замыкания. Следует отметить, что индуктивное сопротивление рассеяния обмотки, расположенной между двумя другими, близко к нулю или имеет небольшое отрицательное значение, что формально эквивалентно емкостному сопротивлению. Возможность появления отрицательных индуктивных сопротивлений рассеяния связана с тем, что, согласно соотношениям (14-31) и (14-32), для двухобмоточных трансформаторов они определяются разностью двух (в более общем случае — нескольких) величин и эта разность может оказаться отрицательной.
Похожие определения: Насыщения материала Надежности устройств Насыщение магнитопровода Насыщенных транзисторов Населенной местности Настоятельная необходимость Настройки регулятора
|