Называется эмиттерным

Подстанцией называется электроустановка, служащая для преобразования и распределения электроэнергии и состоящая из трансформаторов или других преобразователей электроэнергии, распределительных устройств, устройств управления и вспомогательных сооружений. В зависимости от преобладания той или иной функции подстанции они называются трансформаторными или преобразовательными. Будем говорить о трансформаторных подстанциях ( 10).

Назначение и классификация подстанций. Подстанцией называется электроустановка, состоящая из трансформаторов или других преобразователей энергии, распределительных устройств на-

ройств управления, защиты и сигнализации. РУ — распределительным устройством называется электроустановка, служащая для приема и распределения электроэнергии.

Подстанцией называется электроустановка, служащая для преобразования и распределения электроэнергии и состоящая из трансформаторов или других преобразователей электроэнергии, распределительных устройств (РУ) и при необходимости вспомогательных устройств (аккумуляторных батарей или других источников питания вторичных цепей, конденсаторных батарей, помещения управления, компрессорной станции для получения сжатого воздуха, бытовых помещений и т. д.). Наиболее характерными для промышленных предприятий являются трансформаторные подстанции.

Пункты приема электроэнергии. Пунктом приема электроэнергии называется электроустановка, служащая для приема электро-

Определения, общие требования. Распределительным устройством (РУ) называется электроустановка, служащая для приема и распределения электроэнергии

Распределительным устройством (РУ) называется электроустановка, служащая для приема и распределения электроэнергии и содержащая коммутационные аппараты, сборные и соединительные шины, вспомогательные устройства (компрессорные, аккумуляторные и др.), а также устройства защиты, автоматики и измерительные приборы.

Подстанцией называется электроустановка, служащая для преобразования и распределения электроэнергии и состоящая из трансформаторов или других преобразователей энергии, РУ, устройств управления и вспомогательных сооружений.

10. Глубоким вводом называется система электроснабжения с приближением высшего напряжения к электроустановкам потребителей с минимальным количеством ступеней промежуточной трансформации и аппаратов.

14. Приемным пунктом (или пунктом приема) электроэнергии называется электроустановка, на которую поступает электроэнергия на предприятие от внешнего источника питания. В зависимости от потребляемой мощности и от удаленности от источника питания приемными пунктами электроэнергии могут быть' УРП, ГПП, ПГВ, ЦРП, РП, ТП.

Распределительным устройством (РУ) называется электроустановка, служащая для приема и распределения электроэнергии и содержащая коммутационные аппараты, устройства автоматики, защиты, измерительные приборы, соединительные, сборные шины

Осветительной установкой называется электроустановка, состоящая из источника света вместе с арматурой и пуско-регулирующей аппаратурой.

и коллектором. Переход, который образуется на границе областей эмиттер — база, называется эмиттерным, а на границе база — коллектор — коллекторным.

Наиболее сильно легированный крайний слой транзистора (п + -типа) называют эмиттером, другой крайний слой (п-типа)— коллектором, а средний слой (р-типа)— базой. Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным переходом, а />-и-переход между коллектором и базой — коллекторным переходом.

При использовании транзистора в качестве усилительного элемента один из его переходов смещается в прямом направлении,а второй — в обратном. Переход, работающий в прямом направлении, называется эмиттерным, а соответствующий ему крайний слой полупроводниковой структуры - эмиттером. В этом названии подчеркивается основное назначение данного слоя - эмиссия основных носителей заряда. Переход, смещенный в обратном направлении, называется коллекторным, а соответствующий ему крайний слой — коллектором, функции которого заключаются в собирании основных носителей заряда. При ранее принятых допущениях переходы транзисторов можно считать обратимыми (взаимно заменяемыми). Пластинка полупроводника, образующая средний слой, носит название базы.

В схеме с ОК ( 35, в) общим электродом для входной и выходной цепи является коллектор. Входными величинами являются ток базы /б и напряжение t/бк, а выходными — ток эмиттера /э и напряжение U3K- Схема с ОК называется эмиттерным повторителем и имеет высокое входное (>200 кОм) и низкое выходное (<10 кОм) сопротивления. Эта схема не дает усиления по напряжению. Схему с ОК используют во входных каскадах усилителей для согласования двух каскадов усилителя, из которых предыдущий имеет высокое выходное, а последующий, обычно выходной каскад, — малое входное сопротивление. Другие особенности всех трех схем включения будут изложены в дальнейшем.

При работе транзистора по схеме с общим коллектором нагрузочный резистор lR3 включается в цепь эмиттера. В цепи коллектора резистор #к отсутствует ( 47). Как уже отмечалось, такая схема называется эмиттерным повторителем и использует-

Электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора называется эмиттерным переходом, а между базовой и коллекторной областями — коллекторным переходом.

Тиристор представляет собой четырехслойную структуру ( 6.1, а). Резистор R служит для ограничения тока в открытом состоянии тиристора. Верхний слой р\ называется эмиттером, поэтому первый сверху р-п переход называется эмиттерным. Второй переход называется коллекторным, а третий — эмиттерным. Второй и третий слои сверху называются базовыми областями, а нижний слой — эмиттером. Верхний вывод, к которому прямой ток течет из внешней электрической цепи, называется анодным (А), нижний вывод — катодным (К).

При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на 17.1 транзистор в виде структурной схемы показан на 17.2, а. Он имеет структуру р-п-р. На 17.2,6 показан транзистор с другим чередованием областей (п-р-н), на 17.2, в, г — соответствующие структурной схеме условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. Так как транзистор — симметричная структура, то любая крайняя область могла бы быть как эмиттером, так и коллектором. Однако в реальных конструкциях исходя из обеспечения лучшей работы транзистора область коллектора делается большей по размерам, чем область эмиттера. Из тех же соображений активная толщина базы w делается небольшой (меньше диффузионной длины неосновных носителей). Выводы от каждой из областей называются так же, как и области: эмиттерный, базовый, коллекторный. Переход эмиттер — база называется эмиттерным, коллектор — база — коллекторным. Назначение эмиттера — инжекция (вспрыскивание) в область базы не основных для нее носителей заряда, для чего область эмиттера выполняют более насыщенной основными носителями (более низкоомной), чем область базы. Назначение коллектора - экстракция (втягивание) носителей из базы, в которой различают три области: активную (между эмиттером и коллектором, через нее приходят носители заряда в активном режиме работы транзистора), пассивную (между эмиттером и выводом базы) и периферическую (за выводом базы).

Как видно из временных диаграмм ( 6.8, в), потенциал эмиттера в ней повторяет изменения потенциала базы, благодаря чему схема называется эмиттерным повторителем или схемой с общим коллектором.

Электронно-дырочный переход между эмиттером и базой называется эмиттерным, между базой и коллектором — к о л л е к т о р^

При рассмотрении процессов, происходящих в транзисторе, его удобно представлять плоскостными структурными схемами. Изображенный на 1.25 транзистор в виде структурной схемы показан на 1.26, а. Он имеет структуру p-n-р. На 1.26, б показан транзистор с другим чередованием областей (n-p-п), на 1.26, в, г - соответствующие структурным схемам условные обозначения транзисторов. Разницы в принципе работы транзисторов обеих структур нет, но полярность подключения выводов к источнику питания противоположная. Так как транзистор - симметричная структура, то любая крайняя область могла бы быть как эмиттером, так и коллектором. Однако в реальных конструкциях исходя из обеспечения лучшей работы транзистора область коллектора делается большей по размерам, чем область эмиттера. Из тех же соображений активная толщина базы со делается небольшой (меньше диффузионной длины неосновных носителей). Выводы от каждой из областей называются так же, как и области: эмиттерный, базовый, коллекторный. Переход эмиттер-база называется эмиттерным, коллектор-база - коллекторным. Назначение эмиттера -инжекция (вспрыскивание) в область базы не основных для нее носителей заряда, для чего область эмиттера выполняют более насыщенной основными носителями (более низкоомной), чем область базы. Назначение коллектора - экстракция (втягивание) носителей из базы, в которой различают три области: активную (между эмиттером и коллектором, через нее приходят носители заряда в активном режиме работы транзистора), пассивную (между эмиттером и выводом базы) и периферическую (за выводом базы).