Направлен навстречуЕсли изменить направление тока обмотки на обратное и постепенно увеличивать его величину, то поле токов Я = ау///ср будет направлено противоположно направлению поля намагниченности сердечника, и в результате наложения этих полей сердечник размагничивается. При Я = Яс внутреннее поле намагниченности сердечника и поле токов обмотки взаимно компенсируются, индукция результирующего поля при этом равна нулю. Однако при В = 0 сердечник остается еще
Напряжение 1/ = иаЬ( 2.32) направлено противоположно ЭДС Е. Объясняется это тем, что напряжение имеет направление от точки с более высоким гоотен-циалом к точке с более низким, тогда как ЭДС направлена от точки с более низким потенциалом к точке с бол ее высоким, т.е. стрелка внутри источника ЭДС указывает направление возрастания потенциала внутри источника.
При прямом напряжении на диоде внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на р-п-перехо-де, так как внешнее электрическое поле при прямом включении диода направлено противоположно диффузионному полю. Поэтому высота потенциального барьера перехода уменьшается пропорционально приложенному к диоду напряжению. Пренебрегая падением напряжения на базе диода, рассмотрим диод при малых прямых токах.
иых транзисторов. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти все напряжение источника питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительно большую постоянную составляющую напряженности электрического поля. Под действием напряжения на затворе в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от истока к стоку движутся носители заряда — дырки. Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля, разгоняются этим полем, и их энергия увеличивается за счет энергии источника питания в цепи стока. Одновременно с возникновением канала и появлением в нем подвижных носителей заряда уменьшается напряжение на стоке, т. е. мгновенное значение переменной составляющей электрического поля в канале направлено противоположно постоянной составляющей. Поэтому дырки тормозятся переменным электрическим полем, отдавая ему часть своей энергии.
тельный заряд и увеличивает анодный ток лампы. Наоборот, при отрицательном потенциале сетки относительно катода дополнительное поле направлено противоположно основному и, следовательно, вызовет уменьшение анодного тока: при некотором значении отрицательного потенциала сетки анодный ток бу-дет равен нулю и лампа будет заперта. Сетка расположена ближе к катоду, чем анод, поэтому изменение потенци-ала сетки значительно силь-нее влияет на анодный ток, чем анодное напряжение.
Тиратрон отличается от газотрона наличием третьего электрода —сетки ( 4-25), при помощи которой можно управлять анодным током. При большом отрицательном потенциале сетки по отношению к катоду электрическое поле между сеткой и катодом направлено противоположно основному полю, что замедляет движение электронов и они движутся со скоростью, недостаточной для ионизации
при поступлении напряжения сигнала только на один вход, допустим на левый, с положительной мгновенной полярностью увеличивается ток транзистора Т' и переменная составляющая его эмит-терного тока i'e оказывается направленной сверху вниз. Возникающее при этом напряжение ике снижает размах (амплитуду) токов. i'c и ifc и частичного выходного напряжения u'i — —Rci'c. Однако-под действием напряжения uRe в усилении сигнала принимает участие транзистор Т", у которого изменение тока i"c направлено противоположно i'c, в результате чего выходное напряжение ы/ = = u'i—u"i становится больше.
Здесь принято, что сопротивление Л направлено противоположно скорости движения ТА «. Таким образом все режимы движения ТА должны удовлетворять этим уравнениям. Сопротивление является функцией глубины или высоты движения, скорости и угла атаки.
от чертежа к читателю; так будет направлено и магнитное поле в точке а. В точке б оно направлено противоположно, от читателя за чертеж. Формулы (87.1) и (87.2), выражающие напряженность магнитного поля элемента тока, носят название закона Био—Савара — Лапласа.
. Это значит, что вихревое электрическое поле направлено противоположно отмеченному направлению обхода контура.
Допустим теперь, что ток i уменьшается. В этом случае ослабевающее магнитное поле Н вызовет электрическое поле Е, которое будет направлено противоположно по сравнению с первым случаем ( 297, б), т. е. будет у поверхности противоположно току, а на оси — совпадать с током. В обоих случаях, и при усилении, и при ослаблении тока, вихревое электрическое поле будет на оси проводника препятствовать, а на поверхности способствовать изменениям тока, а значит, на оси проводника переменный ток будет слабее, а на поверхности сильнее.
Пусть первоначально рабочий тиристор VS открыт, а вспомогательный VSK закрыт. В это время конденсатор CK заряжается через резистор гк (полярность зарядки показана на 17.10). Подадим теперь на вспомогательный тиристор VSK отпирающий его импульс напряжения и к от системы управления СУ. Вспомогательный тиристор откроется и конденсатор начнет разряжаться через него и рабочий тиристор (контур цепи, разрядки, отмеченный на рисунке штриховой линией). При этом ток разрядки конденсатора направлен навстречу прямому току рабочего тиристора и последний выключается. После этого конденсатор перезаряжается (заряд обратной полярности) через резистор г г и открытый вспомогательный тиристор.
Для компенсации э. д. с. еа магнитный поток добавочных полюсов должен быть направлен навстречу потоку якоря.
При наклонной установке на трубопроводе рабочий конец погружаемой термопары должен быть направлен навстречу потоку и находиться в центре его.
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер) фк на границе полупроводников ( 1.1, б). Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n-типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник n-типа, точно так же как дырки из полупроводника n-типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p-n-переход неосновных носителей (так называемый дрейфовый ток /др) происходит снижение контактной разности потенциалов фк, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов фк. Появляется диффузионный ток /диф, который направлен навстречу дрейфовому току /др, т. е. возникает динамическое равновесие, при котором /ДР=/диф.
Пусть первоначально рабочий тиристор VS открыт, а вспомогательный VSK закрыт. В это время конденсатор Ск заряжается через резистор гк (полярность зарядки показана на 17.10). Подадим теперь на вспомогательный тиристор VSK отпирающий его импульс напряжения муп к от системы управления СУ. Вспомогательный тиристор откроется и конденсатор начнет разряжаться через него и рабочий тиристор (контур цепи, разрядки, отмеченный на рисунке штриховой линией). При этом ток разрядки конденсатора направлен навстречу прямому току рабочего тиристора и последний выключается. После этого конденсатор перезаряжается (заряд обратной полярности) через резистор г \ и открытый вспомогательный тиристор.
Пусть первоначально рабочий тиристор VS открыт, а вспомогательный VS закрыт. В это время конденсатор CK заряжается через резистор гк (полярность зарядки показана на 17.10). Подадим теперь на вспомогательный тиристор VSк отпирающий его импульс напряжения и от системы управления СУ. Вспомогательный тиристор откроется и конденсатор начнет разряжаться через него и рабочий тиристор (контур цепи, разрядки, отмеченный на рисунке штриховой линией). При этом ток разрядки конденсатора направлен навстречу прямому току рабочего тиристора и последний выключается. После этого конденсатор перезаряжается (заряд обратной полярности) через резистор г} и открытый вспомогательный тиристор.
пряжения является сглаживающий трансформатор Тр, а в схеме стабилизации постоянного напряжения — выпрямитель. Кроме основных рабочих обмоток у дросселя имеется управляющая обмотка У, которая питается с выхода стабилизатора постоянным током (в первой схеме для этой цели используют специальный выпрямитель), и так называемая обмотка смещения С, которая питается от независимого источника постоянного напряжения. Обмотка смещения включена таким образом, что создаваемый ею магнитный поток направлен навстречу магнитному потоку управляющей обмотки и превышает его по абсолютному значению.
троны попадут на экранирующую сетку и создадут динатронный ток Гл, направление которого показано стрелками на 1.16, а. Динвтрон-ный ток направлен навстречу анодному току /а, поэтому на анодной характеристике тетрода появляется провал (участок АВ).
По абсолютной величине ток базы /б всегда значительно меньше тока эмиттера. В этом заключается преимущество схемы ОЭ по сравнению со схемой ОБ, в которой входным является ток эмиттера. При UM = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольтамперной характеристики эмиттерного л-р-перехода. Однако при UK9 < 0 эта характеристика смещается вправо вниз, потому что появляющийся при ?/кэ < 0 тепловой ток коллектора направлен навстречу току базы /б. Этим объясняется то, что входная характеристика, соответствующая UM = — 5 б ( 3.29), пересекает ось абсцисс при (76э = 0,12 в, когда ток базы /б равен по величине и противоположен по направлению тепловому току коллектора /Kg0. Очевидно,
Число k в формулах (59) и (60) называется коэффициентом трансформации. После включения вторичной обмотки на внешнюю цепь ( 95) трансформатор окажется под нагрузкой. Ток во вторичной обмотке /2 создает магнитный поток Ф2, который по правилу Ленца направлен навстречу потоку первичной обмотки и стремится уменьшить его. Если пренебречь падением напряжения в первичной обмотке, которое очень мало (2 — 3 %), то напряжение IV будет уравновешивать только ?"i т е.
Так как /i имеет отрицательное значение, то это говорит о том, что ток направлен навстречу э. д. с. ?».
Похожие определения: Напряжение прикладываемое Напряжение пропорционально Напряжение развертки Напряжение снимаемое Напряжение совпадают Надежность срабатывания Напряжение выходного
|