Направленным движением

7.8. ПРИНЦИП РАБОТЫ НАПРАВЛЕННЫХ ПОПЕРЕЧНЫХ ЗАЩИТ

7.10. Примеры схем сетей, в которых возможно использование направленных поперечных защит

7.8. Принцип работы направленных поперечных защит . 288

12.7. ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ НАЛАДКИ НАПРАВЛЕННЫХ ПОПЕРЕЧНЫХ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ ЗАЩИТ ЛИНИИ

12.7. Общие принципы наладки направленных поперечных дифференциальных защит линий....... 434

5-7. ПРИНЦИП РАБОТЫ НАПРАВЛЕННЫХ ПОПЕРЕЧНЫХ ЗАЩИТ

5-1D. Примеры схем сетей, в которых возможно использование направленных поперечных защит.

5-7. Принцип работы направленных поперечных защит........ 309

7.8. ПРИНЦИП РАБОТЫ НАПРАВЛЕННЫХ ПОПЕРЕЧНЫХ ЗАЩИТ

7.10. Примеры схем сетей, в которых возможно использование направленных поперечных защит

7.8. Принцип работы направленных поперечных защит . 288

гут иметь один или два контакта (реле одностороннего или двустороннего действия). Первые используются в схемах направленных защит для определения знака мощности при к. з. (реле типа РБМ-171, РБМ478), вторые — в схемах направленных поперечных дифференциальных защит параллельных линий для определения

Электрическое поле в однородном диэлектрике. По сравнению с проводниками количество свободных заряженных частиц в единице объема диэлектрика очень мало. Поэтому при наличии внешнего электрического поля направленным движением свободных заряженных частиц можно пренебречь и считать, что в диэлектрике преобладают явления электростатические.

Ионными или газоразрядными называют электронные приборы, в которых используется электрический разряд в газовой среде, сопровождающийся направленным движением электронов и ионов.

Основное отличие ионных приборов от электровакуумных заключается в том, что прохождение электрического тока через разрядный промежуток ионного прибора сопровождается направленным движением положительных ионов.

Следовательно, электронная электропроводность обусловлена направленным движением электронов, обладающих энергией, соответствующей зоне проводимости, а дырочная электропроводность перемещением дырок, вызванным направленным последовательным заполнением дырок валентными электронами. Общая электропроводность полупроводника определяется суммой его электронной и дырочной электропроводностей.

ках, не имеющих дефектов в кристаллической решетке. Собственная электропроводность полупроводников вызвана разрывами ковалент-ных связей и переходом валентных электронов в зону проводимости, В таких полупроводниках число валентных электронов, ушедших в зону проводимости, равно числу дырок, образовавшихся в результате ухода валентных электронов. Поэтому ток в полупроводниках с собственной электропроводностью создается направленным движением свободных электронов и направленным перемещением дырок. Следует помнить, что направленное перемещение дырок является следствием перемещения электронов в валентной зоне, но направление дырочного тока совпадает с направлением перемещения дырок и противоположно действительному направлению перемещения свободных электронов в валентной зоне. Концентрация дырок в полупроводнике типа I равна концентрации электронов.

Таким образом, механизм прохождения тока через твердые и жидкие металлы обусловлен дрейфом (направленным движением) свободных

правленному движению электронов. Чтобы понять, как перемещаются дырки, обратимся к 9, на котором изображено несколько одних и тех же атомов кремния в различные моменты времени. Один из валентных электронов покинул атом /. В кристалле появился свободный электрон, а в атоме / возникла дырка. В следующий момент времени t2 свободный электрон будет перемещаться к положительному полюсу источника питания. Одновременно один из валентных электронов атома // переходит к: атому / и замещает там дырку. В результате дырка появляется в атоме //, в следующий момент времени она может быть замещена электроном ///, и т. д. Последовательно переходя от одного атома к другому, дырка через некоторое время t$ образуется в атоме V. Таким образом, в кристалле полупроводника имеются два типа носителей заряда — электроны и дырки. В соответствии с этим различают два типа электропроводности — электронную, или проводимость типа п (от слова negative — отрицательный), обусловленную направленным движением электронов, и: дырочную, или проводимость типа р (от слова positive — положительный), обусловленную направленным движением дырок.. Учитывая это, можно записать формулу для силы тока в химически чистом кристалле полупроводника:

Во-вторых, для дырок n-области, доходящих до области р — га-перехода, потенциальный барьер не является препятствующим, а наоборот, является ускоряющим. Поэтому дырки, попадающие в р — /г-переход из га-области, переносятся полем в р-область. Аналогично действует поле и на электроны р-области, для которых электрическое поле р — га-перехода является ускоряющим. В результате возникают электронная 1п ДР и дырочная /Р др •составляющие дрейфового тока /др, создаваемые направленным движением неосновных носителей заряда (электронов р-области и дырок «-области). Направление дрейфового тока неосновных носителей противоположно направлению диффузионного тока основных носителей. Так как в изолированном полупроводнике плотность тока должна быть равна нулю, то в итоге устанавлива-•ется динамическое равновесие, когда диффузионный и дрейфовый токи через р- — га-переход компенсируют друг друга, т. е.

Электропроводность полупроводников, как и других твердых тел, определяется направленным движением электронов под действием внешнего электрического поля. Существенные отличия электропроводности полупроводников от проводников и диэлектриков объясняется различием их энергетических диаграмм, показанных на 16.2. Здесь /зона проводимости, 2 — валентная зона, 3- запрещенная зона.

Горнопроходческий комбайн ГПК управляется системой автоматического контроля вертикального САКВ и горизонтального САКГ положения, приводами вертикального ПрВ, горизонтального ПрГ перемещения режущего органа ГПК и приводами управления направленным движением ПрД.

Электростатическое поле является разновидностью стационарного электрического поля и отличается от него тем, что элементарные заряженные частицы, обусловливающие электростатическое поле, находятся только в хаотическом движении, тогда как стационарное поле определяется направленным движением электронов, которое накладывается на хаотическое движение. В этом поле постоянство характеристик обусловливается непрерывным воспроизведением распределения зарядов в поле (равновесный процесс).