Напряжение достаточное

В случае поступления сигнала 0 хотя бы на один из входов открыт транзистор, связанный с этим входом. При этом напряжение между коллектором открытого входного транзистора и базой транзистора V9 недостаточно для пробоя стабилитрона V6 (f/CT6 = = 7 В). Транзистор V9 закрыт, а транзистор V7 открыт током базы, проходящим через R3. Диод V8 закрыт. Выходное напряжение достаточно велико и соответствует логическому сигналу 1.

ным коэффициентом мощности созфн=0,8—0,9 для смешанной активно-индуктивной нагрузки. В этом случае существенное влияние оказывает продольно-размагничивающая реакция якоря. Поэтому при уменьшении нагрузки от номинальной напряжение достаточно быстро возрастает (кривая / на 11.10, а). Относительное изме-

Отметим, что если форма кривой намагничивания близка к идеальной прямоугольной (кривая ОтА на 3.15), активное сопротивление цепи переменного тока мало, а переменное напряжение достаточно велико, то форма кривой тока /2 очень близка к прямоугольной и максимальное его значение согласно (3.4) почти не зависит от напряжения и частоты источника питания. При прямоугольной форме кривой тока /2 его среднее значение равно максимуму. Среднее значение тока измеряют амперметром выпрямительной системы.

Предположим, что кроме постоянного смещения, большего /:пор/, где ?пор — пороговая напряженность поля, к прибору приложено также синусоидальное напряжение достаточно большой амплитуды ( 8.6). В этом случае часть периода напряжение на приборе будет меньше порогового значения Епор1.

Достаточно хотя бы на один из двух входов схемы 13.7 подать отрицательный сигнал синхронно с отрицательной полуволной t/иит, чтобы через соответствующий открытый транзистор при отрицательной полуволне питающего напряжения ?/Пит конденсатор С начал перезаряжаться. Тогда в последующий положительный полупериод t/пит через диод Дз и Rn будет течь относительно большой ток повторного перезаряда конденсатора. Таким образом, чтобы в схеме 13.7 появилось выходное напряжение, достаточно на любой ее вход подать отрицательный сигнал. Как и во всех

В дальнейшем расчетные характеристики идут полого (участок 4 на 4-3) и с повышением анодного напряжения наблюдается медленное увеличение анодного тока и столь же медленное уменьшение тока /С2, соответствующее режиму прямого перехвата. Пологий участок расчетной (пунктирной) характеристики 1л — f (U&) не означает, что лампа работает в режиме насыщения. Отрицательный объемный заряд у поверхности катода (если на управляющую сетку не подано значительное положительное напряжение) достаточно велик. Небольшой рост анодного тока при значительном изменении Ua на этом участке объясняется лишь, некоторым влиянием анодного напряжения на значение коэффициента токораспределения между экранирующей сеткой и анодом.

Положение точки касания зависит от наклона нагрузочной линии, т. е. от сопротивления /?. Однако при /?, достаточно больших по сравнению со значением —duT/di^ в неустойчивой части характеристики, точка касания перемещается мало. Для разных типов диодов и разных температур это значение колеблется. Однако ориентировочно можно определить —duT/dt'T = (0,1 ч-0,15)Л'опр- Для того, чтобы ток опрокидывания мало изменялся, а после опрокидывания напряжение достаточно сильно, менялось, сопротивление R должно быть заметно больше этой величины. Принимаем

С другой стороны, при наложении на постоянное напряжение достаточно слабого сигнала es(t) можно говорить о дифференциальном сопротивлении, определяемом как производная' deldi в точке / = i0 ( 9.1).

В дальнейшем расчетные характеристики идут полого (участок 4 на 4-3) и с повышением анодного напряжения наблюдается медленное увеличение анодного тока и столь же медленное уменьшение тока /С2, соответствующее режиму прямого перехвата. Пологий участок расчетной (пунктирной) характеристики 1л — f (U&) не означает, что лампа работает в режиме насыщения. Отрицательный объемный заряд у поверхности катода (если на управляющую сетку не подано значительное положительное напряжение) достаточно велик. Небольшой рост анодного тока при значительном изменении Ua на этом участке объясняется лишь, некоторым влиянием анодного напряжения на значение коэффициента токораспределения между экранирующей сеткой и анодом.

Наоборот, при настройке на холодный режим мощность,, отбираемая от генератора, упадет, когда заготовка нагреется до температуры выше точки Кюри и, следовательно, генератор не будет использован на полную мощность. Броски мощности можно устранить только понижением напряжения на индукторе-в холодном режиме. Как показывает опыт, изменить напряжение достаточно один раз за весь цикл нагрева, чтобы мощность поддерживалась близкой от номинальной.

Если входное напряжение достаточно мало, то падающий участок характеристики может быть заменен отрезком прямой. После такой линеаризации применимы методы расчета линейных цепей.

/ — предел прочности кремния при сжатии; 2—5 — компоненты напряженного состояния кристалла Оз<, СГ-,1, OK и аз<; 6 — напряжение, достаточное для образования эллиптической трещины длиной 0,1 мкм при слиянии двух дислокаций

занных на схеме (см. 4.14, в) в этом случае необходимо, чтобы потенциал в точке / был отрицательным, отрицательным должен быть и потенциал в точке 4 относительно /. Естественно, потенциал точки 2 также отрицателен. Таким образом, схема будет работоспособна, если при любых изменениях режимов транзисторов потенциал точки 3 будет оставаться отрицательным. При малых величинах этого напряжения (единицы мВ) у многих транзисторов наблюдается сильное падение коэффициента усиления каскада, поэтому целесообразно поддерживать его на уровне порядка сотни мВ. При высокой степени идентичности транзисторов это может быть получено за счет существенного разноса рабочих токов первых двух транзисторов. Ток первого транзистора выбирается в пределах 0,1—0,3 мА, а второго 0,4—0,6 мА, что обеспечивает необходимую разность потенциалов и высокие усилительные свойства транзисторов. В коллекторе второго транзистора (точка 5) напряжение должно быть еще более отрицательным, чем в коллекторе первого транзистора. Кроме того, в коллекторе второго транзистора должно развиваться заметное переменное напряжение, достаточное для раскачки выходного каскада усилителя. Поэтому для увеличения величины отрицательного потенциала в эмиттер третьего транзистора целесообразно включить кремниевый диод в прямом направлении. При протекании через него тока транзистора на нем появляется падение напряжения, близкое к величине контактной разности потенциалов ?/д = 0,7 В. Так как динамическое сопротивление диода весьма мало, его не надо шунтировать конденсатором для уменьшения величины отрицательной ОС по переменному току. При дискретном исполнении усилителя для обеспечения полной взаимозаменяемости транзисторов целесообразно ввести дополнительно диод в эмиттер второго транзистора, а в эмиттер третьего включить последовательно два диода или низковольтовый стабилитрон. При интегральном исполнении, когда идентичность транзисторов высока возможно исключение диода из эмиттера третьего транзистора.

Полагая, что трансформатор Тр подключен к сети (работает в режиме холостого хода), а разъединитель Р замкнут, для пуска двигателя достаточно включить выключатель В. Тогда под действием пускового ток.з БУРиЗ блокируют тирисгорный возбудитель Т, а на обмотку статора подается напряжение сети, которое индуктирует в обмотке возбуждения напряжение, достаточное для того, чтобы сработали стабилитроны Cm.' и через диоды Д1 открыли тиристоры 77, подключив обмотку возбуждения к пусковому резистору /?п. Таким образом, разгон двигателя осуществляется при замкнутой обмотке возбуждения на пусковой резистор Rn. Для форсированного разгона двигателя при большем токе в обмотке возбуждения служит второй ключ Т2, который работает подобно первому, только он шунтирует часть сопротивления резистора Rn (такое включение обмотки возбуждения двигателя снижает перенапряжение на ней и тиристорах возбудителя).

Полагая, что трансформатор Тр подключен к сети (работает в режиме холостого хода), а разъединитель Р замкнут, для пуска двигателя достаточно включить выключатель В. Тогда под действием пускового ток.з БУРиЗ блокируют тирисгорный возбудитель Т, а на обмотку статора подается напряжение сети, которое индуктирует в обмотке возбуждения напряжение, достаточное для того, чтобы сработали стабилитроны Cm.' и через диоды Д1 открыли тиристоры 77, подключив обмотку возбуждения к пусковому резистору /?п. Таким образом, разгон двигателя осуществляется при замкнутой обмотке возбуждения на пусковой резистор Rn. Для форсированного разгона двигателя при большем токе в обмотке возбуждения служит второй ключ Т2, который работает подобно первому, только он шунтирует часть сопротивления резистора Rn (такое включение обмотки возбуждения двигателя снижает перенапряжение на ней и тиристорах возбудителя).

дополнительного времени на вывод его из насыщенного состояния. При этом на базу Т\ следует подать отрицательный импульс с амплитудой, несколько превосходящей — l/i, причем такой, чтобы на аноде Д\ появилось напряжение, достаточное для того, чтобы диод Д закрылся. Это приведет к TON у, что ток от транзистора Т потечет в выбранную линию по цепи Дь Т\, 1л, А\, П\ и далее в источник напряжения — U. Падение напряжения на триоде Т\ позволяет перекрывать возможный разброс падений напряжений на линиях. Правильный выбор напряжения — U и амплитудь импульса, подаваемого на базу Я), позволяет свести к минимуму потери мощности и достичь большей надежности возбуждения.

Сечения проводов цепи управления должны быть выбраны, исходя из необходимости обеспечить на катушке контактора напряжение, достаточное для его безотказного срабатывания. Контакторы должны срабатывать при напряжении на катушке, равном 0,85 от номинального, однако до этого предела доходить не реко-

Напряжение, достаточное для искрового разряда между электродами, при прочих равных условиях зависит от длины искры и давления газа. На этом принципе основано устройство шаровых разрядников, применяемых для измерения высоких напряжений. По расстоянию между шарами, при котором происходит искровой разряд, можно судить о напряжении между ними.

дополнительною времени, на вывод его из насыщенного состояния. При этом на базу Т\ следует подать отрицательный импульс с амплитудой, несколько превосходящей —L/i, причем такой, чтобы на аноде Д\ появилось напряжение, достаточное для того, чтобы диод Д закрылся. Это приведет к тому, что ток от транзистора Т потечет в выбранную линию по цепи Д\, Tlt 1л, А\, П\ и далее в источник напряжения —U. Падение напряжения на триоде Т\ позволяет перекрывать возможный разброс падений напряжений на линиях. Правильный выбор напряжения —U и амплитуды импульса, подаваемого на базу П\, позволяет свести к минимуму потери мощности и достичь большей надежности возбуждения.

Потенциальное управление зажиганием осуществляют в тиратронах с несколькими, обычно двумя сетками (тиратроны тетродного типа). На первую сетку подают положительное напряжение, достаточное для возникновения устойчивого подготовительного разряда. На вторую сетку также подают положительное напряжение (по отношению к катоду), но на несколько десятков вольт меньше, чем на первую сетку. В результате между сетками создается тормозящее поле. При постоянном анодном напряжении повышение напряжения на второй сетке уменьшает тормозящее поле, способствуя поджигу тлеющего разряда в цепи анода, что позволяет управлять напряжением зажигания.

В качестве пускового сигнала в такой схеме обычно используются импульсы, длительность которых меньше, чем время, необходимое для того, чтобы на аноде могло установиться напряжение, достаточное для его зажигания.

UMUH— напряжение, достаточное для питания первого каскада усилителя;