Насыщения соответствует

Насыщенному состоянию магнитопроводов при 1у = 0 соответствуют наибольшие значения тока, напряжения и мощности приемника. Для уменьшения степени насыщения сердечников необходимо пропускать по обмоткам управления размагничивающий ток /у < 0. Характеристика управления МУ с внутренней обратной связью, магнитопроводы которого имеют идеализированную прямоугольную петлю гистерезиса, приведена на 6.49.

Поскольку мгновенные значения тока на участке о,— я измениться не могут (они равны i'H= u/R), увеличение тока произойдет за счет более раннего насыщения сердечников при угле а/. Площади под кривыми Н„ и Яу останутся неизменными ( 2.14).

2.20. Магнитный усилитель (см. 2.18) подключен к синусоидальному напряжению амплитудой 150 В. Определить угол насыщения сердечников, считая сердечники идеальными, если шр= 1000; wy= 2500; woc — 900; Ra= = 24 Ом; /у= 0,01 А.

Если обмотку рабочей цепи схемы 4.3 подключить к источнику периодических импульсов постоянного тока, величина которых достаточна для насыщения сердечников, то получится второй тип 'мй-дуляторов с импульсным выходом. Действительно, до подачи сигнала на вход результирующая э. д. с. выхода будет равна нулю, поскольку потоки обоих сердечников изменятся на одинаковую величину. При подаче сигнала на вход импульс питания в обмотках &г>р будет вызывать изменение потока в одном сердечнике на величину Ф„ -г1 Фу, а в другом — на величину Ф3 — Фу и на выходе появится импульс э. д. с., амплитуда которого будет пропорциональна значению сигнала и скорости изменения потока.

Следует заметить, что если индуктивная составляющая нагрузки существенно нелинейна (обмотки записи сердечников с ППГ, пере-магничивающихся по крутому участку петли гистерезиса), то включение емкости С в схему ограничителя (см. 3-3) может приводить к значительным выбросам выходного импульса тока в момент насыщения сердечников нагрузки. Поэтому для такой нагрузки (обычно это цепи тактовых импульсов начальной установки сердечников) целесообразно использовать в качестве ограничителя либо просто резистор Як, либо нелинейный ограничитель. В качестве нелинейного ограничителя можно использовать ненасыщенный транзисторный ключ, например, показанный на

Из § 15-8 известно, что в четырехпроводной трехфазной цепи ( 16-34, б) при симметричных синусоидальных фазных э. д. с. и равномерной нагрузке с постоянными сопротивлениями ток в нейтральном проводе равен нулю (г'дг = 0). Если нагрузка будет состоять из трех одинаковых нелинейных сопротивлений, например трех катушек со стальными сердечниками, работающими с насыщением, то фазные токи будут несинусоидальны. Они, кроме основных гармоник, содержат третьи гармоники, которые, совпадая по фазе, дадут в нейтральном проводе ток, равный сумме трех фазных третьих гармоник: iN = Зг'3. На выходе схемы будет изменяющееся с тройной частотой напряжение ивых, величина которого зависит от насыщения сердечников.

Возможность неполного насыщения сердечников при работе ТТ с допустимыми погрешностями е и /;. При отсутствии насыщения сердечника ТТ вторичный ток t'B и индукция Bt изменяются в течение каждого периода примерно синусоидально. При возникновении насыщения последнее будет справедливо только в течение доли каждого полупериода изменения тока in. Насыщение наступает через определенное время прохождения тока намагничивания.

Насыщенному состоянию сердечников при /у = О соответствуют наибольшие значения тока, напряжения и мощности потребителя. Для уменьшения степени насыщения сердечников необходи-

В действительности Рак находится в пределах Рак = 0-5- Рак. макс-В обычных условиях н. с. коммутационной реакции якоря мала по сравнению с н. с. возбуждения и поэтому оказывает незначительное влияние на магнитный поток машины и режим ее работы. Однако в ряде случаев ее влияние значительно, например при коротком замыкании машины, когда ток якоря возрастает во много раз, а коммутация вследствие насыщения сердечников добавочных полюсов нарушается и становится сильно замедленной. Это влияние велико также в электромашинных усилителях (см. § 11-3), в [которых основное, или первичное, магнитное поле является слабым.

Все магнитные линии поля зазора замыкаются через сердечники машины. Большая часть магнитных линий полей пазов и часть магнитных линий полей лобовых частей также замыкаются через сердечник. Однако эти поля, а также высшие гармоники поля зазора в нормальных режимах работы машины малы по сравнению с основной гармоникой поля зазора, и степень насыщения сердечников статора и ротора определяется практически магнитным потоком этой основной гармоники.

следовательно с источником питания и включена индуктивность в виде двух катушек с сердечниками. При изменении постоянного тока управления /у на входе вследствие насыщения сердечников меняется эквивалентное индуктивное соп-ротивление. При этом происходит перераспределение переменного напряжения источника и между индуктивностью и резистором нагрузки /•„. Встречное включение обмоток управления wy относительно рабочих обмоток шр при одинаковых характеристиках сердечников исключает трансформацию напряжения питания в

ляет обычно десятые доли вольта. На семействе выходных характеристик режим насыщения соответствует левому крутому участку, на котором ток коллектора является максимально возможным для данной схемы (см. 48). Так как напряжения ?/ю, i/бэ, ^кб в режиме насыщения малы, то все три электрода насыщенного транзистора можно считать ко-роткозамкнутыми и представить их в виде эквипотенциальной точки, что соответствует замкнутому состоянию ключевого элемента.

Режим насыщения соответствует замкнутому состоянию транзистора. В этом случае транзистор имеет минимальное сопротивление постоянному току Лоткр, равное сопротивлению двух р-п-переходов, включенных в прямом направлении Лоткр= С/Кнас//Кнас, где t/кнас — остаточное напряжение на транзисторе в замкнутом состоянии.

неравновесных носителей заряда (л-типа для транзисторов со структурой п-р-п). На семействе выходных характеристик (см. 16.40) режиму насыщения соответствует участок ОВ, где ток коллектора не зависит от тока базы. Так как напряжения (УКн.1с, (/КБ, 1/Б., в режиме насыщения малы, то все три электрода насыщенного транзистора можно считать короткозамкнутыми и представлять транзистор единой эквипотенциальной точкой.

как указывалось в § 23-1, «срез» тока ( 23-7). При изменении амплитуды отключаемого тока 1т значение тока /0, соответствующее срезу, изменяется приблизительно так, как показано на 23-7. При очень малых амплитудах срез может произойти даже вблизи максимума тока, поэтому /„ растет приблизительно пропорционально 1т. Область насыщения соответствует максимальному значению /о, свойственному данному выключателю. При очень больших токах явление среза'вообще отсутствует, так как дугогасящие способности выключателя недостаточны для мгновенного разрушения сильно ионизированного дугового столба.

Режим насыщения. Этому режиму соответствуют минимальные значения UC3 и икэ. На 3.20 это характеристика при UK3 = 0. На семействе выходных характеристик режиму насыщения соответствует восходящий участок характеристик, сходящихся в граничную линию, отмеченную на 3.21 пунктиром.

смещен либо в прямом, либо в обратном направлении. В соответствии с этим различают четыре основных режима включения: транзистора. В активном режиме напряжение на эмиттерном переходе прямое, а на коллекторном — обратное. Этот основной режим включения транзистора показан на 12-2. Режим насыщения соответствует прямым напряжениям на обоих переходах. В режиме отсечки напряжения на обоих переходах обратные. И наконец, инверсный режим характеризуется прямым напряжением на коллекторном и обратным напряжением на эмиттерном переходе.

ме ОЭ. лось, режиму насыщения соответствует

смещен либо в прямом, либо в обратном направлении. В соответствии с этим различают четыре основных режима включения: транзистора. В активном режиме напряжение на эмиттерном переходе прямое, а на коллекторном — обратное. Этот основной режим включения транзистора показан на 12-2. Режим насыщения соответствует прямым напряжениям на обоих переходах. В режиме отсечки напряжения на обоих переходах обратные. И наконец, инверсный режим характеризуется прямым напряжением на коллекторном и обратным напряжением на эмиттерном переходе.

ме ОЭ. лось, режиму насыщения соответствует

Режим насыщения. Этому режиму соответствуют минимальные значения U6a и UK3. На 3.18 это характеристика при ?/кэ = 0. На семействе выходных характеристик режиму насыщения соответствует восходящий участок характеристик, сходящихся в граничную линию, отмеченную на 3.19 пунктиром.

Режим насыщения соответствует замкнутому состоянию транзистора. В этом случае транзистор имеет минимальное сопротивление постоянному току Яоткр, равное сопротивлению двух р-п-переходов, включенных в прямом направлении /?откр= UKs!iC 11Кнлс, где С/Кнас — остаточное напряжение на транзисторе в замкнутом состоянии.