Направлении поскольку

При смещении щеток с геометрической нейтрали в направлении, показанном на 14-12, а, продольная м. д. с. Fad реак-

При подаче напряжения высокого уровня, например, на шину Ф, в приповерхностных областях полупроводниковой подложки под затворами, соединенными с этой шиной (первым, четвертым и т. д.), возникают потенциальные ямы для электронов. Электрический сигнал в ПЗС представлен не током или напряжением, как в микросхемах на транзисторах, а зарядом — зарядовым пакетом. Принцип действия ПЗС основан на накоплении и хранении зарядовых пакетов в потенциальных ямах под затворами и на перемещении зарядовых пакетов между соседними элементами при изменении управляющих напряжений — тактовых импульсов. Взаимодействие соседних элементов осуществляется с помощью переноса зарядовых пакетов в полупроводниковой подложке в направлении, показанном стрелкой на 11.1, а. Это взаимодействие называют зарядовой связью, что отражено в названии прибора. Для того чтобы между соседними элементами обеспечивалась эффективная зарядовая связь, расстояния между затворами должны быть достаточно малыми по сравнению с толщиной обедненных слоев под затворами. Благодаря непосредственной зарядовой связи между соседними элементами в ПЗС не нужны сигнальные провод-пики, необходимые в интегральных микросхемах, содержащих транзисторы. На поверхности большей части кристалла располагаются только управляющие шины, а сигнальные проводники используются лишь на входах и выходах ПЗС.

грузку R в направлении, показанном сплошными стрелками. Вентиль В2 в это время находится под обратным напряжением и тока не пропускает.

В следующий полупериод, когда потенциал точки б становится положительным, а потенциал точки а — отрицательным, ток течет через вентиль В2 и нагрузку R в направлении, показанном пунктирными стрелками. Вентиль В1 в это время закрыт, так как находится под обратным напряжением.

Смазанная и нагретая ронделль 3 помещается в матрицу 4 (этап а). Затем при ударе пуансона / в направлении, показанном стрелкой, цинк вследствие .пластичности начинает «течь» и приобретает фор!му стакана 5 (этап б). При последующем движении пуансона вверх цинковый стакан упирается в съемник 2 и снимается с пуансона (этап в).

В первый полупериод синусоидального напряжения, когда полярность напряжения трансформатора совпадает с указанной на 5.4, а, вентиль В\ имеет на аноде положительное напряжение относительно катода, соединенного через нагрузку со средней точкой вторичной обмотки. —На аноде вентиля^тштряже -ние отрицательно. Ток проте-—Ka4T-Ji€p€3 «штиль В\ н нагрузку в направлении, показанном сплошными стрелками.

Форма кривой напряжения вторичной обмотки трансформатора показана на 5.5, б. При положительной полуволне синусоиды напряжения и2 ток протекает через вентиль В\, сопротивление нагрузки RH и вентиль В3 в направлении, показанном сплошными стрелками. Вентили В2 и В$ в этот момент тока не пропускают и находятся под обратным напряжением. Во второй полупериод, когда потенциал верхнего конца обмотки становится отрицательным, а потенциал нижнего — положительным, ток протекает через вентиль В2, сопротивление нагрузки ./?„ и вентиль 54 в направлении, указанном пунктирными стрелками. Вентили В\ и 5з в этот полупериод тока «е пропускают. Из рассмотрения схемы видно, что

Переходный процесс изменения тока в секциях при переключении их из одной параллельной ветви обмотки якоря в другую называется коммутацией тока якоря. На 64-26 в стадии коммутации находится секция, показанная более толстыми линиями. При вращении в направлении, показанном стрелкой, секция из левой параллельной ветви, где ее ток i = «'„, переходит в правую параллельную ветвь, где ее ток i = — /я (за положительное направление тока в секции принято направление «к нам»). Коммутация тока в секции происходит весьма быстро. П ер и од коммутации, т. е. время, в течение которого секция замкнута накоротко щеткой, зависит от ширины щетки Ьщ и от окружной скорости на контактной поверхности коллектора VK: Тк = bm/vK. Учитывая, что VK — RkQ — KbKQ/2n, где К — число коллекторных пластин; Ьк — ширина коллекторного деления, получаем:

Теперь предположим, что под верхней парой полюсов зазор стал несколько больше, чем под нижней парой полюсов, вследствие чего э. д. с., наводимые в верхней и нижней парах ветвей, стали неодинаковыми, например, в верхней паре ветвей ЕаЛ = 99 в, а в нижней Еаг = 101 в. В этих условиях отрицательные щетки останутся равнопотенциальными, а между верхней и нижней положительными щетками возникнет разностная э. д. с., равная 101—99—2 в. Такая э. д. с. вызовет уравнительный ток, который потечет по обмотке якоря в направлении, показанном на 3-59, б стрелками во внутренней полости якоря, и замкнется через положительные щетки и соединительную шину между ними. Пусть сопротивление одной параллельной ветви обмотки якоря га = 0,01 ом; тогда сопротивление каждой половины обмотки якоря, по которой течет уравнительный ток, равно 2га = 0,02 ом; следовательно, по каждой такой половине обмотки течет уравнительный ток /у —

В многофазном индукторе можно представить распределение тока в виде синусоидальной волны, непрерывно перемещающейся вдоль его поверхности в направлении, показанном оперенной стрелкой ( 20). В идеализированной системе магнитные силовые линии наклонены в сторону, противоположную движению поля, и перемещаются в том же направлении и с той же скоростью, что и волна Ли. Средние за период ЭМС в этом случае наклонены к поверхности под углом фр = фф, где 1//ф — угол наклона плоскостей одинаковой фазы. Такое поле сил всегда имеет вихревой характер, причем завихренность его определяется толь-

Движение подшипников в направлении оси движения цапфы ( 85, а) обычно задается в виде колебаний, но может быть задано и непрерывное движение опоры. На 85, б показана схема опоры с непрерывным движением подшипника. При вращении роликов 1 в направлении, показанном стрелкой, ось 2

Основной схемой включения биполярного транзистора является схема с общим эмиттером (ОЭ). На 2.15 приведена схема ОЭ для нормального включения «-^-«-транзистора. Напряжение [7бэ смещает эмиттерный переход в прямом направлении. Поскольку напряжение ?/6э значительно меньше, чем напряжение икэ(и5э <0,7 В, а [/„ обычно составляет единицы или десятки вольт), то коллекторный переход оказывается смещенным в обратном направлении, т. е. имеется нормальное включение транзистора.

Поскольку концентрация дырок в полупроводнике р-типа много больше, чем в полупроводнике /г-типа, и, напротив, в полупроводнике «-типа высока концентрация электронов, то на границе раздела полупроводников различной электропроводности создается перепад (градиент) концентрации дырок и электронов. Это вызывает диффузионное перемещение дырок из р-области в re-область и электронов в противоположном направлении. Плотности дырочной и электронной составляющих диффузионного тока при этом соответственно /рДИф и /Пдиф-

В результате ухода дырок из приконтактной области р-типа и электронов из приконтактной области /г-типа на этих участках образуется обедненный от подвижных носителей заряда слой и появляется нескомпенсированный отрицательный заряд за счет ионов акцепторной примеси (в приконтактной области р-типа) и положительный заряд за счет ионов донорной примеси (в приконтактной области /г-типа). На 1.5, а обедненный слой отмечен кружочками со знаками «—» и « + », обозначающими отрицательные и положительные ионы соответственно акцепторной и донорной примеси. Таким образом, обедненный слой представляет собой область полупроводника с определенной плотностью объемного заряда, наличие которого приводит к образованию электрического поля (на 1.5, а направление напряженности этого поля показано вектором Е). Это поле препятствует дальнейшему диффузионному перемещению дырок из полупроводника р-типа в полупроводник /г-типа и электронов в противоположном направлении. Поскольку обедненный слой обладает незначительной электропровод-

В эпитаксиалЬно-планарном транзисторе боковые поверхности // изолирующего р-п перехода являются границей коллекторной области 2 n-типа и изолирующей области 4 р+-типа, а нижняя поверхность 12 — — границей области 2 и скрытого слоя 3 с подложкой. К подложке в периферийной части кристалла микросхемы создают омический контакт (на рисунке не показан). При использовании микросхемы на этот контакт подают напряжение, при котором изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении. Поскольку обратный ток изолирующего перехода мал, обеспечивается удовлетворительная изоляция транзистора от подложки и других элементов кристалла микросхемы. Области, окруженные со всех сторон изолирующим переходом, называют карманами. В них размещают не только биполярные транзисторы, но и другие элементы микросхемы. Обычно в каждом кармане формируют один элемент, но в некоторых случаях размещают несколько например, биполярных транзисторов, у которых согласно принципиальной электрической схеме соединены коллекторы.

занном на рисунке направлении. Поскольку потоки ФС? и Ф1н неодинаковы и сдвинуты во времени и в пространстве на небольшие углы, вращающееся поле статора получается не круговым, а эллиптическим. Однако, несмотря на это, двигатель обладает достаточно большим пусковым моментом Мп = (0,2 н- 0,5)УИ„. Неблагоприятное влияние на пусковые свойства экранированного двигателя оказывает третья пространственная гармоническая вращающегося поля, которая вызывает значительное уменьшение момента при

(управляющим является коллекторный переход). К базам и коллекторам ключей через трансформаторы поочередно подается напряжение прямоугольной формы от распределителя, т.е. ключи замыкаются (делаются проводящими) последовательно во времени, так как npit отрицательном потенциале на базах транзисторов относительно коллекторов ключ оказывается замкнутым и каждый из эмиттеров может проводить ток в любом направлении. Поскольку с одной стороны на ключи подается от. датчиков преобразуемое напряжение Ux\,...,Uxn, ас другой — эталонное напряжение (/эт, в зависимости от значения напряжений Ux, U3r ток через обмотку трансформатора 7"рвых может проходить от (/„ к Ux, т. е. от точки / к точке 2, либо наоборот. При этом изменяется фаза выходного сигнала, что позволяет определить моменты равенства напряжений Ux, ?Л,т и проанализировать знак управляющего напряжения компаратора, поступающего на усилитель.

Откосы воронки будут наиболее крутыми, когда приведенная ЛНС близка к оптимальной (эффект выброса). Поэтому профилактическое выполаживание бортов может быть достигнуто изменением dnp в нужном направлении. Поскольку после взрыва на выброс трудно контролировать неустойчивые борта, необходимо тщательно исследовать породы и определять безопасные углы откоса перед ядерными взрывами.

Когда один или несколько входов соединены с общей шиной — непосредственно или через выходной транзистор предыдущего каскада, соответствующий эмиттерный переход транзистора VT1 окажется смещен в прямом направлении, поскольку потенциал базы выше потенциала

ромагнитных и сейсмических сигналов, кроме того, он применил метод регистрации совпадений на двух детекторах, причем один находился в университете Мэриленда, другой — в Аргоннской национальной лаборатории близ Чикаго, оба были удалены друг от друга на расстояние 1000 км. Это было сделано для того, чтобы минимизировать влияние локальных шумов на каждый де~ тектор. Через десять лет после начала своих исследований Ве-бер опубликовал серию статей, в которых он доложил об одновременном наблюдении импульсных сигналов на обоих детекторах [26, 27]. Он приписал их воздействию гравитационного излучения, генерируемого внеземным источником. Он также обнаружил, что частота появления импульсов изменяется в зависимости от времени суток. В течение нескольких месяцев он регистрировал частоту появления событий в зависимости от звездного времени (это время измеряется относительно неподвижных звезд и отличается от солнечного примерно на 4 мин в день) и обнаружил пики с 12-часовым интервалом. Наличие таких пиков можно объяснить, учитывая направленность отклика детектора. Он максимален, когда сигнал приходит со стороны боковой поверхности детектора, и минимален, когда сигнал приходит в аксиальном направлении. Поскольку детекторы (их оси в экспериментах Вебера были ориентированы в направлении запад — восток) вращаются вместе с Землей, которая прозрачна для гравитационного излучения, 12-часовая периодичность в-их откликах могла бы возникнуть, если бы существовало выделенное направление прихода излучения. Согласно Веберу, он наблюдал сигналы, приходящие из центра Галактики или, возможно, из противоположного направления, в котором, кстати,, расположена Крабовидная туманность.

Однако из-за малой толщины прослоек, не превышающей обычно десятой доли микрометра часть тока ответвляется и проходит через барьеры. Для этого тока барьер с одной стороны микрокристаллита включен в запирающем, а с другой — в пропускном направлении. Поскольку размеры микрокристаллитов малы (порядка 1 мкм) по сравнению с длиной диффузионного смещения, то такая структура действует подобно транзисторной: в ней может наблюдаться большое усиление тока неосновных носителей. Если размеры возникающих областей объемного заряда меньше областей п- и р-типа проводимостей, то в этом случае весь фоторезистор может рассматриваться как супермногослойная транзисторная структура [109]. Однако обычно одна или обе области имеют размеры меньше ширины слоя объемного заряда. В данном случае ОПЗ не может сформироваться до величины, определяемой контактной разностью потенциалов.

Схема включения полевого транзистора с р—«-переходом иллюстрируется 4А,а. Транзистор состоит из полупроводникового бруска с омическими контактами на концах и р—«-переходом на боковой грани. Боковой р—«-переход, называемый затвором, включается в обратном направлении. Поскольку р—«-переход несимметричный