Напряжение обусловленноеКогда напряжение обратного смещения на р — п-переходе превышает некоторое критическое значение,, ток через переход быстро возрастает ( 1.3). Это критическое напряжение называют напряжением пробоя ?/пр- Если концентрация носителей по обе стороны р — n-перехода меньше Ю18 см"3, напряжение пробоя определяется началом лавинного процесса, когда электрическое поле в обедненной области достаточно велико,
Здесь иадо рассмотреть три метода расчета: 1) способ «шаг за шагом», использующий известные из предыдущего выражения для тока при включении этой цепи на постоянное напряжение и при ее коротком замыкании; 2) способ наложения, предполагающий, что первый импульс продолжается бесконечно, но в начале первой паузы цепь переключается на напряжение обратного знака
На практике чаще диодные оптроны применяют в фотодиодном режиме. В этом случае на фотодиод подается внешнее напряжение обратного смещения. При подаче на опт-рон входного сигнала светодиод облучает фотодиод, вследствие чего через p-n-переход протекает ток.
В тиратронах с наполнением инертными газами время деионизации несколько меньше, поэтому они могут применяться на частотах до 10 000 гц и выше. В тиратронах с экранирующей сеткой пусковые характеристики смещаются при изменении напряжения на экранирующей сетке ( 2.14, в). В этом случае пусковые области оказываются более узкими, чем в односеточных тиратронах. Напряжение обратного зажигания достигает в экранированных тиратронах с ртут* ным наполнением 13 кв, а в тиратронах с газовым наполнением оно колеблется от 240 в до 15 кв.
Для эффективного использования конденсатора на основе перехода база — коллектор необходимо, чтобы отношение Свк/Скп было возможно больше. Этого можно достигнуть, если напряжение обратного смещения перехода база — коллектор выбрать как можно более низким, а напряжение смещения перехода коллектор — подложка — как можно более высоким. В этом случае оказывается возможным получить отношение Свк/Сш в пределах от 3 до 10. При диэлектрической изоляции элементов схемы (см. 2.1,6) емкость СЬк„ < 10 пФ/мм2, и такие меры не являются необходимыми.
где W — результирующая концентрация примесей на слаболегированной стороне полупроводника; С/0бр — напряжение обратного смещения, приложенное к р—п переходу; UK — контактная разность потенциалов на р—п переходе.
Работа двигателей при несимметричном напряжении сети. Вследствие влияния однофазных нагрузок и при аварийных условиях может возникнуть несимметрия напряжения сети. Несимметричное напряжение можно разложить на составляющие прямой, обратной и нулевой последовательностей. Напряжение прямой последовательности Ui вызывает ток 1п обмотки статора, создающий н. с. прямого следования FT, [см. выражение (VII. 19)1. Напряжение обратного следования U ц вызывает ток обмотки статора /ш, создающий н. с. обратного следования Fn [см. формулу (VII. 19, а)]. Н. с. Рг и Fu вращаются в разные стороны с синхронной скоростью. Напряжение нулевой последовательности не создает вращающихся н. с. и поэтому при дальнейшем рассмотрении не будет учитываться.
Применение выпрямителя с простым емкостным фильтром предъявляет более жесткие требования к параметрам диодов по максимг льно допустимому току и обратному напряжению. Как видно из 14.9, а, во время отрицательного полупериода напряжение обратного направления прикладывается к диодам VD1, VD2 и имеет значений 2f/2m, т. е. это напряжение равно сумме напряжений на
Для эффективного использования конденсатора на основе перехода база — коллектор необходимо, чтобы величина отношения Сбк/С„п была возможно больше. Этого можно достигнуть, если напряжение обратного смещения перехода база — коллектор выбрать как можно более низким, а напряжение смещения перехода коллектор — подложка — как можно более высоким. В этом случае оказывается возможным получить отношение Сбк/Скп в пределах от 3 до 10. При диэлектрической изоляции элементов схемы (см. 2.1, б) емкостьС0 кп<с 10 пФ/мм2, и такие меры не являются необходимыми.
входе ТТЛ-элемента ограничивает отрицательный перепад до величины падения на диоде ниже земли, а внешний диод ограничивает положительный перепад. Последовательно включенный резистор предотвращает повреждение схемы, когда на входном транзисторе ТТЛ появляется напряжение обратного пробоя база-эмиттер. Величина резистора выбирается достаточно малой для того, чтобы отвести входной ток на низком уровне ТТЛ, когда на выходе операционного усилителя появится отрицательное напряжение в несколько вольт.
Явление взрывного шума и его происхождение было рассмотрено в работе Леонарда и Яскольски [22] в связи с функционированием широкополосных интегральных усилителей. Из проведенного исследования они сделали вывод о том, что «шум лопающихся зерен кукурузы»^ (взрывной шум) имеет место тогда, когда у обратной ветви вольт-амперной характеристики перехода коллектор — база имеются области отрицательного сопротивления, находящиеся около «колена» ветви, соответствующего началу пробоя. Леонард и Яскольски сообщили, что в том случае, когда напряжение обратного смещения было таким, что рабочая точка совпадала с областью подобного отрицательного сопротивления, они наблюдали локальное излучение света. Известно, что микроплазма излучает свет [10], и это привело Леонарда и Яскольски к выводу о том, что взрывной и микроплазменный шумы эквивалентны. Однако они не предпринимали попытки примирить отмеченные выше несоразмерности между микроплазменным и взрывным шумами.
Для массовой поверки измерительных приборов используют потенциометры с неполной компенсацией. В них с помощью декады уравновешивается номинальное значение поверяемой величины, а нескомпенсированное напряжение, обусловленное погрешностью прибора, считывается по шкале магнитоэлектрического указателя. Эти приборы имеют меньшую точность из-за неполной компенсации.
Наиболее универсальным (широко применяемым) и наиболее чувствительным к помехам аналоговым узлом является усилитель. JIpjL отсутствии полезного сигнала на входе усилителя на его выходе имеется некоторое (обычно небольшое) напряжение, обусловленное внутренними помехами (вызванными тепловыми шумами резисторов и активных элементов), а также внешними помехами (наводками) на входе с выхода усилителя или от других устройств. Наибольшее влияние оказывают внешние помехи, которые могут поступать на усилитель различными путями через емкостные, индуктивные и кондуктивные паразитные связи.
Вычислим шунтирующее сопротивление, учитывая пороговое напряжение, обусловленное диодом и эмиттерным переходом транзистора:
3. Вычертить амплитудную характеристику (/ВЫх = при / = const, определить из нее напряжение, обусловленное наличием собственных помех, пределы допустимого изменения величины входного напряжения, динамический диапазон усилителя и результаты обработки представить таблицей:
3. Вычертить амплитудную характеристику t/вых = Ft(Um) при / = const, определить из нее напряжение, обусловленное наличием собственных помех, пределы допустимого изменения величины входного напряжения, динамический диапазон усилителя и результаты обработки представить таблицей:
Следует подчеркнуть, что при включении напряжения объемный заряд устанавливается очень медленно, а после отключения так же медленно растекается. Поэтому, если конденсатор отключить от источника и на короткое время соединить его обкладки проводником (разрядить), через некоторое время, на обкладках вновь появится напряжение, обусловленное стеканием на них объемных зарядов из диэлектрика. Такое явление часто наблюдается в высоковольтных кабелях при постоянном напряжении.
Активным называют четырехполюсник, содержащий внутри себя источники электрической энергии, причем действие этих источников не компенсируется взаимно внутри четырехполюсника. Это значит, что при отключении четырехполюсника от внешних цепей на одной или на обеих парах его разомкнутых зажимов возникает напряжение, обусловленное наличием источников энергии внутри четырехполюсника. Пусть э. д. с. источников не зависят от токов в них. 'Пользуясь принципом наложения, нетрудно привести такой активный четырехполюсник с любым числом внутренних источников энергии, к пассивному четырехполюснику с двумя дополнительными источниками э. д. с. во входной и в выходной цепях.
Возьмем частную производную от i(x, /)[см. (12.48)] по х, подставим ее в (12.49) и учтем также напряжение, обусловленное скачком тока на фронте волны. В результате получим
Переходный процесс при отключении рассчитывается методом наложения, т. е. между размыкающимися контактами выключателя вводится источник тока, равного по величине и обратного по направлению отключаемому току ( 23-2, г); далее определяется напряжение, обусловленное включением источника тока, которое накладывается на начальное напряжение короткозамкнутой линии. В результате получаются расчетные формулы для определения напряжения в конце линии, аналогичные соответствующим формулам при включении (22-11). Например, для схемы без продольной компенсации
Напряжение, обусловленное прохождением тока по омическому сопротивлению (ir), назовем падением электрического напряжения.
+ Hj — J). Таким образом, общее магнитное напряжение, обусловленное свободным потоком, вдоль пути потока как бы перераспределяется: в вакууме (или в воздухе) оно увеличивается, а в магнитной среде уменьшается,
Похожие определения: Напряжения пульсации Напряжения реактивная Напряжения синхронных Напряжения сохраняется Наблюдения измерения Напряжения создаваемого Напряжения существенно
|