Называется рекомбинацией

Если при указанных расчетах напряжение на выводах генератора U = const, а рассчитывается зависимость тока возбуждения от тока нагрузки /в =/(/), то полученная характеристика называется регулировочной,

Зависимость U0 a=/(a) называется регулировочной характеристикой выпрямителя. Регулировочные характеристики для случая LH = 0 и LH = °° приведены на 11.14. Для обоих рассмотренных случаев величина максимального обратного напряжения такая же, как в схеме неуправляемого выпрямителя.

3. Какая зависимость называется регулировочной характеристикой?

Зависимость UBa = f(a) называется регулировочной характеристикой. Как видно из выражения (6.6), в случае работы выпрямителя на чисто активную нагрузку с предельным углом управления а=180° выпрямленное напряжение равняется нулю.

= P. (/), показывающая потребное изменение тока возбуждения /в в зависимости от тока нагрузки / для поддержания неизменного напряжения V на зажимах генератора при постоянной частоте вращения якоря п, называется регулировочной характеристикой генератора ( 138).

Зависимость тока возбуждения от тока нагрузки при постоянных значениях скорости вращения, напряжения на зажимах генератора и коэффициента мощности называется регулировочной характеристикой:

интервал бестоковой паузы, на котором мощность от сети в нагрузку не передается. Зависимость ?/,(=/(«) называется регулировочной характеристикой, для активной нагрузки она представлена на 6.4, а.

При рассмотрении инверторов используются обозначения: р=л—а (показан на 6.7, а)—угол опережения и Ejf,=—ЕЛ — противо-ЭДС инвертора. Подставив в уравнение регулировочной характеристики (6.2) а=я—р, получим Ed—Ed0 cos (л—р) =—Edocos$——?rfp. Зависимость Etf —Ем cos р называется регулировочной характеристикой ведомого сетью инвертора ( 6.8, б); она представляет собой симметричное отображение части характеристики 6.8, а.

Зависимость тока возбуждения /в от тока нагрузки /, показывающая, как следует изменять ток возбуждения при изменении нагрузки, чтобы напряжение было постоянным, называется регулировочной характеристикой синхронного генератора. На 13.15 показаны регулировочные характеристики для различного характера нагрузки. Чтобы исключить влияние характера нагрузки и частоты вращения генератора, эти характеристики строят при cos ф = const и и = const.

Для сохранения напряжения на зажимах генератора при изменении нагрузки необходимо изменять ток возбуждения, т. е. изменять ЭДС генератора. Зависимость тока возбуждения от тока нагрузки /в = /(/н) при постоянном номинальном напряжении на зажимах генератора и номинальной скорости вращения ротора называется регулировочной характеристикой генератора. Регулировочные характеристики синхронного генератора при различных нагрузках показаны на 6.28, б.

7. Что называется регулировочной характеристикой генератора и как она определяется для генератора с параллельным воз-

баний. При таком переходе электрон заполняет один из свободных уровней в валентной зоне и пара электрон — дырка исчезает. Этот процесс, обратный генерации, называется рекомбинацией.

Свободные электроны и дырки называются носителями зарядов, так как их направленное перемещение приводит к появлению тока в полупроводнике. Процесс появления в полупроводнике свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, вызванный нагревом полупроводника, называют термогенерацией носителей зарядов. Процесс возвращения свободных электронов из зоны проводимости в валентную зону, связанный с исчезновением носителей зарядов, называется рекомбинацией. В полупроводниковых материалах между процессами термогенерации и рекомбинации носителей зарядов устанавливается динамическое равновесие, при котором концентрация носителей зарядов, т. е. число свободных электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне на 1 см3 полупроводника, остается неизменной при постоянной температуре полупроводника.

Электроны и дырки, образовавшиеся в результате термогенерации, совершают хаотическое движение в полупроводниковом кристалле в течение некоторого времени, называемого временем жизни, после чего свободный электрон заполняет незаполненную связь, становится связанным, при этом исчезает пара носителей заряда — свободный электрон и дырка. Этот процесс называется рекомбинацией. На энергетической диаграмме 1.4 генерация электронно-дырочной пары отображена переходом 1, рекомбинация — переходом 2. Таким образом, при температуре Т Ф О К в свободной зоне оказывается некоторое количество электронов, частично заполняющих ее.

Электроны и дырки, образовавшиеся в результате термогенерации, совершают хаотическое движение в полупроводниковом кристалле в течение некоторого времени, называемого временем жизни, после чего свободный электрон заполняет незаполненную связь, становится связанным, при этом исчезает пара носителей заряда - свободный электрон и дырка. Этот процесс называется рекомбинацией. На энергетической диаграмме ( 3.4) генерация электронно-дырочной пары отображена переходом 1, рекомбинация - переходом 2. Таким образом, при температуре ТФО К в свободной зоне оказывается некоторое количество электронов, частично заполняющих ее.

После своего появления дырка, так же как и электрон, будет совершать хаотическое движение в течение некоторого времени— времени жизни, а затем она может присоединить к себе •один из свободных электронов. В результате этого исчезает пара электрон — дырка, т. е. восстанавливается ковалентная связь. Этот процесс называется рекомбинацией.

гии. Этот процесс называется рекомбинацией пар. При постоянной температуре устанавливается динамическое равновесие, определяющее концентрацию свободных электронов и дырок (при данной температуре).

2-74. Что называется рекомбинацией ионов и в чем заключается этот процесс?

2-74. По прекращении действия ионизатора ионы в газах исчезают не сразу. Количество ионов в газе с течением времени уменьшается, и в конце концов ионы исчезают вовсе. Это объясняется тем, что, участвуя в тепловом движении, ионы соударяются друг с другом. При столкновении положительный ион и электрон могут воссоединиться в нейтральный атом, а отрицательный ион может отдать свой избыточный электрон положительному иону (оба превращаются в нейтральные атомы). Этот процесс взаимной нейтрализации ионов называется рекомбинацией

Процесс образования пары «электрон проводимости — дырка проводимости» называется генерацией пары носителей заряда (1 на 16.6). Можно сказать, что собственная электропроводность полупроводника — это электропроводность, вызванная генерацией пар «электрон проводимости — дырка проводимости». Образовавшиеся электронно-дырочные пары могут исчезнуть, если дырка заполняется электроном: электрон станет несвободным и потеряет возможность перемещения, а избыточный положительный заряд иона атома окажется нейтрализованным. При этом одновременно исчезают и дырка, и электрон. Процесс воссоединения электрона и дырки называется рекомбинацией (2 на 16.6). Рекомбинацию в соответствии с зонной теорией можно рассматривать как переход электронов из зоны проводимости на свободные места в валентную зону. Отметим, что переход электронов с более высокого энергетического уровня на более низкий сопровождается высвобождением энергии, которая либо излучается в виде квантов света (фотоны), либо передается кристаллической решетке в виде тепловых колебаний (фононы).

Рекомбинация. Процесс, при котором различно заряженные частицы, приходя во взаимное соприкосновение, образуют нейтральные частицы, называется рекомбинацией.

тепловой генерацией носителей заряда. Существует и противоположный конкурирующий процесс, когда свободный электрон проводимости возвращается в незаполненную валентную связь. Этот процесс называется рекомбинацией электрона с дыркой. При заданной температуре Т осуществляется термодинамическое равновесие между тепловой генерацией и рекомбинацией носителей заряда, в результате чего в зоне проводимости устанавливается некоторая, вполне определенная концентрация свободных электронов л0, а в валентной зоне — дырок проводимости р0. Свободные носители заряда, возникающие в результате теплового возбуждения и находящиеся с решеткой полупроводника в термодинамическом равновесии, называются равновесными или тепловыми. Их концентрация отмечается индексом 0. Теория дает следующие выражения для равновесной концентрации электронов и дырок в невырожденных полупроводниках: