Направлении магнитного

На 3.19, а, б приведены модель и энергетическая диаграмма биполярного я+-р-м-транзистора. При рассмотрении биполярных транзисторов всегда будем иметь в виду транзистор типа п+-р-п. При нормальном включении транзистора эмиттерный переход смещается в прямом направлении, коллекторный—в обратном. Прямосмещенный эмиттерный переход имеет небольшое со-

и его эмиттерные переходы смещаются в обратном направлении. Ток г'ь протекающий от источника -\-Е через резистор R1, проходит через смещенный в прямом направлении коллекторный переход и далее в базу транзистора Т2, насыщая его. Поэтому при наличии на всех входах логического элемента сигнала 1 транзистор насыщен, т. е. на его выходе будет сигнал 0.

В связи с этим напряжение на приборе оказывается приложенным практически ко второму переходу, через который проходит ток /к. Представим конструкцию тиристора в виде двух условных транзисторов. Один транзистор р1-/11-р2-структуры, другой П[-р2-П2- структуры ( 6.1, б,в). Эмиттерным переходом для первого транзистора является первый переход, а для второго транзистора—третий переход. Второй переход служит общим коллекторным переходом обоих транзисторов. При этом полярность напряжений на переходах соответствует той, которая требуется для работы обоих транзисторов в усилительном режиме: эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, коллекторный — в обратном.

транзисторах переход Я2 является коллекторным, а переходы HI и П3 — эмиттерными соответственно для р-п-р и n-p-п транзисторов. На участке / ВАХ 1.13, а эмит-терный переход П\ смещен в прямом направлении, коллекторный Я2 — в обратном, поэтому p-n-р транзистор работает в режиме, рассмотренном в § 1.4, распределение токов описывается (1.2). Через прямой переход П\ из эмиттера /?1вбазу HI диффундируют дырки, часть которых (1 — ар)/а рекомбинирует в базе, а другая часть а„/а втягивается полем перехода Я2 и попадает в коллектор рг. Распределение указанной дырочной составляющей тока показано на 1.14, а. В аналогичном режиме работает и второй транзистор. Эмиттерный переход Я3 n-p-п транзистора также смещен в прямом направлении, а коллекторный Пч — в обратном. Через эмиттерный переход Я3 проходит суммарный ток /а+/у (где /у — ток управляющего электрода). Часть электронов, обусловленных этим током, рекомбинирует в базе (слой р2) (1 — <хп) (/а + /у), остальные электроны доходят до коллекторного перехода Я2, захватываются его полем и попадают в коллектор (слой MI). Эта электронная составляющая тока показана в нижней части структуры на 1.14, а. Кроме этих транзисторных составляющих тока коллекторного перехода Я2, обусловленных токами эмиттерных переходов П\ и Яз, через переход Я2 протекает ток неосновных носителей, имеющихся в слоях п\ и pz, /кво=/кор + /коп- Из 1.14, а легко заключить, что /а=/к> где /к — полный ток через переход Я2, т. е. суммарный коллекторный ток обоих транзисторов

Решение. При 0 < ывх < Е эмиттерный р-я-переход транзистора смещен в прямом направлении, коллекторный — в обратном. Транзистор работает в активном режиме, каскад является эмиттерным повторителем. Используя Т-образную схему замещения транзистора, эквивалентную схему каскада можно привести к виду, показанному на 3.35. Согласно рисунку

тенциального барьера эмиттер — база уменьшилась. Поток дырок, следовательно, увеличился. Если в течение половины периода дырки успеют пройти только часть расстояния от" эмиттера до коллектора, то кривая изменения концентрации дырок в базе достигнет максимума где-то в середине базы, так как в этот момент барьер эмиттер — база увеличится и число инжектируемых дырок значительно уменьшится. Вследствие этого в базе наряду с диффузионным движением дырок в прямом направлении возникнет диффузионное движение дырок в обратном направлении. Коллекторный ток уменьшится, а следовательно, упадет и коэффициент а. Инерционность процессов в базе приводит также к фазовому сдвигу между токами /эр и 1Кр, и, следовательно, коэффициент а становится комплексной величиной.

то происходит нормальное запирание, при котором сначала смещается в обратном направлении коллекторный переход, а затем эмиттер-ный. При этом время рассасывания

тенциального барьера эмиттер — база уменьшилась. Поток дырок, следовательно, увеличился. Если в течение половины периода дырки успеют пройти только часть расстояния от" эмиттера до коллектора, то кривая изменения концентрации дырок в базе достигнет максимума где-то в середине базы, так как в этот момент барьер эмиттер — база увеличится и число инжектируемых дырок значительно уменьшится. Вследствие этого в базе наряду с диффузионным движением дырок в прямом направлении возникнет диффузионное движение дырок в обратном направлении. Коллекторный ток уменьшится, а следовательно, упадет и коэффициент а. Инерционность процессов в базе приводит также к фазовому сдвигу между токами /эр и 1Кр, и, следовательно, коэффициент а становится комплексной величиной.

Решение. При 0 < ивх < Е эмиттерный переход транзистора смещен в прямом направлении, коллекторный —в обратном. Транзистор работает в активном

Представим конструкцию тиристора в виде двух условных транзисторов. Один транзистор p\—nt—^-структуры, другой д,— Рг—«г-структуры (Рис- 6.1, б я в). Эмиттерным переходом для первого транзистора является первый переход, а для второго транзистора — третий переход. Второй переход служит общим коллекторным переходом обоих транзисторов. При этом полярность напряжений на переходах соответствует той, которая требуется для работы обоих транзисторов в усилительном режиме: эмиттерные переходы смещены в прямом направлении, коллекторный — в обратном.

транзисторах переход Я2 является коллекторным, а переходы П\ и Я3 — эмиттерными соответственно для р-п-р и п-р-п транзисторов. На участке / ВАХ 1.13, а эмиттерный переход Пх смещен в прямом направлении, коллекторный П2 — в обратном, поэтому p-n-р транзистор работает в режиме, рассмотренном в § 1.4, распределение токов описывается (1.2). Через прямой переход П\ из эмиттера pi в базу щ диффундируют дырки, часть которых (1—ар)/а рекомбинирует в базе, а другая часть ар/а втягивается полем перехода Я2 и попадает в коллектор pz. Распределение указанной дырочной составляющей тока показано на 1.14, а. В аналогичном режиме работает и второй транзистор. Эмиттерный переход Я3 п-р-п транзистора также смещен в прямом направлении, а коллекторный Я2 — в обратном. Через эмиттерный переход Я3 проходит суммарный ток /а+/у (где /у — ток управляющего электрода). Часть электронов, обусловленных этим током, рекомбинирует в базе (слой р2) (1—ап) (h + /у), остальные электроны доходят до коллекторного перехода Яг, захватываются его полем и попадают в коллектор (слой пу). Эта электронная составляющая тока показана в нижней части структуры на 1.14, а. Кроме этих транзисторных составляющих тока коллекторного перехода Я2, обусловленных токами эмиттерных переходов Пх и Я3, через переход Я2 протекает ток неосновных носителей, имеющихся в слоях «j и р2, /кбо=/кор + /коп. Из 1.14, с легко заключить, что /а=/к> где /к — полный ток через переход Я2, т. е. суммарный коллекторный ток обоих транзисторов

Согласно закону электромагнитной индукции при изменении пото-косцепления витка в нем индуктируется ЭДС, положительное направление которой ( 2.5, а) связывают с положительным направлением потока Фх правилом буравчика (положительное направление ЭДС совпадает с направлением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося в направлении магнитного потока Ф ) :

Согласно закону электромагнитной индукции при изменении пото-косцепления витка в нем индуктируется ЭДС, положительное направление которой ( 2.5, а) связывают с положительным направлением потока Фх правилом буравчика (положительное направление ЭДС совпадает с направлением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося в направлении магнитного потока Ф ) :

Согласно закону электромагнитной индукции при изменении пото-косцепления витка в нем индуктируется ЭДС, положительное направление которой ( 2.5, я) связывают с положительным направлением потока Ф^. правилом буравчика (положительное направление ЭДС совпадает с направлением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося в направлении магнитного потока Ф ) :

Таким образом, для определения коэффициента Холла Лх необходимо измерить холловскую разность потенциалов, ток, протекающий через образец, магнитную индукцию и геометрический размер образца w в направлении магнитного поля.

При облучении атомов в направлении магнитного поля циркулярно поляризованным светом резонансной частоты, соответствующей переходу атома из основного состояния в возбужденное, происходит оптическое возбуждение атомов, после чего они возвращаются в исходное состояние. Так как обратный переход атомов из возбужденного состояния в основное состояние обусловлен главным образом тепловыми явлениями и намного медленный по сравнению с временем возбуждения, то в установившемся динамическом режиме в возбужденном состоянии находится больше атомов. Поэтому рабочее вещество вследствие прекращения поглощения света станет более прозрачным, чем в начальный момент после включения резонансного света.

Опыт показывает, что магнитострикционные и Магнитоупругие явления не являются однозначными. Некоторые ферромагнитные тела имеют положительную магнитострикцию, т. е. увеличивают свои размеры в направлении магнитного поля, у некоторых же она отрицательная, т. е. эти тела уменьшают свои размеры в направлении магнитного поля. Кроме того, величина магнитострикции и ее знак зависят от материала магнитной цепи, его термообработки,

При облучении атомов в направлении магнитного поля циркулярно поляризованным светом резонансной частоты, соответствующей переходу атома из основного состояния в возбужденное, происходит оптическое возбуждение атомов, после чего они возвращаются в исходное состояние. Так как обратный переход атомов из возбужденного состояния в основное состояние обусловлен главным образом тепловыми явлениями и намного медленный по сравнению с временем возбуждения, то в установившемся динамическом режиме в возбужденном состоянии находится больше атомов. Поэтому рабочее вещество вследствие прекращения поглощения света станет более прозрачным, чем в начальный момент после включения резонансного света.

Во время вращения ротора со скоростью пг в направлении магнитного поля, вращающегося jco скоростью пг = бОД/р, частота индуцированного в обмотке ротора тока пропорциональна разности щ — «а скоростей вращения поля и ротора. Отношение этой разности скоростей к скорости «! вращения поля называют скольжением:

При вращении ротора в направлении магнитного поля частота э.д.с. и тока в его обмотке согласно уравнению (32.4) уменьшается пропорционально скольжению s. Следовательно, э.д.с. EZs (В), индуктивное сопротивление рассеяния я25 (Ом) и полное сопротивление z2s (Ом) обмотки вращающегося ротора:

3.12р. Особенностью построения вебер-амперной характеристики Ф(иыаь) участка цепи является наличие м. д. с. При направлении магнитного потока от а к в ?/Ma6 = ± Iw -f ,Я/ср + #Л8, где + Iw — соответствует направлению тока от т к п (кривая 2 на Р. 3.2); —Iw — соответствует обратному направлению тока (кривая /). Таким образом, наличие м. д. с. приводит к смещению в. а. х. по оси абсцисс на отрезок, равный по величине м. д. с. При направлении магнитного потока от & к .a Uuab = ±Iw—Hlcp—НЬ8, что соответствует кривым 3 и 4.

3.12р. Особенностью построения вебер-амперной характеристики Ф(иыаь) участка цепи является наличие м. д. с. При направлении магнитного потока от а к в ?/Ma6 = ± Iw -f ,Я/ср + #Л8, где + Iw — соответствует направлению тока от т к п (кривая 2 на Р. 3.2); —Iw — соответствует обратному направлению тока (кривая /). Таким образом, наличие м. д. с. приводит к смещению в. а. х. по оси абсцисс на отрезок, равный по величине м. д. с. При направлении магнитного потока от & к .a Uuab = ±Iw—Hlcp—НЬ8, что соответствует кривым 3 и 4.