Напряжение тиристора

Напряжение теплового пробоя уменьшается с увеличением температуры, так как при этом возрастает температура р — «-перехода, а следовательно, уменьшается обратное допустимое напряжение. Изгиб характеристик германиевого р — /г-перехода с увеличением температуры смещается влево ( 4.8, а).

Тепловые шумы обусловлены хаотическим движением носителей заряда и наблюдаются в любых проводниках, полупроводниках и диэлектриках. Среднеквадратичное напряжение теплового шума определяется выражением

В полупроводниковом материале с сопротивлением 1 кОм среднеквадратичное напряжение теплового шума измеренное в полосе частот 1 ГГц, составляет ~ 4-10~9 В.

напряжение теплового

В отличие от электрического пробоя напряжение теплового пробоя, как видно из (4.55), зависит от частоты:

Напряжение теплового пробоя определяется условиями отвода тепла от изоляции и тепловыделениями в самой изоляционной конструкции. Поэтому напряжение Unp для реальных конструкций зависит не только от тех величин, которые входят в (9-4) и (9-5). Сильное влияние оказывают также размеры и теплопроводности самой изоляции, электродов и других элементов конструкции, а также тепловыделения в токоведущих частях.

Кроме помех, возникающих в канале связи, в тракте передатчик —• приемник могут возникнуть аппаратурные помехи, т. е. помехи вследствие нарушений работы различных элементов аппаратуры, например электронных ламп, конденсаторов, резисторов и т. п. Собственные шумы передатчика и приемника и радиоканала на ультракоротких волнах имеют характер флуктуационных помех. Они вызываются тепловыми шумами, шумами, обусловленными дробовым эффектом в электронных лампах, шумами от нелинейных переходов в различных частях аппаратуры и атмосферными. Из-за сравнительно небольшого уровня все эти шумы проявляются при больших усилениях сигнала. Высокий удельный вес часто имеет тепловой шум. Эффективное напряжение теплового шума, создаваемое резистором R в полосе частот Д/(Гц),

Так как пробивное напряжение при тепловом пробое зависит от обратного тока через диод при температуре окружающей среды, то в диодах с большими обратными токами даже при комнатных температурах создаются условия для теплового пробоя и он наступает раньше чем лавинный пробой. Это справедливо, в частности, для германиевых диодов. И наоборот, в кремниевых диодах из-за значительно меньших обратных токов напряжение теплового пробоя получается настолько боль-

В связи с тем что пробивное напряжение при тепловом пробое уменьшается с увеличением теплового сопротивления, на совершенство конструкции диода с точки зрения уменьшения его теплового сопротивления следует обратить особое внимание. Необходимо также отметить, что тепловое сопротивление может увеличиться из-за неправильной установки диода, когда он оказывается теплоизолированным. Напряжение теплового пробоя при этом может существенно уменьшиться. То же самое может произойти при изменении условий в окружающей среде (например, при понижении давления воздуха в связи с подъемом на большую высоту).

При соблюдении условия 1п(///о)=1 значение гд=0, напряжение на р-п переходе максимально и равно С/ПР06. Напряжение ?/пр0б называется напряжением теплового пробоя, при этом ток через р-п переход 1\ = &1о, где е = 2,718. Напряжение теплового пробоя определяется выражением

Напряжение теплового пробоя тем меньше, чем больше /?т и чем больше начальный обратный ток. С увеличением температуры напряжение ?/пр0б уменьшается, так как увеличивается начальный обратный ток /о.

Основными статическими параметрами тиристора, определяемыми из его вольт-амперной характеристики, являются: максимально допустимый постоянный ток 4-гкртахт- в открытом состоянии тиристора, при котором обеспечивается заданная надежность; напряжение в открытом состоянии тиристора ?/открГ — основное напряжение при определенном токе (например, 1тк(,т„т в открытом состоянии тиристора); максимально допустимое постоянное обратное напряжение тиристора (Уобр П,.1Х,, при котором обеспечивается заданная надежность, это напряжение примерно в два раза меньше пробивного; максимально допустимое постоянное прямое напряжение Unp зкр тах т, при котором тиристор находится в закрытом состоянии при определенном режиме в цепи управляющего электрода и обеспечивается заданная надежность; ток включения /вкл т — основной ток в точке включения тиристора; удерживающий ток тиристора /удГ — минимальный основной ток, который необходим для поддержания тиристора в открытом состоянии при определенном режиме в цепи управляющего электрода.

что U,==127' В, а допустимое обратное напряжение тиристора КУ101Е (/овр.п.х=150В. Ответ: а-ИЗО0:, п = 0,6.

параллельно тиристору напряжение на тиристоре во время коммутации «a,oop=«c, а напряжение на нагрузке мн=? + «с. При подключении конденсатора параллельно нагрузке анодное напряжение тиристора «а,обр = = ис — Е, а напряжение на нагрузке ия = ис. В обоих случаях напряжение на нагрузке зависит от напряжения на конденсаторе, которое будет изменяться в зависимости от тока нагрузки.

напряжение на конденсаторе С, а следовательно, и на базе Т превысит нулевой уровень. Эмиттерный переход транзистора отпирается и фиксирует анодное напряжение тиристора на уровне ИСя. Изменение напряжения на конденсаторе приостанавливается. За время изменения напряжения на базе Т от 0 до ?/бн с постоянной времени

а анодное напряжение тиристора на этом этапе в соответствии с моделью на 6.28 описывается выражением (6.63). Динамическое сопротивление тиристора гдин(0 моделируется элементами на источнике тока /з. Задаваясь /з=1а, получаем для напряжения на конденсаторе tic при тс = <

напряжение на конденсаторе С, а следовательно, н на базе Т превысит нулевой уровень. Эмиттерный переход транзистора отпирается и фиксирует анодное напряжение тиристора на уровне i/rtll. Изменение напряжения на конденсаторе приостанавливается. За время изменения напряжения на базе Г от 0 до с/бн с постоян-

вестно, что U1 = 127 в, а допустимое обратное напряжение тиристора КУЮ1Е t/обр. доп = 150 в.

параллельно тиристору напряжение на тиристоре во время коммутации Ыа,обр = кс, а напряжение на нагрузке ия—Е + ис. При подключении конденсатора параллельно нагрузке анодное напряжение тиристора «а,обр = = ис—В, а напряжение на нагрузке иш = ис. В обоих случаях напряжение на нагрузке зависит от напряжения на конденсаторе, которое будет изменяться в зависимости от тока нагрузки.

полярность на одном тиристоре и обратн\ю полярность на другом. В момент прекращения тока напряжение тиристора увеличивается скачком со скоростью, которая в идеальном случае была бы dujdt^, =^оо. На тиристоре, который не проводил ток, это скачкообразное повышение напряжения происходит в прямом направлении и может

Р е ш е н и е. Максимальное обратное напряжение тиристора при нормальной работе без учета перенапряжений равно:

На 6.39 кривой а показаны результаты расчета напряжения тиристора в цели с параметрами, вычисленными в задаче 6.11. Видно, что напряжение тиристора превышает допустимое значение. Для снижения ит можно либо увеличить La или С, либо уменьшить R. С увеличением индуктивности увеличивается падение напряжения от тока нагрузки, это падение напряжения, как правило, не должно превышать 3—5% напряжения сети при номинальной нагрузке. Допуская, что падение напряжения на индуктивности равно 4%, имеем: