Небольшим коэффициентом

\ из е —>• 0 следовало т —*• 0. Это условие соблюдается для класса финитных функций [81]. В этом случае задача восстановления сигнала корректна, так как небольшим изменениям выходного сигнала соответствуют небольшие изменения восстановленного зходнсго. Поэтому, рассматривая способы коррекции динами-геских характеристик СИ, полагаем, что СИ обладает такими ха-эактеристиками, при которых финитный спектр входного сиг-шла полностью находится в полосе частот пропускания СИ, j все высокочастотные составляющие входного сигнала, которые, «к правило, создаются источниками помех, отфильтрованы Кроме того, известно, что в идеальном СИ \ G (/со) = /СНОм — = const, ф (ai) --— ---t3a). В таком СИ передаточная функция '-'ном (s) не имеет нулей в правой полуплоскости комплексного •геременного s, т. е. GHOM (s) является передаточной функцией минимально-фазового типа. Для нее, если G (/to) = /Сном --= const, то ФЧХ может быть получена из G (/и) посредством •треобразования Гильберта- [8(13; она не вызывает необратимых {скажений измеряемого сигнала.

Алгоритмы оценки полезных сигналов на фоне помех по формулам (7.19) и (7.26) получены в предположении о том, что вере ятиостные характеристики помех известны. В реальных измерениях эти характеристики известны лишь частично и, кроме того, OJiи могут изменяться. Поэтому уместно поставить вопрос об устойчивости алгоритмов (7.19) и (7.26) к небольшим изменениям характеристик помех. Для определения робастных свойств алгоритма (7.26) воспользуемся кривой чувствительности го выражению (6.100). Для первого слагаемого в соотношении (7.26).

уЁелйчения коэффициента стабилизации необходимо выбирать участок вольт-амперной характеристики, на котором RH 3> RCT- Это соответствует участку насыщения на вольт-амперной характеристике бареттера на 2.6, а также зависимости Uabi:^(UB>i) на 3.13. Как следует из 3.13, существенные изменения входного напряжения на участке насыщения приводят к небольшим изменениям выходного напряжения.

Для выполнения описанных выше оптимизационных расчетов необходима предварительная подготовка исходных данных. Такими данными, как видно из (20.1) — (20.4), являются капиталовложения, издержки производства и их приращения, соответствующие небольшим изменениям искомого параметра гидроузла.

Как было выяснено в § 3-7, изменение вторичного тока сопровождается почти пропорциональным изменением первичного тока и приводит к небольшим изменениям магнитного потока. В этой главе анализируется влияние изменения вторичного тока на вторичное напряжение и на КПД. Анализ проведен для наиболее часто встречающихся нагрузочных режимов: ?/1н = const

Как было выяснено в § 3-7, изменение вторичного тока сопровождается почти пропорциональным изменением первичного тока и приводит к небольшим изменениям

Кроме использования для высоконадёжной аппаратуры деталей высокой надёжности и наименьшего их количества повышения надёжности работы аппаратуры можно добиться использованием в ней схем и узлов, безотказно работающих при больших изменениях электрических данных деталей и широких допусках на них; одним из примеров таких схем являются схемы с глубокой отрицательной обратной связью. Применение в высоконадёжной аппаратуре схем, критичных к допускам на детали и небольшим изменениям их данных, как, например, схем взаимной коррекции "каскадов, недопустимо.

Кроме использования для высоконадёжной аппаратуры деталей высокой надёжности и наименьшего их количества повышения надёжности работы аппаратуры можно добиться использованием в ней схем и узлов, безотказно работающих при больших изменениях электрических данных деталей и широких допусках на них; одним из примеров таких схем являются схемы с глубокой отрицательной обратной связью. Применение в высоконадёжной аппаратуре схем, критичных к допускам на детали и небольшим изменениям их данных, как, например, схем взаимной коррекции каскадов, недопустимо.

В некипящих системах увеличение концентрации солей, не являющихся акцепторами, приводит к небольшим изменениям разложения воды, и эффект рН, как отмечалось [14], заключается в уменьшении радиолиза с понижением рН. Положение в кипящих реакторах, очевидно, более сложно и, как будет отмечено позже, больше зависит от рН. Аммиак и азот являются специальными случаями и будут рассмотрены отдельно.

1. При заданном токе коллектора и напряжение Ur>1, и коэффициент Л21э (эффект Эрли) несколько изменяются при изменении напряжения коллектор-эмиттер. Изменение напряжения 1/Бэ> связанное с изменением напряжения на нагрузке, вызывает изменение выходного тока, так как напряжение на эмиттере (а следовательно, и эмиттерный ток) изменяется, даже если напряжение на базе фиксировано. Изменение значения коэффициента /i2ij приводит к небольшим изменениям выходного (коллекторного) тока при фиксированном токе эмиттера, так как /к = = 1Э — /Б; кроме того, немного изменяется напряжение на базе в связи с возможным изменением сопротивления источника смещения, обусловленного изменениями коэффициента /г2 гэ (а следовательно, и тока базы). Эти изменения незначительны. Например, изменение выходного тока для схемы, представленной на 2.22, й,

[ 149, 150]. Поскольку этот метод является "нулевым", т.е. интенсивность дифрагированного света перед возбуждением равна нулю, он очень чувствителен к небольшим изменениям показателя преломления. Анализ экспериментальных результа-1ов показывает, что процесс фотопотемнения можно объяснить с помощью модифицированной модели потенциала с двумя минимумами, в которой возбужденные алскгроны движутся по подвижным состояниям и релаксируют до состояния фото-иотемнения в основном .состоянии через локализованные состояния вблизи середины запрещенной зоны.

Такая простейшая схема обладает небольшим коэффициентом стабилизации, но он может быть значительно повышен, если дополнительно включить в схему усилитель и измерительный элемент. В схемах дроссельных стабилизаторов применяют магнитные, тиристорные и транзисторные усилители. В качестве измерительных элементов используют стабилитроны, насыщенные диоды и нелинейные мосты.

Помехи в электрически коротких линиях связи возникают из-за «паразитных» связей между различными электрическими соединениями и различными компонентами в пределах одного соединения (например, шины питания) и могут привести к сбою в работе цифровых схем. Несмотря на то что в цифровых узлах используют схемы с небольшим коэффициентом усиления по напряжению (в 104...105 раз меньшим, чем, например, в аналоговых блоках РЛС), наличие большого числа параллельных связей, а также высокая плотность компоновки требуют принятия специальных мер для обеспечения ЭМС с учетом помех в электрически коротких линиях. Паразитные связи определяются конструкцией РЭС и параметрами используемых материалов (особенно диэлектрической проницаемостью). Все виды внутренних паразитных связей делят на емкостные, индуктивные и кондуктивные. Если сигнал (составляющая спектра), наводящий помеху, имеет гармонический характер, то независимо от характера паразитной связи ( 2.29) амплитуда помехи может быть определена по формуле

Важными достоинствами транзисторов являются небольшое напряжение источника питания, малые габариты, большой срок службы, хотя плоскостные транзисторы об--ладают заметной собственной емкостью, небольшим коэффициентом усиления, большим разбросом параметров однотипных транзисторов.

насыщения ?Нас=1,5, ЛНом=3,75 ( 7.18; точки а, Ь, с), что заставляет делать катушку главного полюса с большой МДС, т. е-увеличивать габариты машины. Поэтому двигатели, предназначенные для работы в широком диапазоне скоростей, выполняются с небольшим коэффициентом насыщения. Кроме того, нужно уменьшить среднее напряжение между смежными коллекторными пластинами. В рассмотренном случае в режиме максимального ослабления поля ftf= l + l/&=2. Поэтому среднее напряжение между смежными пластинами

быстродействие и чувствительность и возможность использования транзисторов с небольшим коэффициентом усиления.

Чтобы обеспечить незначительные искажения фронта и высоких частот, рассматриваемые усилители изготавливают в виде ИМС с небольшим коэффициентом усиления. Поэтому для получения достаточного усиления приходится строить многокаскадные усилители, состоящие из нескольких ИМС. Коэффициент усиления такого многокаскадного усилителя определяется произведением коэффициентов усиления отдельных ИМС. При выбросах на вершине выходного импульса, не превышающих 2 — 3%, время нарастания фронта переходной характеристики усилителя в целом можно оценить по формуле

от того, какие элементы плеч будут регулируемыми. Таким методом измеряют главным образом индуктивности с небольшим коэффициентом добротности Q (менее 10), т. е. практически индуктивности малых и средних величин. При равновесии моста индуктивность

Антиферромагнитные вещества характеризуются кристаллическим строением, небольшим коэффициентом магнитной восприимчивости (к к> « 10~?ч-10~:"), постоянством к в слабых полях и сложной зависимостью от Я в сильных полях, специфической зависимостью от температуры, а также температурой точки Нееля, выше которой вещество переходит в парамагнитное состояние.

обычно устраняются введением ООС, охватывающей оконечный и. предоконечный каскады. Устранения подобной асимметрии можно добиться, применяя в выходных каскадах двухтактные схемы на составных транзисторах ( 1.8,6). В этой схеме верхнее плечо собрано на составных транзисторах n-p-л, а нижнее включает дополнительно еще третий транзистор VT4 p-n-р с небольшим коэффициентом п21э. Схема более симметрична, чем предыдущая, и позволяет получить большие мощности на выходе при применении соответствующих транзисторов. В выходных каскадах необходимо принимать меры по защите схемы от перегрузок, особенно от возможных коротких замыканий. В схеме 1.9,а защита основана на отрицательной обратной связи, которая возникает за счет падения напряжения на R2 и R3.

Приемлемую схему инструментального усилителя можно получить, если на входе универсального ОУ использовать специальный прецизионный усилитель с небольшим коэффициентом усиления напряжения, но с высоким входным сопротивлением и малыми дрейфами напряжения смещения. Такой входной каскад обеспечит точный прием и неискаженную передачу информации для дальнейшей

вать свои логические схемы на дискретных транзисторах, самоотверженно бились над резисторно-транзисторной логикой (РТЛ), простым семейством логических элементов, разработанным на фирме Fairchild и характеризующимся небольшим коэффициентом разветвления по выходу и низкой помехоустойчивостью. 9.1 иллюстрирует возникшие в то время проблемы, в частности, логический порог, превышающий уровень земли на одно напряжение [/6э, и крайне маленький коэффициент разветвления по выходу (в некоторых случаях один выход мог питать только один вход!) были обусловлены пассивной выходной схемой и низ-коомной токоотводящей нагрузкой. Это были времена малой интеграции и наиболее сложным элементом, который можно было реализовать, был сдвоенный триггер, работающий на частоте 4 МГц, Но мы смело строили свои схемы на РТЛ, иногда они сбивались особенно, когда в той же комнате включали паяльник.

В керамическом производстве широко применяют карбид кремния SiC со сложной слоистой структурой. Карбид кремния технической чистоты изготовляют путем восстановления кремнезема (кварцевого песка) углеродом (коксом) в печах сопротивления. Промышленность выпускает два вида карбида кремния, различающихся химическим составом и свойствами, которые влияют на цвет, — зеленый и черный (табл. 48). Зеленому SiC придает окраску избыток элементарного кремния, а черному — избыток углерода. Карбид кремния, иначе именуемый карборундом, поставляется промышленностью в" виде порошков различной зернистости (ГОСТ 3647— 80). Карборунд устойчив против воздействия всех кислот, за исключением фосфорной и смеси азотной и плавиковой. Изделия из карбида кремния отличаются высокой термической стойкостью, благодаря большой теплопроводности — сравнительно небольшим коэффициентом линейного расширения, а также достаточной прочностью и химической стойкостью. Изделия имеют следующие свойства.