Насыщения поскольку

Время обратного хода, определяемое до момента времени, когда транзистор входит в режим насыщения, определяется формулой

Напряжение насыщения определяется выражением

Крутизна в области насыщения определяется из выражения (3.12)

Определение расчетных значений коэффициента усиления и обратного тока коллектора транзистора. Согласно методике ВНИИ электроэнергетики, расчетный коэффициент усиления. 3 в режиме насыщения определяется по выражению

Степень насыщения определяется отношением

Стоковые характеристики ( 4.6) имеют крутой начальный участок /, соответствующий режиму неперекрытого канала, и пологий участок 2, соответствующий режиму перекрытого канала, или насыщения. Разделяющее эти участки напряжение насыщения t/си нас = = ^зи — ^пор не зависит от длины канала. При увеличении длины канала пропорционально снижается крутизна ВАХ на участке / и ток насыщения на участке 2. Наклон ВАХ в режиме насыщения определяется эффектом модуляции длины канала, слабее выраженным при большой длине канала. Поэтому угол наклона уменьшается, а внутреннее сопротивление /?,• увеличивается пропорционально L.

Второе отличие ВАХ транзистора с коротким каналом состоит в том, что ток и угол наклона ВАХ на участке насыщения 2 имеют большие значения. Однако из-за эффекта сильного поля рост тока при снижении длины канала происходит не пропорционально 1/L, а гораздо медленнее. То же относится и к углу наклона ВАХ. На 4.10 штриховой линией показана характеристика, построенная без учета эффекта сильного поля. Из-за очень сильной модуляции длины канала пологий участок ВАХ практически отсутствует. Наклон реальной характеристики в режиме насыщения определяется действием противоположных факторов: с одной стороны, эффекта модуляции длины канала и снижения порогового напряжения с ростом напряжения сток — исток, с другой — снижении подвижности электронов и насыщения их дрейфовой скорости.

Условием насыщения транзистора является неравенство 1б > 1бя- Ток коллектора в режиме насыщения определяется только параметрами внешней цепи:

Значение индукции насыщения определяется в поле Ня, которое принимается равным 5НС. Кривая изменения индукции при изменении напряженности внешнего магнитного поля от + Я« до —Hs и обратно называется предельной петлей гистерезиса, которая является важной характеристикой материала, на ее основе можно определить основные параметру материала — коэрцитивную силу Нс, индукцию насыщения В8, остаточную индукцию ВГ и др.

случае плотность тока дырок Jsp в (1.108) будет на много порядков больше плотности тока электронов Jsn, и поэтому обратный ток насыщения определяется параметрами п-области:

На участке // объемный заряд отсутствует и все электроны, эмитированные катодом, попадают на анод (режим насыщения). Согласно закону Столетова увеличение интенсивности светового потока будет вызывать рост тока эмиссии, поэтому сила тока насыщения будет больше при больших Ф. Значение напряжения, соответствующее началу участка насыщения, определяется конструкцией прибора и возрастает при увеличении интенсивности светового потока из-за возрастания плотности объемного заряда у поверхности фотокатода.

Полученный результат нереален, так как напряжение питания положительно. Он означает, что транзистор работает в режиме насыщения, поскольку на эмиттерном и на коллекторном переходах присутствуют прямые напряжения. Переходы включены навстречу друг другу с примерно равными напряжениями, т.е. Е/БЭ« С/БК!> поэтому суммарное напряжение UK3= ?/вых«0. Ток /к в этом случае не может

Главная особенность использования МЭТ в схемах ТТЛ состоит в том, что в любом состоянии схемы коллекторный переход МЭТ, включенного на ее входе, смещен в прямом направлении. Следовательно, отдельные транзисторы схемной модели (см. 3.7, б) находятся либо в инверсном режиме, либо в режиме насыщения в зависимости от напряжения на соответствующем эмиттере. При использовании МЭТ в схемах ТТЛ требуется снижать инверсный коэффициент передачи. В то же время для других (одноэмиттерных) транзисторов схем ТТЛ, особенно для выходных, инверсный коэффициент передачи необходимо увеличивать, чтобы обеспечивать достаточно низкое напряжение насыщения. Поскольку в МЭТ используются такие же полупроводниковые слои, что и в одноэмиттерных транзисторах, уменьшать их инверсный коэффициент передачи можно только соответствующим выбором топологии.

Применение транзисторов различных типов (р-п-р и п-р-п) позволяет построить параллельный триггер Шмитта, обладающий более высокими качественными показателями по сравнению с обычным. Одна из возможных схем таких триггеров приведена на 10.34. В исходном состоянии оба транзистора закрыты. Когда напряжение на входе превышает порог срабатывания, транзисторы открываются и переходят в режим насыщения. Поскольку в исходном состоянии оба транзистора закрыты, эта схема является достаточно экономичной.

Фототек равен разности тока основных носителей и тока насыщения, поскольку при отсутствии солнечного излучения и нагрузки оба тока равны:

Рассмотрим вначале работу блокинг-генератора без выпрямительного диода в цепи нагрузки. При включении питания начинается заряд конденсатора С, включенного в цепь базовой обмотки w6, через сопротивление R от источника питания с напряжением Е„. Когда напряжение на конденсаторе С достигнет значения, при котором отпирается транзистор VT, начинается формирование импульса. При этом за счет положительной обратной связи в базе транзистора VT формируется импульс тока базы, который вводит транзистор в насыщение. Ток базы может быть таким большим, что транзистор оказывается в состоянии глубокого насыщения. Поскольку импульс напряжения, снимаемый с базовой обмотки, приложен плюсом к базе, то конденсатор за время насыщенного состояния транзистора VT заряжается до некоторого отрицательного напряжения. Процесс заряда конденсатора показан на графиках 32.7 б. При этом сопротивление R6 в цепи базы ограничивает ток базы насыщенного транзистора VT.

Таким образом, зная эти начальные условия, ждем прихода первого отрицательного перепада тактового импульса С в момент ti. Вызванный им отрицательный перепад тока выведет транзистор VT1 из состояния насыщения, поскольку скачок отрицательного (закрывающего) базового тока пройдет через незакрытый диод VD1 и конденсатор CI. Отметим, что через закрытый диод VD2 никакой скачок тока пройти не может. Поскольку скачок закрывающего базового тока транзистору VT1

На 4.17 представлена схема трансформаторного ФИУ, которая обеспечивает управление в диапазоне скважности от 1 до 99%. Заряд входной емкости силового ключа обеспечивается в данной схеме через внутренний диод дополнительного транзистора. При этом импульсный трансформатор может работать в режиме насыщения, поскольку контур разряда входной емкости при закрытом дополнительном транзисторе отсутствует. При переключении сигнала в первичной обмотке дополнительный ключ отпирается, обеспечивая разряд входной емкости и выключение силового ключа.

При использовании a-Si:H в фотоэлектрических приборах эффективность генерации носителей и ее полевая зависимость играют существенную роль, поскольку они сильно влияют на эффективность преобразования энергии и остаточное напряжение электрофотографического приемника [121 — 124]. Измерения первичного фототока в области насыщения проливают свет на эту проблему.

На 3.5.3 показаны фотоВАХ трех мишеней a-Si : Н с различными толщинами пленки. Фотопроводник был слабо легирован бором (B2H6/SiH4 = 6 • 1015 см'3) для увеличения пробега дырок. Свет (монохроматический, X = 450 нм) сильно поглощался, следовательно, наблюдались только те дырки, которые двигались вдоль мишеней. ВАХ для каждой мишени состоят из области, ограниченной пространственным зарядом, и области насыщения. Поскольку область, ограниченная пробегом, отсутствует, пробег дырок с наступлением насыщения точно оценить нельзя. Однако наступление насыщения с увеличением d сдвигается в сторону более высоких напряжений. На ток, ограниченный пространственным

При использовании a-Si:H в фотоэлектрических приборах эффективность генерации носителей и ее полевая зависимость играют существенную роль, поскольку они сильно влияют на эффективность преобразования энергии и остаточное напряжение электрофотографического приемника [121-124]. Измерения первичного фототока в области насыщения проливают свет на эту проблему.

На 3.5.3 показаны фотоВАХ трех мишеней a-Si : Н с различными толщинами пленки. Фотопроводник был слабо легирован бором (B2H6/SiH4 = 6 • 1015 см"3) для увеличения пробега дырок. Свет (монохроматический, Л = 450 нм) сильно поглощался, следовательно, наблюдались только те дырки, которые двигались вдоль мишеней. ВАХ для каждой мишени состоят из области, ограниченной пространственным зарядом, и области насыщения. Поскольку область, ограниченная пробегом, отсутствует, пробег дырок с наступлением насыщения точно оценить нельзя. Однако наступление насыщения с увеличением d сдвигается в сторону более высоких напряжений. На ток, ограниченный пространственным