Называются параметрами

Статор является механическим остовом машины и одновременно служит для создания основного магнитного поля. Магнитное поле неподвижно. Оно возбуждается электромагнитами постоянного тока (реже постоянными магнитами), которые укрепляются на статоре и называются основными полюсами возбуждения.

Электроны составляют подавляющее большинство носителей в полупроводнике л-типа, и поэтому называются основными носителями, а дырки—неосновными.

2-90. Носители заряда, представленные в большинстве, называются основными, а представленные в меньшинстве — неосновными.

( 8.1, б). Пятый электрон атома примеси в ковалентной связи не участвует. Со своим атомом он связан силой кулоновского взаимодействия. Энергия этой связи невелика — порядка сотых долей электрон-вольт. Так как при комнатной температуре тепловая энергия » 0,03 эВ, то очевидно, что при этой температуре будет происходить ионизация примесных атомов мышьяка вследствие отрыва пятого валентного электрона, который становится свободным. Наряду с ионизацией примеси может происходить и ионизация атомов основного вещества. Но в области температур ниже той, при которой имеет место значительная собственная проводимость, число электронов, оторванных от примеси, будет значительно больше количества электронов и дырок, образовавшихся в результате разрыва ковалентных связей. В силу этого преобладающую роль в про-водимости кристалла будут играть электроны, и поэтому они называются основными носителями заряда, а дырки — неосновными,

Электронный и дырочный полупроводники. Если в собственный полупроводник ввести донорную примесь, то число свободных электронов будет превышать число дырок. Такой полупроводник обладает преимущественно электронной проводимостью и называется электронным или п-типа. Дополнительные свободные электроны возникают при ионизации донорных атомов — отрыве от них электронов под действием тепловых колебаний кристаллической решетки, в результате донорные атомы превращаются в положительно заряженные ионы. Донорные атомы образуют в запрещенной зоне разрешенные уровни Е8, расположенные вблизи дна зоны проводимости ( 1.3). При ионизации донор-ного атома электрон 1 переходит с донорного уровня Eg в зону проводимости, разность Д?1е=?п—Eg называется энергией ионизации доноров. Так как Д?й<СЛ?з, то при не слишком высоких температурах число свободных электронов, возникающих вследствие ионизации доноров, при достаточно большой концентрации доноров превышает число электронов и дырок, образовавшихся вследствие тепловой генерации. Электроны в этом случае называются основными носителями.

Схемотехническая реализация многообразия потенциальных. ИМС основана на типовых базовых функциональных элементах. По* виду реализуемой логической функции функциональные элементы. микросхем условно делят на два класса. К первому классу относятся функциональные элементы одноступенчатой логики, реализующие простейшие логические функции (операции) И, ИЛИ, НЕ,. И—НЕ, ИЛИ—НЕ. Микросхемы, выполняющие только логические функции И—НЕ или ИЛИ—НЕ, называются основными логическими ИМС. Ко второму классу относятся функциональные элементы двухступенчатой логики, реализующие более сложные логические функции: И—ИЛИ, ИЛИ—И, НЕ—И—ИЛИ, И—ИЛИ— —НЕ, И—ИЛИ—И и др.

Полупроводники с преобладанием электронной проводимости называются полупроводниками типа п (от латинского слова negative — отрицательный), а полупроводники с преобладанием дырочной проводимости —типа р (от латинского positive положительный). Носители заряда, определяющие собой вид проводимости в примесном полупроводнике, называются основными (электроны в п-полу-проводнике или дырки в р-полупроводнике), а носители заряда противоположного знака — не основными. Примеси, вызывающие преобладание электронной проводимости, называются донорными, а дырочной —акцепторными. Донор-ной примесью для германия является, например, мышьяк, а акцепторной — индий.

Соотношения (8.1) называются основными уравнениями четырехполюсника, поскольку они исчерпывающе и однозначно описывают все его свойства при известных проводимостях (8.2). Эти проводимости (у-параметры) называют основными параметрами четырехполюсника.

Основные и неосновные носители заряда. Те носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике больше, называются основными, а те, концентрация которых меньше, — неосновными. Так, в полупроводнике n-типа электроны являются основными носителями, а дырки — неосновными. В полупроводнике ,р-типа

Схемотехническая реализация многообразия интегральных микросхем потенциального типа основана «а типовых, базовых функциональных элементах. По виду реализуемой логической функции функциональные элементы микросхем условно делятся на два класса. 'К первому классу относятся функциональные элементы «одноступенчатой логики. Это — простейшие логические элементы, реализующие логические функции (операции) И, ИЛИ, НЕ, И— 'НЕ, ИЛИ—НЕ. Микросхемы, выполняющие только логические функции И—НЕ или ИЛИ—НЕ, называются основными логическими интегральными микросхемами. Ко второму классу относятся функциональные элементы двухступенчатой логики, реализующие более сложные логические функции: И—ИЛИ, ИЛИ—И, .НЕ—И—ИЛИ, И—ИЛИ—НЕ, И—ИЛИ—И и др.

обратной. Электронов становится недостаточно для образования ковалентных связей, и возникают дырки, свободно перемещаемые в кристалле. Примеси этого типа, например бор или галлий, позволяют получить кремний р-типа. Электроны в кристалле с проводимостью n-типа называются основными носителями, а дырки — неосновными. Соответственно при проводимости р-типа основные носители — дырки, а неосновные — электроны.

Уравнения, дающие зависимость между Ul, U2, /i и /2, называются уравнениями передачи четырехполюсника. Для линейных четырехполюсников эли уравнения будут линейными. Величины, связывающие в уравнениях передачи напряжения и токи, называются параметрами четырехполюсников.

Коэффициенты _KU, JK12, J^21 и J^22 в уравнениях (9.2) называются ^[-параметрами, или параметрами проводимостей четырехполюсника, так как по размерности они являются именно таковыми. Уравнения (9.2) называются уравнениями передачи четырехполюсника в Y-параметрах. Эти уравнения представляют собой одну из возможных форм уравнений передачи. Они позволяют находить любую пару из значений /1( /2, f/j и U_2, если

называются ^-параметрами, или обобщенными параметрами. Уравнения (9.4) называются уравнениями передачи в А-парамет-рах. Параметры Лп и у422 являются безразмерными; параметр А12

Коэффициенты Яп, Я12, Я21 и Я22 называются Н-параметрами и применяются при рассмотрении схем с транзисторами, так как режим транзистора определяется входным током /t и выходным напряжением С/2. Параметры Я12 и Я21 являются безразмерными, а параметры Яп и Я22 имеют размерность сопротивления и проводимости. Уравнения (9.5) называются уравнениями передачи в Н-параметрах.

Величины Zx.xl, Zx.x2, ZK.3l и ZK.j2 называются параметрами холостого хода и короткого замыкания. Значения этих параметров для любой данной частоты могу-: быть измерены с помощью специального прибора для измерения: комплексных сопротивлений — моста переменного тока. Это особенно удобно, когда четырехполюсник представляется в виде «черного ящика» и нет возможности узнать его содержимое и рассчитать какие-либо другие системы параметров, либо когда влияние паразитных элементов четырехполюсника трудно учесть аналитически. Измерение же других систем параметров зачастую представляет значительную сложность.

резков, обладающих некоторыми значениями Ro, L0, C0 и GO, приходящимися на единицу длины (например, на 1 км). Эти величины называются параметрами, они составляют продольное сопротивление Z0 == #о+/«>?о и поперечную проводимость г/о = G0+/(uC0.

Таким образом, при идеальном согласовании характеристик транзисторов в транзисторных парах VT1 — VT2 и VT3—VT4 ДК с однофазным выходом сохраняет отмеченные выше свойства простейших ДК: нечувствительность к синфазному сигналу и формирование нулевого выходного сигнала (/Вы* = 0) ПРИ нулевом входном дифференциальном сигнале. Однако, поскольку идеальное согласование харак-7еристик элементов на практике недостижимо, соотношения (12.13), (12.14) необходимо рассматривать лишь как идеализированное описание (модель) реальных характеристик. Параметры, оценивающие отклонение реальных характеристик от идеальных, называются параметрами неидеальности. Основными параметрами неидеальности ДК являются приведенное ко входу напряжение смещения t/CM, определяемое как значение входного дифференциального напряжения, при котором выходное напряжение равно нулю, и коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Мсф, определяемый как отношение приращений синфазных входных напряжений к входному напряжению, вызывающих одно и то же приращение выходного напряжения.

где комплексы А, В, С, D называются параметрами четырехполюсника. Между ними существует следующая связь:

резков, обладающих некоторыми значениями ^?о, L0, Со и GQ, приходящимися на единицу длины (Например, на 1 км). Эти величины называются параметрами, они составляют продольное сопротивление ZQ=R0-\-j&L0 и поперечную проводимость уо = Go+/a>C0.

Совокупность процессов, существующих и системен определяющих ее состояние в любой момент времени или на некотором интервале времени, называется режимом системы**. Режим — это состояние системы, определяющееся множеством различных процессов и зависящее от схемы соединения элементов системы и ее параметров. Режим характеризуется показателями, количественно определяющими условия работы системы. Эти показатели называются параметрами режима. К ним относятся значения мощности, напряжения, тока, углов сдвига векторов э.д.с., напряжений, токов, частоты и т. д. Параметры режима связаны между собой соотношениями, в которые входят параметры системы.

Любая электрическая цепь, независимо от ее назначения, может содержать резисторы, катушки индуктивности и конденсаторы. Если сопротивления резисторов, индуктивности катушек и емкости конденсаторов, составляющих электрическую цепь, не зависят ни от токов в них, ни от приложенных к ним напряжений, ни от направлений этих токов и напряжений, кам-дый из элементов цепи и вся электрическая цепь называются лилейными. Величины, характеризующие элементы электрической цеги и сохраняющие постоянное значение в условиях поставленной задачи, называются параметрами (постоянными) элементов или параметрами цепей. Поэтому сопротивления резисторов, индуктивности катушек и емкости конденсаторов линейной электрической i епи являются параметрами этой цепи. Когда значения элементов цепи, независимо от токов и напряжений на этих элементах, измен? ются с течением времени, цепь называется параметрической. Параметрические цепи изучаются в курсе «Теория нелинейных электрических цепей».