Направлении использования

Теоретически доказано, что градиент концентрации примеси в образце в направлении электрического поля не приводит к каким-либо изменениям магнитосопротивления. Сопротивление образца как при наличии, так и в отсутствие магнитного поля пропорционально среднему значению сопротивления образца. Это важно, например, для слоев, изготовленных по эпитаксиальной технологии.

Таким образом, в условиях электронейтральности совокупность неравновесных носителей заряда дрейфует в направлении электрического поля со скоростью \Ьр&, расширяясь по мере движения за счет процесса диффузии и уменьшаясь по амплитуде в результате рекомбинации.

За счет згой силы частицы приобретают ускорение либо в направлении электрического поля (для положительно заряженных носителей заряда), либо в противоположном (для отрицательных носителей заряда). Возникающее таким образом упорядоченное в пространстве (в отличие от хаотического теплового) движение электрических зарядов является электрическим током в веществе.

Дипольная поляризация характерна для полярных диэлектриков. Сущность этого вида поляризации заключается в повороте (ориентации) в направлении электрического поля молекул, имеющих постоянный электрический момент (4.3,в). Более строго дипольную поляризацию можно объяснить не как непосредственный поворот полярных молекул под действием внешнего электрического поля, а как внесение этим полем некоторой упорядоченности в положения полярных молекул, непрерывно совершающих хаотические тепловые движения. Следовательно, дипольная поляризация по своей природе связана с тепловыми движениями молекул, и на нее оказывает существенное влияние температура. Дипольная поляризация в простейшем виде проявляется в газах, жидкостях и аморфных вязких веществах; в кристаллах (при температурах ниже точки плавления) диполи молекул обычно «заморожены», т.е. закреплены на своих местах и не могут ориентироваться. Однако дипольная поляризация все же наблюдается в некоторых кристаллических телах с неплотной упаковкой молекул, например,в водяном льду и других кристаллах с водородными связями, где переориентация диполя заключается в перескоке протона из одного положения в другое. В полимерах может иметь место

Вследствие малой шириш (1 эВ) запрещенной зоны полупроводника тепловые колебания атомов способны сообщить валентным электронам энергию, достаточную для перехода из заполненной валентной зоны в свободную зону проводимости. Каждый такой переход приводит к возникновению пары носителей заряда: свободного электрона в зоне проводимости и свободного энергетического состояния — дырки — в валентной зоне. Под действием приложенного к кристаллу напряжения электрон проводимости движется «навстречу» электрическому полю, а электрон в валентной зоне занимает свободный уровень, освобождая свой уровень для другого электрона. Это можно рассматривать как движение положительного заряда (дырки) в направлении электрического поля.

связь, но образовав дырку в другом месте. В эту новую дырку в свою очередь сможет перейти какой-либо из других электронов связи. Эти последние будут постепенно перемещаться противоположно электрическому полю. Сами же дырки будут двигаться в направлении электрического поля. Следовательно, в полупроводниках электропроводность осуществляется как перемещением электронов проводимости, так и дырок.

Источником теплоты в аппаратах могут стать диэлектрические потери (выделение теплоты) в изоляционных элементах,. Первый вид этих потерь определяется движением свободных зарядов в диэлектрике и зависит от приложенного напряжения и активного электрического сопротивления диэлектрика (джоулева теплота). Второй вид потерь вызван вязкостью диэлектрика — среды, в которой происходит поворот полярных молекул в направлении электрического поля. Эти потери существенно зависят от частоты изменения направлении электрическою поля.

Обычно размеры включений в высоковольтной изоляции в направлении электрического поля не превышают долей миллиметра и составляют весьма малую часть от полнрй толщины изоляции. Однако они представляют собой слабые места в изоляции, так как газы имеют меньшую электрическую прочность, чем твердые и жидкие диэлектрики. Кроме того, напряженность во включениях выше, чем в остальной изоляции, из-за различия диэлектрических проницаемостей газа и окружающих включение. диэлектриков. По этой причине при приложении напряжения к изоляции ЧР возникают прежде всего в газовых включениях.

К числу факторов, влияющих на развитие ЧР, прежде всего относятся структура бумажно-масляной изоляции, т. е. размеры и взаимное расположение листов бумаги и масляных прослоек. С увеличением размеров прослоек в направлении электрического поля мощность ЧР и их воздействие на бумагу увеличиваются и кратковременная электрическая прочность изоляции соответственно снижается ( 9-13). Структура изоляции в свою очередь зависит от способа и плотности намотки бумажной основы, а также от толщины бумаги. При машинной намотке, когда обеспечивается постоянное и равномерное натяжение бумаги, плотность изоляции значительно выше. Уменьшение толщины бумаги во всех случаях приводит к сокращению разме-

Благодаря сравнительно небольшой ширине запрещенной зоны под влиянием поглощения некоторого количества энергии отдельные возбужденные электроны могут быть переброшены через запрещенную зону в зону проводимости, .что вызывает эффект электронной проводимости. На месте электронов, ушедших из заполненной зоны, остаются свободные места — «электронные дырки». Место этих дырок будут занимать другие электроны заполненной (валентной) зоны. Таким образом, свободное место — дырка будет перемещаться в направлении электрического поля, создавая эффект движения положительного заряда.

Отклонение траектории движения носителей заряда от направления внешнего электрического поля в неограниченном полупроводнике равносильно уменьшению длины свободного пробега носителей заряда в направлении электрического поля на

Микроэлектроника продолжает развиваться быстрыми темпами как в направлении совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.

Другим возможным путем выполнения бесконтактных защит является использование магнитных элементов. Работы, начатые в Советском Союзе в конце 40-х годов [Л. 16], выявили возможности создания на их основе измерительных реле. Дальнейшие работы в направлении использования магнитной техники — дискретных магнитных элементов [Л. 17, 354] показывают, что этот вариант в отдельных случаях может конкурировать с использованием полупроводниковой техники.

Не рассматривая подробно действие всех объективных тенденций развития энергетики социалистических стран, следует выделить следующие. Тенденция прогрессивной перестройки энергетического баланса в направлении использования энергетических ресурсов с большей концентрацией энергии в единице ресурса определяет активное вовлечение в рассматриваемой перспективе в энергетический баланс ядерного горючего. Тен-

Экономия топлива зависит от направления использования ВЭР и схемы энергоснабжения предприятия, на котором они используются. При тепловом направлении использования ВЭР экономия топлива определяется расходом топлива в основных (замещаемых) энергетических установках на выработку такого же количества и тех же параметров тепла, что использовано за счет

ВЭР. При силовом направлении использования ВЭР экономия топлива определяется затратами его на выработку в основных энергетических установках количества электроэнергии, равного выработке ее в утилизационных установках.

Экономия топлива за счет ВЭР определяется их использованием. При тепловом направлении использования ВЭР и раздельной схеме энергоснабжения предприятия экономия топлива определяется по формулам:

При силовом направлении использования ВЭР экономия топлива

Аналогично при комбинированном направлении использования ВЭР и комбинированной схеме энергоснабжения предприятия экономия топлива за счет ВЭР может быть определена по формуле

направлении использования горючих ВЭР экономия топлива может быть определена из выражения

установку, руб.; Ои—использование тепловых ЁЭР, ГДж/год. При силовом направлении использования ВЭР в формулу (1-31) следует подставлять годовую выработку электроэнергии W; ib — коэффициент надежности при замещении мощности основных источников энергоснабжения утилизационными установками.

Хотя расчеты по экономической эффективности использования ВЭР могут проводиться на основе цен и тарифов на энергоносители, тем не менее окончательный вывод о целесообразности и направлении использования ВЭР на действующем предприятии следует определять по расчетной народнохозяйственной эффективности.