Называется инверсным

Величина х, = wi в выражении (2.31), единица которой Ом, называется индуктивным сопротивлением, а обратная величина ft. - 1/ыЛ, единица которой Ом'1 = См, - индуктивной проводимостью. Значения величин х, и Ь, являются параметрами индуктивных элементов цепей

Величина XL = toL в выражении (2.31), единица которой Ом, называется индуктивным сопротивлением, а обратная величина bL - 1/ы?, единица которой Ом"1 = См, - индуктивной проводимостью. Значения величин х, и Ъ, являются параметрами индуктивных элементов цепей

Величина х{ = со! в выражении (2.31), единица которой Ом, называется индуктивным сопротивлением, а обратная величина b{ = 1/wL, единица которой Ом"1 = См, - индуктивной проводимостью. Значения величин XL и bt являются параметрами индуктивных элементов цепей

12. Что называется индуктивным сопротивлением в цепях переменного тока?

2. Что называется индуктивным и емкостным сопротивлениями и от чего они зависят?

Величина ха называется индуктивным сопротивлением реакции якоря неявно-полюсной машины, которое в соответствии с соотношением (5-5) равно:

Величина xL = <*>L, имеющая размерность сопротивления, называется индуктивным сопротивлением; обратная ей величина bL=

Величина XL = toL, имеющая размерность сопротивления, называется индуктивным сопротивле-н и е м; обратная ей величина b/. — I/ML называется и н-дуктнвной проводимостью.

Произведение ю? обозначается XL, называется индуктивным сопротивлением и измеряется в омах (Ом):

Величина coL измеряется в единицах сопротивления и называется индуктивным сопротивлением цепи. Индуктивное сопротивление XL= a>L = 2nfL пропорционально частоте.

Произведение coL называется индуктивным сопротивлением, имеет размерность сопротивления, измеряется в омах и обозначается XL:

ми, называется инверсным споем. Его удельная проводимость и толщина возрастают с увеличением абсолютного значения напряжения t/2. В. Контактные явления на границе диэлектрика и полупроводника. Различные вещества имеют различную работу выхода электронов, т. е. наименьшую энергию, необходимую для вывода одного электрона из вещества в вакуум. Этот процесс количественно определяется значением потенциала выхода у, равного отношению работы выхода к заряду электрона.

Эмиттерный переход обычно смещается в прямом направлении, а коллекторный — в обратном (нормальное или прямое включение транзистора). Если эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный — в прямом, то такое включение биполярного транзистора называется инверсным или обратным.

ми, называется инверсным слоем. Его удельная проводимость и толщина возрастают с увеличением абсолютного значения напряжения ?/2. В. Контактные явления на границе диэлектрика и полупроводника. Различные вещества имеют различную работу выхода электронов, т. е. наименьшую энергию, необходимую для вывода одного электрона из вещества в вакуум. Этот процесс количественно определяется значением потенциала выхода <л равного отношению работы выхода к заряду электрона.

ми, называется \инверсным слоем. Его удельная проводимость и толщина возрастают! с увеличением абсолютного значения напряжения U2.

В симметричном переходе концентрации свободных носителей заряда выравниваются в плоскости раздела р- и л-областей ( 2.17, а). В несимметричном переходе плоскость, в которой происходит выравнивание концентраций, не совпадает с плоскостью раздела областей, а сдвинута по отношению к ней в менее легированную область (в р-об-ласть на 2.17, б). С этой точки зрения различают металлургический (плоскость /) и физический (плоскость 2) переходы. Слой между плоскостями / и 2 имеет измененный тип электропроводности по отношению к исходному, до осуществления контакта между областями, и называется инверсным. В дальнейшем для простоты будем рассматривать симметричный резкий переход. При этом каждую из областей будем считать достаточно протяженной, чтобы можно было не учитывать краевые эффекты.

Из приведенных рассуждений видно, что при трех применяемых комбинациях входных сигналов, состояние на Вых 1 всегда противоположно состоянию на Вых 2, т. е. Вых 1 = = Вых 2. Триггер, как известно, имеет два состояния устойчивого равновесия, которые принято сопоставлять с двумя значениями логической переменной. Состояние Вых 1 = 1, Вых 2 = 0 считается соответствующим логической единице, а состояние Вых 1 = 0, Вых 2=1 — соответствующим логическому нулю. Выход, на котором состояние совпадает со значением логической переменной, называется прямым или единичным (Вых 1) и обозначается Q. Другой выход называется инверсным или нулевым и обозначается Q.

жение на эмиттерах и уменьшается коллекторный ток опорного транзистора (/копС/э). Следовательно, ток /э переключается в цепь входного транзистора, напряжение на выходе / понижается до уровня U°, а на выходе 2 повышается_до уровня (Я. Выход 1, на котором появляется логический сигнал А, называется инверсным, а выход 2— прямым. Таким образом, для переключения тока /э между двумя коллекторными цепями переключателя тока достаточно изменить входное напряжение на 26?/ = 4,6 фт « 0,12 В относительно среднего уровня С/вх = t'on-

включение называется инверсным) так как резко снизятся коэффициенты а и р.

Наиболее универсальными являются усилители напряжения с двумя входами и одним выходом. Схемы ОУ очень сложные и содержат не менее трех каскадов. Графическое изображение ОУ приведено на 13.16. Вход усилителя, изменение фазы напряжения на котором приводит к такому же изменению фазы напряжения на выходе, называется прямым и обозначается «1», другой вход называется инверсным и обозначается «О».

называется инверсным коэффициентом передачи коллекторного тока. Как правило, а/ < а.

Следует отметить, что транзистор является обратимым прибором, т. е. эмиттер и коллектор транзистора можно поменять местами. Такое включение, когда коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — коллектора, называется инверсным. Параметры большинства транзисторов в инверсном режиме несколько изменяются, что связано с различными площадями эмиттерного и коллек-торногв переходов ( 4.8, а). Например, коэффициент передачи тока в инверсном включении «I обычно меньше а в нормальном режиме.