Насыщения уменьшается

Параметры резисторов в базовых цепях R^ - R^ определяются из условия насыщения транзисторов по выражению

Большим быстродействием обладают схемы ТТЛШ ( 4.11), в которых используются транзисторы и диоды Шоттки. Быстродействие у них повышается благодаря отсутствию насыщения транзисторов.

Для исключения режима насыщения транзисторов необходимо ограничить входное напряжение. На границе насыщения t/вк = 0> отсюда получаем условие предотвращения режима насыщения: 1/вх= = {/*< (/к = U°> т. е. U1 <, U°, что невозможно. Следовательно, не посредственное последовательное соединение переключателей тока для полного исключения режима насыщения недопустимо и нужны дополнительные согласующие схемы, предотвращающие режим насыщения, — схемы смещения уровня.

К шинам столбца подключают управляющие транзисторы, генераторы тока и усилители считывания, как показано на 9.17. При считывании ток /„ыб. распределяясь между элементами памяти строки, течет через управляющие эмиттеры открытых транзисторов в шины столбцов. Таким образом получают большой ток считывания, обеспечивающий быстрый заряд емкостей шин столбцов и малое время считывания. Время записи мало вследствие малой, очень близкой к единице, степени насыщения транзисторов в элементах памяти.

Если условия отсечки и насыщения транзисторов в триггере выполнены, то заведомо выполнено и условие обеспечения лавинных переключений схемы. Действительно, из (6.2) следует, что ??с <: (р — — 1)7? к- Так как значения статического коэффициента усиления по току В и коэффициента усиления по переменной составляющей р различаются несущественно, то можно считать, что лавинные переключения обеспечиваются при

Нормальная работа триггера возможна только при гистерезисной зависимости выходного напряжения от входного ывых =f(e). Следовательно, необходимо, чтобы е„2 < eoi. Это неравенство обеспечивается только при достаточно малом выходном сопротивлении генератора Rr. Условия отсечки и насыщения транзисторов несимметричного триггера могут быть получены из общих условий отсечки и насыщения транзисторов (З.За) и (3.4).

транзисторов той же группы с В = fimax это условие тем более выполняется. Если при В = Smin степень насыщения транзисторов была принята минимальной (равной единице), то при В = Втах степень насыщения S = 5max/Smln. При Bmax> Brain степень насыщения S >1 и транзисторы глубоко насыщены. В этих условиях замыкание цепи обратной связи путем подключения конденсатора С, не приведет к возникновению колебаний. Изменение коллекторного тока

в точку, резистор rs и эмиттерный переход насыщенного транзистора Ti. Резистор гя небольшого сопротивления ограничивает ток коллектора при заряде времязадающего конденсатора Cj на допустимом для выбранного транзистора уровне. Аналогично конденсатор С2 заряжается через эмиттерный переход насыщенного транзистора Г2, ограничительный резистор rt и участок «коллектор — эмиттер» насыщенного транзистора T.z. По мере заряда конденсаторов зарядные токи уменьшаются. Ток коллектора каждого транзистора приближается к значению E/RH, ток базы уменьшается, стремясь к значению E/Rg. Когда ток базы снизится до /дн, условия насыщения транзисторов соблюдаться не будут, и транзистор с меньшим значением В выйдет из насыщения. Это приведет к последующему выходу из насыщения второго транзистора и возникновению лавинного процесса запирания транзисторов Т, и Т,.

Принципиальная схема автоколебательного мультивибратора на транзисторах разного типа электропроводности, в которой используются стабилизирующие свойства импульсного мостового элемента, изображена на 6.99. После включения и насыщения транзисторов времязадающая цепь мультивибратора принимает вид, показанный на 6.100, а. Считая по-прежнему Ci == С» = С; Ri — RZ = г, получим, что постоянная времени мостового элемента 6 = гс, а длительность выходного импульса, формируемого мультивибратором, т = 0,7гС. К моменту окончания формирования импульса напряжения на конденсаторах достигают максимального значения L/C тах = Е/2.

1. Изменением постоянной времени перезаряда емкостей т = RC. Емкость удобно изменять дискретно, следовательно, с помощью С целесообразно переключать диапазоны изменения частоты. Изменение R приводит к изменению глубины насыщения транзисторов, в результате может увеличиться нестабильность работы устройства из-за увеличения влияния температуры, допусков на параметры элементов мультивибратора (при увеличении R) или появятся условия для возникновения «жесткого»1; режима возбуждения (при уменьшении R).

Характерной особенностью работы симметричного мультивибратора с емкостными связями является высокая стабильность амплитуды генерируемых импульсов, высокий коэффициент использования напряжения питания, а также малое выходное сопротивление при обеспечении режима насыщения транзисторов.

По мере увеличения тока управления угол насыщения уменьшается. При его предельном значении кривая падения напряжения на нагрузке, имеющая прямоугольную форму, касается кривой напряжения сети (сплошная кривая на 2.16, в). При дальнейшем уменьшении as форма тока, а следовательно, и напряжения на нагрузке, отклоняется от прямоугольной. При as — 0 ток в нагрузке становится равен току короткого замыкания, среднее значение которого

Очевидно, что значение угла насыщения а, а следовательно, и на-'ряжение на нагрузке определяются подмагничиванием. Помереувели-ения подмагничивания угол насыщения уменьшается, что приводит ; увеличению среднего значения напряжения на нагрузке ( 3.11).

U си (0) = 0] . При этом дальнейшее увеличение t/cil приводит к слабому росту тока стока, так как одновременно растет сопротивление канала (полное перекрытие канала расширяется вглубь к истоку), а ток стока достигает значения тока насыщения /с нас- Очевидно, что при U3» = О U с„ „ас = U 3„ ото. Режим пологого участка вольт-амперной характеристики называют режимом насыщения. При f/зн > 0 расширение обедненных слоев и уменьшение сечения канала происходят под действием двух напряжений /7ЗН и ?/сн. В этом случае напряжение насыщения уменьшается и для любого значения напряжения на затворе Um может быть определено равенством

При этом вследствие насыщения уменьшается магнитная проницаемость р,, а реактивная мощность Q увеличивается.

Для более точного определения значений /0 и Р0 снимают зависимости /о, РО, cos ф0 от Ui ( 3.29). Коэффициент мощности cos фо при увеличении Ui из-за насыщения уменьшается. Потери растут примерно пропорционально квадрату напряжения; ток /0 из-за насыщения изменяется по нелинейному закону. При холостом ходе потери

При [/з > 0 расширение обедненных слоев и уменьшение сечения канала происходит под действием двух напряжений: U3 я U,, В этом случае напряжение насыщения уменьшается и для любого значения напряжения на затворе 1/3 может быть определено равенством С/сн = С/з0— U3. С уменьшением напряжения 1/с н уменьшается также ток стока насыщения /сн. В рабочем режиме используют пологие участки выходных характеристик. При больших напряжениях на стоке происходит пробой структуры. Поэтому в рабочем режиме превышение максимально допустимого напряжения стока t/cmax недопустимо.

Напряжение на коллекторе в режиме насыщения уменьшается До UKdHac.

Напряжение на коллекторе в режиме насыщения уменьшается До UKdHac.

С достаточной точностью можно считать, что основная гармоника поля под влиянием насыщения уменьшается в k^ раз (см. § 2-5). Поэтому вместо выражения (23-2) имеем

¦ С достаточной точностью можно считать, что основная гармоника поля под влиянием насыщения уменьшается в k^ раз (см. § 2-5). Поэтому вместо выражения (23-2) имеем

Из выражений (1.40) и (1.51), приведенных в первой главе, следует, что инжекционный ток насыщения уменьшается, a Ux x возрастает при увеличении уровня легирования п- и р-областей. Однако при увеличении уровня легирования возрастает вероятность появления токов утечки и туннельного тока. По этим причинам оптимальными концентрациями свободных носителей вблизи р—re-перехода являются ге=(1—5)-1017 см"3 и р=(1—2)-1018 см"3, а максимальные достигнутые при /?с=1 значения Us_ x составляют 1.03— 1.05 В. В диффузионных р—re-переходах в р-области имеется градиент концентрации акцепторов, обеспечивающий за счет тянущего поля увеличение Ьп при концентрации дырок вблизи гетерограницы 1019—1020 см~3, что должно способствовать увеличению ?/х х.

Подвижность носителей в канале уменьшается также при возрастании напряженности продольной составляющей Еу поля в канале. При этом дрейфовая скорость входит в режим насыщения. Этот эффект особенно заметен в приборах с коротким каналом и аналогичен насыщению дрейфовой скорости в объеме полупроводника, о котором упоминалось в предыдущей главе. •Однако в данном случае величина дрейфовой скорости насыщения уменьшается с ростом поперечной составляющей Ех поля в канале.