Навесными радиаторами

Тепловая энергия действует на ТС при колебаниях температуры окружающей среды во время осуществления ТП. Например, снижение температуры окружающей среды изменяет температуру волны припоя, что ведет к ухудшению качества пайки ячеек РЭА с навесными элементами.

печатный узел — печатная плата с навесными элементами, прошедшая этапы сборки, пайки и в случае необходимости влагоза-щиты;

Плату / с установленными на ней навесными элементами закрепляют в приспособлении, устанавливают вибратор 2 и погружают в ванну с расплавленным припоем 3 на глубину, составляющую 0,5 ... 0,7 толщины платы. После выдержки в течение 2 ... 3 с включают электромагнитный виоратор 2, колеблющийся с амплитудой 0,1 ... 0,3 мм и частотой 100 Гц. Вибращя улучшает проникновение припоя в отверстия платы. Припой 3 помещен в сэляную ванну 4, обеспечивающую его равномерный прогрев. Необходимую теь* пературу ванны поддерживают с помощью электронагревателя 5.

Не следует показывать ЭРЭ, установленные на печатной плате, если на плату есть отдельный чертеж. Достаточно объем, занимаемый навесными элементами ПП, выделить на видах штрихпунктирными линиями и пояснить их надписями «границы монтажа».

Гибридной микросхемой является ИМС, в которой пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, токопроводящие дорожки и др.) выполнены в едином технологическом цикле "на одной изолирующей подложке, а активные являются навесными, т. е. обыч-НБ1МИ дискретными транзисторами, но без своих собственных корпусов (бескорпусные элементы). Помимо различных диодов и транзисторов навесными элементами могут быть конденсаторы больших емкостей и катушки индуктивности. ' Пленочной микросхемой является ИМС, в которой не только пассивные, но и активные элементы выполнены в виде пленок. Вариантами технического исполнения пленочных ИМС являются тонкопленочные (с толщиной до 1 мкм) и толстопленочные (с

с навесными элементами; 5 — цифровой индикатор; б—элемент питания; 7—крышка отсека

стабилизаторы серии К142 типа К142 ЕН1 и ЕН2 ( IX. 18). Штриховыми линиями показано соединение микросхемы с навесными элементами. В К142ЕН опорное напряжение выделяется на резисторе R2 и термокомпенсирующем диоде Д1 после его стабилизации простейшим транзисторным стабилизатором напряжен ия на транзистор еТ5 с высокоомным транзисторным двухполюсником 77 (полевой транзистор) в качестве балластного сопротивления к стабилитрону Ctnl. Усилительный элемент выполнен в виде дифференциального усилителя на транзисторах Т6 и 77 ( VIII.18, д). Полевой транзистор Т2 является нагрузочным для транзистора 77 ( VI.7, г), на который подается связь с выхода стабилизатора (на контакт 12). Регулирующим элементом является сдвоенный составной транзистор ТЗ и Т4. Транзисторы Т8 и ТЭ используются соответственно для выключения микросхемы внешним сигналом и для ее защиты. Для микростабилизаторов стабилизирующие свойства определяют относительной нестабильностью в процентах по формуле:

Гибридные интегральные микросхемы состоят из пленочных пассивных элементов и навесных дискретных активных элементов, расположенных на общей диэлектрической подложке (из стекла или керамики). Гибридные интегральные микросхемы сочетают преимущества пленочной и полупроводниковой технологий. Резисторы и конденсаторы, выполненные методом пленочной технологии, при малой занимаемой площади имеют большие номиналы, малые температурные изменения параметров и малый разброс параметров. Навесными элементами могут быть, кроме транзисторов и диодов, полупроводниковые ИС, т. е. компоненты повышенной функциональной сложности. Плотность упаковки гибридных ИС — до 150 элемент/см3, степень интеграции — СИС. Гибридные ИС уступают полупроводниковым ИС по надежности, плотности упаковки, степени интеграции и себестоимости. Но использование навесных элементов широкой номенклатуры и гибридных ИС позволяет относительно быстро создавать электронные устройства, выполняющие достаточно сложные функции.

ЭРИ, предназначенные для установки на платы, называются навесными элементами. В ряде случаев для повышения уровня интеграции навесные элементы применяют в бескорпусном исполнении ( 1-2) или в виде пластин полупроводникового кристалла, не разделенных на отдельные элементы. Эти специальные случаи поставки элементной базы оговариваются в технических условиях применительно к технологии доработки их у потребителя.

Необходимо установить исходную терминологию. Выделим восемь основных терминов. Печатный узел (УП) — печатная плата со всеми электрически и механически подсоединенными к ней навесными элементами и всеми выполненными операциями обработки (пайка, покрытия и т.д.). Печатная плата (ПП) — листовой материал, вырезанный по определенному размеру, содержащий необходимые отверстия и рисунок, обеспечивающие в дальнейшем электрическое и механическое соединение навесных элементов. Основание печатной платы — листовой материал, вырезанный по определенному размеру и подготовленный для того, чтобы нести на себе рисунок и навесные элементы. Заготовка ПП — листовой материал с поверхностью в состоянии поставки, подлежащий разрезке по размеру оснований ПП.

где а и b — соответственно длина и ширина ПП, м; т — масса пластины с навесными элементами, кг; g — ускорение свободного падения, g = 9,8 м/с2.

Стоимость (цена) системы охлаждения — бака с трубами для трансформаторов мощностью до 1600 кВ-А или бака с навесными трубчатыми радиаторами для трансформаторов мощностью 2500—80000 кВ-А (от 10000 кВ-А и выше — с дутьем) изменяется вместе с изменением суммы потерь РХ+Р«. Удельная стоимость системы охлаждения, отнесенная к 1 кВт потерь /Сохл (руб/кВт), может быть найдена из табл. 1-12. Тогда стоимость системы охлаждения трансформатора, руб.,

21)00-6300 С трубчатыми навесными радиаторами 15,4 18,4 ~ ~

k — коэффициент, учитывающий отношение периметра поверхности излучения к поверхности гладкой части бака и приближенно равный: 1,0—для гладкого бака; 1,2—1,5—для бака с трубами и 1,5— 2,0—для бака с навесными радиаторами.

Бак с навесными радиаторами. Охлаждаемая поверхность бака с радиаторами образуется главным образом

При тепловом расчете бака с навесными радиаторами предварительно по (9-35') приближенно определяется поверхность излучения бака применительно к основным размерам бака. Затем по (9-30) рассчитывается необходимая поверхность конвекции Пк и по данным табл. 9-9 подбираются соответствующее число и размеры одинарных или двойных трубчатых радиаторов. При этом поверхность конвекции гладкого бака /7к.гл и крышки /7,ф подсчитывается для реальных размеров бака, а поверхности конвекции труб /7н,тр и коллекторов радиаторов Як.к находятся по табл. 9-9 и 9-10. Для бака овальной формы

Бак с навесными радиаторами с гнутыми трубами 9.17 м От 2500 до 10000

Бак с навесными радиаторами с гнутыми трубами с дутьем 9.6 д От 10000 до 80000

циент, учитывающий отношение излучения к поверхности гладкой части бака и приближенно равный: 1,0—для гладкого бака; 1,2—1,5—для бака с тру-, бами и 1,5—2,0—для бака с навесными радиаторами.

Бак с охлаждающими трубами. Этот тип бака в течение десятилетий широко применялся в трансформаторах мощностью до 1600 кВ-А, но в последние годы был заменен более технологичным типом бака с навесными радиаторами и прямыми трубами. Следует, однако, иметь ввиду, что коэффициент теплоотдачи стенки с трубами выше, а удельный расход материалов ниже, чем у радиатора с прямыми трубами, и поэтому возврат к типу бака с трубами при возможном совершенствовании технологии его изготовления принципиально не исключен.

Бак с навесными радиаторами. Охлаждаемая поверхность бака с радиаторами образуется главным образом развернутой поверхностью радиатора. Эта конструкция позволяет получить значительно большие поверхности охлаждения, чем конструкция трубчатого бака при одинаковых внутренних его размерах. Число радиаторов и их расположение определяются необходимой поверхностью охлаждения и необходимостью получить наименьший общий габарит бака.

При тепловом расчете бака с навесными радиаторами предварительно по (9.35а) приближенно определяется поверхность излучения бака применительно к основным размерам бака. Затем по (9.30) рассчитывается необходимая поверхность конвекции Як и по данным табл. 9.9 или 9.10 подбираются соответствующее число и размеры одинарных или двойных трубчатых радиаторов. При этом поверхности конвекции гладкого бака Я,(,Гл и крышки /7„,кр подсчитываются для реальных размеров бака, а поверхности конвекции труб /7„,тр и коллекторов радиаторов /7К,К находятся по табл. 9.9 и 9.10. Для бака овальной формы

------расчет с навесными радиаторами 440—445