Напряжение коллектора

7.2. Определить минимальное значение э.д.с. источника питания ?Kmin в МТЯ ( 7.1). Время перемагничивания сердечников т з = 2 мкс, максимально допустимый ток транзистора /к max =0,15 А, напряжение коллектор — эмиттер в режиме насыщения ?/„.„ = 0,3 В. Число воспринимающих сердечников п = 5. Данные сердечника приведены в задаче 7.1.

7.6. Определить оптимальное число витков входных обмоток двух сердечников, включенных в коллекторную цепь МТЯ с положительной обратной связью ( 7.6). Величина э.д.с. источника питания ?к= 8 В, время перемагничивания сердечника т3 = 2 мкс, напряжение коллектор —

Задача 8.11. Напряжение питания ИМС типа К175УВ1 (см. 8.6, в) +?о = 6,3 В. Определить напряжение коллектор — эмиттер каждого транзистора.

Обратное напряжение коллектор — эмит-

/к = р7Б + /ко(1 + р) = 49 -0,1 -10-3 + Ю-5- 50 = 5,4 мА. Поэтому напряжение коллектор — эмиттер

Номинальное напряжение коллекторного питания схемы равно сумме номинальных напряжений стабилизации стабилитронов и составляет 22 В. При неблагоприятных сочетаниях параметров стабилитронов минимальное напряжение коллекторного питания составит 18,1 В, а максимальное 26,5В (см. табл. 3.5).

Простейший вариант базового логического элемента ТТЛ приведен на 1.29. Схема состоит из элементов входной логики —• многоэмиттерного транзистора (МЭТ) с резистором R! в базовой цепи и инвертора, построенного на транзисторе 7\ и резисторе #2. Входы логического элемента подключены к эмиттерам МЭТ, который выполняет логическую функцию И. Выход базового логического элемента подключен к коллектору транзистора 7\. На выходе элемента ТТЛ реализуется логическая функция И — НЕ. На 1.30 показана передаточная характеристика элемента ТТЛ, на одном из входов которого создается напряжение Ult а на другом напряжение изменяется. Когда на входе имеет место напряжение ?/вх » ?/0, соответствующий эмиттерный /7-л-переход МЭТ открыт, а на его базе создается напряжение (7б1, приблизительно равное падению напряжения на открытом р-л-переходе. При этом МЭТ работает в режиме насыщения и на его коллекторе, а следовательно, на базе транзистора 7\ ^бг =•= ^вх + икэ нас < U61, где UBX ^ U0; ?/кэ нас — напряжение коллектор — эмиттер МЭТ в режиме насыщения.

Для транзистора, находящегося в режиме насыщения, потенциалы его коллектора, эмиттера и базы примерно одинаковы, а напряжение коллектор—эмиттер

тера резистора значение С^кбпроб возрастает по мере увеличения его сопротивления. Соответственно возрастает и максимально допустимое постоянное напряжение коллектор — эмиттер икэтах ( 35).

U^ — напряжение коллектора; f/i^g— напряжение коллектор — база; ^ к,э — напряжение коллектор — эмиттер; ?/ЭБ — напряжение эмиттер — база;

8.2. Транзистор типа р-п-р включен по схеме с общим эмиттером. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если: а) напряжение база—эмиттер (/Бэ =—0,4В и напряжение коллектор—эмиттер Ч/кэ -=—0,3 В; б) напряжение о* И7

KS отс— напряжение коллектора ы0— частота угловая резо-

1044. Найти ток базы, ток коллектора и напряжение коллектора при включении транзистора с общим эмиттером, если напряжение U63= 1 В; сопротивление гбэ = 5 кОм, напряжение питания ?/пит= 50 В; сопротивление нагрузки гн = 1 кОм. Входные и выходные характеристики транзистора приведены на 97, в, а.

U^ — напряжение коллектора; f/i^g— напряжение коллектор — база; ^ к,э — напряжение коллектор — эмиттер; ?/ЭБ — напряжение эмиттер — база;

Вследствие падения напряжения на нагрузке Rn понижается напряжение коллектора, а следовательно, уменьшаются толщина коллекторного перехода и заряд в нем. Происходит разряд емкости коллекторного перехода.

напряжение коллектора

Появление в последнее ьремя транзисторов со значительно улучшенными характеристиками (повышенное напряжение коллектора и большой коэффициент усиления) позволяет в ряде слу^ев отказаться от магнитно-транзисторных и магнитно-транзисторно-диодных коммутаторов для ОЗУ и заменись их чисто транзисторно-диодными коммутаторами.

Напряжение коллектора насыщенного транзистора 1/„ (равное напряжению эмиттерного перехода (7ЭПЗ паразитного транзистора) определяется соотношением

Появление в последнее время транзисторов со значительно улучшенными характеристиками (повышенное напряжение коллектора я большой коэффициент усиления) позволяет в ряде случаев отказаться от магнитно-транзисторных и магнитно-транзисторно-диодных коммутаторов для ОЗУ и заменить их чисто транзисторно-диодными коммутаторами.

значение которого определяется током эмиттера и обратным током коллекторного перехода /Ко. На значение /Ко напряжение коллектора влияния не оказывает.

Смыкание переходов. При достаточно больших напряжениях на коллекторном переходе область объемного заряда коллекторного перехода может достигнуть эмиттерного перехода — произойдет так называемое смыкание переходов. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода понижается ( 4.11), возрастает ток эмиттера, а значит, и ток коллектора. По внешним признакам смыкание напоминает пробой или короткое замыкание эмиттера с коллектором. Таким образом, смыкание переходов является одной из причин, ограничивающих напряжение коллектора.

Лавинный пробой транзистора в схеме с общей базой. Второй причиной, ограничивающей напряжение коллектора, является лавинное размножение. При этом существенную роль играет режим цепи базы. Если ток в цепи базы не ограничен, что имеет место, например, в схеме с общей базой, то пробой транзисторов не отличается от пробоя полупроводникового диода. В этом случае в коллекторном переходе произойдет лавинный пробой при пробивном напряжении UKBO проб.