Напряжение получаемое

В зависимости от схемотехнической реализации логических элементов сигналы на их входах и выходах имеют либо отличное от нуля напряжение (положительное или отрицательное), либо напряжение, близкое к нулю, которые принято условно отождествлять с логической единицей и нулем. При этом работу логического элемента можно описать зависимостью логического значения выходного сигнала F от совокупности логических значений входных сигналов х. Такую зависимость принято представлять таблицей истинности.

Рассмотрим работу транзистора типа р-п-р в так называемой схеме с общей базой. При отсутствии внешних напряжений токи через р-п переходы отсутствуют. Если на эмиттер подать напряжение, положительное относительно базы, а на коллектор — отрицательное относительно базы ( 5-8), то потенциальный барьер в эмиттер-ном р-я-переходе уменьшится на величину приложенного напряжения, а в коллекторном переходе — увеличится (так же как и в полупроводниковых диодах — § 1-3).

В зависимости от схемотехнической реализации логических элементов сигналы на их входах и выходах имеют либо отличное от нуля напряжение (положительное или отрицательное), либо напряжение, близкое к нулю, которые принято условно отождествлять с логической единицей и нулем. При этом работу логического элемента можно описать зависимостью логического значения выходного сигнала F от совокупности логических значений входных сигналов х. Такую зависимость принято представлять таблицей истинности.

В зависимости от схемотехнической реализации логических элементов сигналы на их входах и выходах имеют либо отличное от нуля напряжение (положительное или отрицательное) , либо напряжение, близкое к нулю, которые принято условно отождествлять с логической единицей и нулем. При этом работу логического элемента можно описать зависимостью логического значения выходного сигнала F от совокупности логических значений входных сигналов х. Такую зависимость принято представлять таблицей истинности.

Простейшая структура такого транзистора, показанная на 3.19, представляет собой пластинку полупроводника /г-типа, на торцах которой имеются омические контакты истока и стока. Основными носителями тока в канале являются электроны. Если потенциал на истоке рассматривать как нулевой, то на стоке напряжение положительное, а на затворе — отрицательное. Таким образом, оба р—п перехода будут обратно смещенными, что обусловливает высокое входное сопротивление транзистора.

Рассмотрим работу транзистора типа р-п-р в так называемой схеме с общей базой. При отсутствии внешних напряжений токи через /7-п-переходы отсутствуют. Если на эмиттер подать напряжение, положительное относительно базы, а на коллектор — отрицательное относительно базы ( 5-8), то потенциальный барьер в эмиттерном р-п.-переходе уменьшится на величину приложенного напряжения, а в коллекторном переходе — увеличится (так же как ив полупроводниковых диодах —§1-3). .;..:.

На анод подается положите л ьное относительно индикаторных катодов напряжение; положительное напряжение около 50 В подводится также на первые подкатоды. В начальном состоянии тлеющий разряд существует между анодом и основным катодом. Разряд перемещается на другие электроды при подаче двух отрицательных следующих друг за другом импульсов амплитудой примерно 100 В и длительностью 20—30 икс.

Формула (3.4) пригодна как для прямых, так и обратных напряжений (прямое напряжение положительное, обратное — отрицательное). Из формулы (3.4) следует, что при положительных (прямых) напряжениях ток через р-п переход с увеличением напряжения резко возрастает. При отрицательных (обратных) напряжениях показатель степени числа е — отрицательный. Поэтому при

Принцип действия хемотронной ячейки памяти иллюстрирует 10.16. В герметичном пластмассовом корпусе расположены два пластинчатых электрода 1 из золота или платины. Электроды с внутренней стороны изолированы эпоксидным покрытием 2, за исключением узкого зазора 3, ширина которого не должна превышать 0,1 мм. На противоположной стенке ячейки напротив зазора расположен медный электрод 4. Расстояние между этим электродом и пластинчатыми электродами 1 составляет примерно Оу5мм. Сопротивление между электродами 1 зависит от наличия раствора электролита в зазоре 3. Если зазор заполнен раствором, то это сопротивление велико. При подаче на электроды / напряжения, отрицательного относительно электрода 4, последний начинает растворяться, и в зазоре 3 происходит отложение меди. Через некоторое время (время записи) зазор между электродами 1 будет замкнут осажденной медью и сопротивление между ними резко снизится-из-за высокой проводимости -меди. Если же на электроды / подать напряжение, положительное относительно электрода 4, то осажденная в зазоре медь растворяется и ячейка возвращается в прежнее состояние, характеризуемое высоким сопротивлением между электродами /. Таким образом, ячейка имеет два устойчивых состояния, позволяющих записывать информацию в двоичном коде.

На анод подается положите л ьное относительно индикаторных катодов напряжение; положительное напряжение около 50 В подводится также на первые подкатоды. В начальном состоянии тлеющий разряд существует между анодом и основным катодом. Разряд перемещается на другие электроды при подаче двух отрицательных следующих друг за другом импульсов амплитудой примерно 100 В и длительностью 20—30 икс.

Используется выпрямленное напряжение, получаемое от специальных блоков питания: блока напряжения БПН и токового блока БПТ. Первый получает питание от трансформатора напряжения или трансформатора собственных нужд и содержит промежуточный трехфазный трансформатор напряжения и трехфазный выпрямительный мост. Токовый блок присоединяется ко вторичной обмотке трансформатора тока, содержит промежуточный насыщающийся трансформатор с выпрямительным мостом на выходе и феррорезонансный стабилизатор вторичного напряжения насыщающегося трансформатора. Оба блока имеют номинальное выходное напряжение НО или 220 В.

Напряжение, получаемое на выходе выпрямителя, является пульсирующим. Его можно представить суммой постоянной и переменных составляющих (гармоник), частота которых кратна частоте тока питающей сети. С ростом частоты амплитуды гармоник убывают. Поскольку амплитуда основной гармоники, имеющей наименьшую частоту, намного больше амплитуд остальных гармоник, при анализе схем можно пренебречь малыми амплитудами более высоких частот.

а коллекторный закрыт. Напряжение, получаемое от Е6, называется входным, а от ?к — выходным.

Ослабить этот недостаток можно, используя высокоомную нагрузку в цепи соединенных стоков транзисторов. В этом случае даже при одном включенном транзисторе выходное напряжение, получаемое за счет деления напряжения питания между сопротивлением нагрузки и сопротивлением канала включенного транзистора, близко к нулю. Изменение числа включенных транзисторов почти не отразится на

После отпирания yo-n-перехода начинается инжекция неосновных носителей в толщу стержня. Неосновные носители под действием электрического поля в стержне движутся к первой базе и уменьшают сопротивление участка между /7-п-переходом и первой базой. Напряжение, получаемое в рассматриваемом сечении за счет деления напряжения питания Е, уменьшается. Это приводит к дальнейшему отпиранию p-n-перехода, усилению диффузии и уменьшению сопротивления нижней части стержня.

Ослабить этот недостаток можно, используя высокоомную нагрузку в цепи соединенных стоков транзисторов. В этом случае даже при одном включенном транзисторе выходное напряжение, получаемое за счет деления напряжения питания между сопротивлением нагрузки и сопротивлением канала включенного транзистора, близко к нулю. Изменение числа включенных транзисторов почти не отразится на выходных параметрах сигнала, поскольку значение уровня «О» выходного сигнала остается близким к нулю.

После отпирания р-я-перехода начинается инжекция неосновных носителей в толщу стержня. Неосновные носители под действием электрического поля в стержне движутся к первой базе и уменьшают сопротивление участка между p-n-переходом и первой базой. Напряжение, получаемое в рассматриваемом сечении за счет деления напряжения питания Е, уменьшается. Это приводит к дальнейшему отпиранию p-ft-перехода, усилению диффузии и уменьшению сопротивления нижней части стержня.

Чтобы увидеть на экране кривую исследуемого напряжения, необходимо луч перемещать с постоянной скоростью еще и в горизонтальном направлении. Для этого на горизонтально-отклоняющие пластины подается линейно возрастающее напряжение, получаемое от Специального генератора 18]. Форма этого напряжения приведена на

Используя осциллограф в качестве вольтметра, его предварительно калибруют, т. е. изменяют его чувствительность так, чтобы известное напряжение, получаемое либо от внешнего источника, либо от обычно имеющегося в осциллографе стабилизатора переменного тока, питаемого от сети, вызывало определенное отклонение луча на экране.

Включение транзистора по схеме с общим эмиттером ( 5.8, а). Общей точкой для входной и выходной цепей является эмиттер-ный вывод. Источник базового напряжения Е5 служит для обеспечения инжекции основных носителей из /^-области эмиттера в л-область базы через эмиттерный переход. Источник коллекторного напряжения Ек предназначен для создания ускоряющего поля, перебрасывающего неосновные носители из области базы в область коллектора, т. е. для обеспечения экстракции в коллекторном переходе. Полярности напряжений и их значения соответствуют нормальному режиму работы транзистора, обладающего усилительными свойствами, т. е. когда \Е6\ < \ЕК\. При этом эмиттерный переход открыт, а коллекторный — закрыт. Напряжение, получаемое от Еб, называют входным, а от Ек — выходным.

Принцип работы преобразователя основан на периодическом включении и выключении тех или иных полупроводниковых приборов (вентилей). Под включенным понимается проводящее или открытое, а под выключенным — непроводящее или закрытое (запертое) состояние полупроводникового прибора. Особое значение для реализации показанных на 1.1 типов преобразователей имеет принцип выключения или запирания прибора, приводящий к размыканию соответствующей ветви силовой цепи. Способ выключения зависит от вида источника напряжения, который обеспечивает ток, необходимый для выключения полупроводникового прибора. В большинстве случаев ток, проходящий через прибор, который выключается, переводится под действием этого источника напряжения в другую ветвь цепи за счет включения (отпирания) прибора в этой ветви; такой процесс называется коммутацией. Если источником коммутирующего напряжения является первичная или вторичная сеть переменного тока, коммутацию называют сетевой (или иногда естественной); если источником коммутирующего напряжения является вспомогательное напряжение, получаемое с помощью элементов, входящих в специальные коммутирующие цепи самого преобразователя (вентилей, конденсаторов, дросселей и т. д.), коммутацию называют принудительной (или иногда искусственной). В последнем случае могут быть также использованы приборы, которые полностью или частично (т. е. в комбинации с другими средствами) выключаются с помощью управляющего электрода, например транзисторы или специальные запираемые тиристоры (см. § 2.2).