Направлении возникает

Запись и считывание дискретной информации на элементах с ТМП основаны на том (см. § 1.4), что ось легкого намагничивания в ТМП расположена в плоскости пленки и ориентирована в определенном направлении. Следовательно, магнитопленочный запоминающий элемент можно рассматривать как однодоменную область, вектор намагниченности которой при записи «1» ( + ВГ) или «О» (—Вг) имеет одно из двух антипараллельных направлений ОЛН. Если создать поле, под действием которого вектор намагниченности повернется в направлении ОТН, перпендикулярном ОЛН, то при наличии шины считывания в ней при этом возникнет э. д. е., знак которой будет различным при считывании «1» или «О».

сила света — угловая плотность светового потока, излучаемого источником света в данном направлении. Следовательно, сила света характеризуется не только значением, но и направлением. Единица силы света — кандела (кд) (устанавливается по специальному эталону);

образователя в отверстии каркаса катушки. Данное решение повышает требования к точности изготовления деталей. Кроме того, в любом случае под действием собственной массы механическая фильтрующая система / смещается в направлении, указанном на 4.8, а стрелкой А, что увеличивает площадь соприкосновения сопрягаемых деталей и, как следствие, потери. Сопряжение с использованием в зазоре эластичной трубки 4 показано на 4.8, б, эластичных колец 5 — на 4.8, в, г, изготовленных из силиконовой резины. Кольца выполняют функции эластичных опор, которые желательно помещать в узловых точках механических колебаний стержня преобразователя, что снижает потери на поверхностное трение и, следовательно, способствует повышению добротности фильтра.

При выполнении сопряжения рассматриваемых деталей фильтра необходимо решить еще один воп Очевидно, что для крепления каркаса приходится устранять возможное перемещение в осевом направлении. Следовательно, в дальнейшем требуется конструктивно обеспечить некоторое усилие F, прикладываемое к поверхности Б катушки в осевом направлении (см. 4.8, а). При этом увеличатся потери в наружном диске-резонаторе за счет его соприкосновения с каркасом по поверхности В. Учитывая изложенное, продолжают вычерчивание с целью отыскания наилучшего сопряжения каркаса катушки со стержнем и наружным диском-резонатором. На 4.9, а усилие F прикладывается через две резиновые прокладки 4 толщиной бп, одновременно выполняющие функции опор. Однако, рассматривая колебания диска-резонатора 1 с двумя узловыми окружностями ( 4.9, б), можно сделать вывод, что данное решение неоптимально. Наилучшим вариантом подвески каркаса 3 на стержень преобразователя 2 является конструкторское решение, приведенное на 4.9, в. Как следует из этого рисунка, каркас сопрягается с механической фильтрующей системой с помощью трех колец 5, два из которых устанавливают в узловых точках механических колебаний стержня преобразователя и наружного диска-резонатора. Средний диаметр dK кольца, соприкасающегося с наружным диском-резонатором, dKi=di{= =0,5(2<7—1)A,Q, где dyi — диаметр узловой окружности; К'й — длина волны механических колебаний диска-резонатора. Чем меньше площадь соприкосновения колец с деталями механической фильтрующей системы, тем выше добротность фильтра. Поэтому размеры tK (см. 4.9, б) следует выбирать минимальными или (если позволяет оборудование) выполнять кольца, которые в поперечном сечении имеют круг диаметром d'K, зависящим от амплитуды амк механических колебаний диска-резонатора и глубины канавки в каркасе.

Таким образом, можно заключить, что максимальное номинальное значение сопротивления резистора зависит от отношения длины к ширине резистивной полоски, которое в свою очередь зависит от наличия свободной площади на исходной подложке. Современные технологические методы позволяют получить резисторы с сопротивлением до 50 кОм на площади подложки 0,03—0,04 мм2. Способ увеличения номинального значения сопротивления резистора, занимающего определенную площадь на подложке, иллюстрируется 2.31. В резистивную полоску р-типа проводят диффузию примеси и-типа. Резистивная область оказывается ограниченной двумя p-n-переходами, каждый из которых должен быть смещен в обратном направлении. Следовательно, сечение проводящего слоя резистора при этом уменьшается. Диффузию примесных атомов, формирующих n-слой, удобно совмещать с диффузией, в процессе которой изготовляется эмиттерная область транзистора. Такой резистивный элемент называют пинч-резистором. Существенные недостатки пинч-резисторов связаны с большим разбросом сопротивлений, который может достигать 100%. Поэтому такие конфигурации резисторов могут применяться только в случаях, если допустимые отклонения от их номиналов не оказывают отрицательного влияния на работу схемы в целом.

Если бы концентрация электронов и дырок в эмиттере и базе была одинаковой, то указанные выше составляющие эмиттерного тока были равны. Но в транзисторе создают эмиттерную п + -область с существенно большей концентрацией электронов по сравнению с концентрацией дырок в базовой области. Это приводит к тому, что число электронов, инжектированных из эмиттера в базу, во много раз превышает число дырок, движущихся в противоположном направлении. Следовательно, почти весь ток эмиттерного перехода обусловлен электронами.

Главная особенность использования МЭТ в схемах ТТЛ состоит в том, что в любом состоянии схемы коллекторный переход МЭТ, включенного на ее входе, смещен в прямом направлении. Следовательно, отдельные транзисторы схемной модели (см. 3.7, б) находятся либо в инверсном режиме, либо в режиме насыщения в зависимости от напряжения на соответствующем эмиттере. При использовании МЭТ в схемах ТТЛ требуется снижать инверсный коэффициент передачи. В то же время для других (одноэмиттерных) транзисторов схем ТТЛ, особенно для выходных, инверсный коэффициент передачи необходимо увеличивать, чтобы обеспечивать достаточно низкое напряжение насыщения. Поскольку в МЭТ используются такие же полупроводниковые слои, что и в одноэмиттерных транзисторах, уменьшать их инверсный коэффициент передачи можно только соответствующим выбором топологии.

ства4 проходит в обратном направлении; следовательно, количество электричества, прошедшее через поперечное сечение проводника за период, и среднее за период значение тока равны нулю.

в противоположных направлениях. Но в транзисторах, как было сказано выше, концентрация носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере. Это приводит к тому, что число дырок, инжектированных из эмиттера в базу, во много раз превышает число электронов, движущихся в противоположном направлении. Следовательно, почти весь ток через эмиттерный р-п переход обусловлен дырками. Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции у, который для транзисторов типа р-п-р равен отношению дырочной составляющей эмиттерного тока к общему току эмиттера:

тельно, каждая из этих гармонических направлена в любой момент времени либо от начала обмотки к ее концу, либо в обратном направлении. Следовательно, при соединении обмоток звездой токи третьей гармонической выпадают из кривой тока холостого хода, поскольку в каждый данный момент они направлены либо все к нейтральной точке, либо от нее.

Если бы концентрация электронов и дырок в эмиттере и базе была одинаковой, то указанные выше составляющие эмиттерного тока были равны. Но в транзисторе создают эмиттерную п+ -область с существенно большей концентрацией электронов по сравнению с концентрацией дырок в базовой области. Это приводит к тому, что число электронов, инжектированных из эмиттера в базу, во много раз превышает число дырок, движущихся в противоположном направлении. Следовательно, почти весь ток эмиттерного перехода обусловлен электронами.

При повороте щеток генератора в направлении вращения и щеток двигателя против направления вращения возникает размагничивающая продольная реакция якоря. При сдвиге щеток в обратном направлении возникает подмагничивающая продольная реакция якоря. Таким образом, в зависимости от направления сдвига щеток МДС продольной реакции якоря складывается с МДС обмотки возбуждения или вычитается из нее.

Пример 177. Механическая система В.1, а образована телом массой т, опирающимся на пружину упругости s (s = \/е, где е — податливость). На тело действует внешняя сила /(<), являющаяся функцией времени t. При движении тела в вертикальном направлении возникает вязкое трение о среду. Сила вязкого трения пропорциональна скорости и перемещения тела. В схеме два узла: подвижный а и неподвижный Ь.

Если же концентрация носителей в полупроводнике неодинакова по его объему, то и при отсутствии внешнего электрического поля возникает электрический ток, связанный с тепловым движением носителей. За счет хаотического движения из области с большей концентрацией в область с меньшей концентрацией будет переходить больше носителей тока, чем в обратном направлении — возникает диффузия носителей в направлении уменьшения концентрации. Такой ток называется диффузионным.

Механическая система В.1, а образована телом массой т, опирающимся на пружину упругости S(S=l/e, где е—податливость). На тело действует внешняя сила f(t), являющаяся функцией времени /. При движении тела в вертикальном направлении возникает вязкое трение о среду. Сила вязкого трения пропорциональна скорости v перемещения тела. В схеме всего два узла: подвижный а и неподвижный Ъ.

Как следует из 5-4, при повороте щеток генератора в направлении, вращения и щеток двигателя против направления вращения возникает размагничивающая продольная реакция якоря, вызывающая уменьшение потока полюсов. При сдвиге щеток в обратном направлении возникает намагничивающая продольная реакция якоря, вызывающая увеличение потока полюсов.

Как следует из 5-4, при повороте щеток генератора в направлении вращения и щеток двигателя против направления вращения возникает размагничивающая продольная реакция якоря, вызывающая уменьшение потока полюсов. При сдвиге щеток в обратном направлении возникает намагничивающая продольная реакция якоря, вызывающая увеличение потока полю-соз.

Коммутация, необходимая для обеспечения требуемого потока энергии в желаемом направлении, возникает в преобразователе с естественной коммутацией вследствие изменения междуфазного напряжения. При использовании таких преобразователей для связи систем переменного и постоянного тока напряжение в системе переменного тока должно поддерживаться генераторами достаточной мощности. Если обе соединяемые системы являются системами переменного тока, то в зависимости от конкретных условий может оказаться достаточным, чтобы генераторы были только в одной системе. В других случаях генераторы могут быть в обеих системах переменного тока.

Пробой керамического материала в полях высокой напряженности может происходить путем так называемого электрического или теплового пробоя. Электрический пробой имеет электронную природу. Благодаря большой скорости движения электронов создается электронная лавина, в результате чего в каком-то направлении возникает возможность сквозной проводимости и материал (или изделие) теряет электроизолирующую способность. Тепловой пробой — результат резкого повышения температуры, сопровождающегося локальным проплавлением керамики под влиянием увеличения проводимости и вследствие повышенных диэлектрических потерь.

Для определения концентрации носителей заряда существует несколько методов. Наиболее широкое распространение получил метод, основанный на эффекте Холла. Если через образец в форме прямоугольного параллелепипеда ( 41), помещенный в магнитное поле Я, пропустить ток / таким образом, чтобы направления Я и / были взаимно. перпендикулярны, то перпендикулярно направлениям Я и / в третьем направлении возникает электрическое поле ?х (э.д.с. Холла).

Если по образцу, помещенному в магнитное поле, пропускать электрический ток j Xf, то в перпендикулярном току и магнитному полю направлении возникает градиент