Напряжением отпирания

Если сопротивлением нейтрального провода не пренебрегать (см. 7.9), то при 1ыФ О фазные напряжения приемника не будут равны соответствующим напряжениям источника. В этом случае между нейтральными точками источника и приемника возникает напряжение UnN, называемое напряжением относительно нейтрали или напряжением между нейтралями. Зная UnN, можно определить фазные напряжения приемника.

рые находятся под напряжением относительно земли. Однако поражение возможно и в случае прикосновения к металлическим частям электрооборудования, нормально не находящимся под напряжением. Металлические корпуса электрических машин, трансформаторов, аппаратов, светильников, каркасы распределительных щитов, шкафов, пультов управления, металлические конструкции линий электропередач, подстанций и распределительных устройств, броня и металлические оболочки кабелей, стальные трубы электропроводок, вторичные обмотки измерительных трансформаторов — каждая из этих частей может оказаться под напряжением в случае повреждения электроизоляции. Для того чтобы избежать опасности поражения электрическим током, все перечисленные части электрооборудования подлежат заземлению. Этой цели могут служить естественные зазем-лители, находящиеся в земле металлические части зданий и сооружений, трубопроводы (кроме тех, которые предназначены для транспортировки горючих и взрывных жидкостей и газов), металлические оболочки кабелей и т. п.

Из приведенного 11-2 видно, что ординаты заштрихованной части, заключенной между кривыми QHOTP и (Эконд, выражающие потребляемую реактивную мощность из системы, изменяются с напряжением относительно более резко, чем при отсутствии конденсаторов, причем чем

1. При однофазном замыкании на корпус корпуса электрооборудования, присоединенные к заземленному нулевому проводу, находятся под некоторым напряжением относительно земли и существует реальная угроза поражения людей, прикасающихся к корпусам электрооборудования.

Исходя из этих соображений в СССР электрические установки с напряжением относительно земли или корпусов аппаратов и электрических машин выше 250 В считаются установками высокого напряжения и на них распространяются правила эксплуатации установок высокого напряжения.

Исходя из этих соображений в СССР электрические установки с напряжением относительно земли или корпусов аппаратов и электрических машин выше 250 В считаются установками высокого напряжения и на них распространяются правила эксплуатации установок высокого напряжения.

Электроны, вылетевшие с катода и притянутые анодом и сеткой, отдают им свою энергию, что приводит к разогреву электродов. Поэтому каждая конструкция лампы лимитирует величины теряемой мощности (мощность рассеивания). Для отвода тепла от анода применяют водяное или воздушно-принудительное охлаждение. Анод в этом случае выполнен в виде 'медного цилиндра, сваренного со стеклянным баллоном. На баллоне крепятся катод и сетка. К аноду приварен фланец для крепления лампы. Во избежание порчи ее следует переносить только за фланец или анод. Медный анод помещается в специальный бачок, к которому подводится вода. Подвод воды должен быть снизу, отвод—сверху. Поскольку анод находится под напряжением относительно земли, подводящие воду шланги должны быть из хорошего изоляционного материала (полиэтилена, каучуковой резины), а длина их достаточной, чтобы ток утечки не превышал 5 мА. Если на сетку подать синусоидальное напряжение, в цепи лампы возникнут импульсы анодного тока.

Исходя из этих соображений, в СССР электрические установки с напряжением относительно земли или корпусов аппаратов и электрических машин выше 250 в считаются установками высокого напряжения и на них распространяются правила эксплуатации установок высокого напряжения. ч •

напряжения. Для этого определяют напряжение #о,о = UHN = = 0N между узлами, которое в трехфазных цепях называют напряжением относительно нейтрали:

среды. Основное их назначение — работа в аппаратуре с питанием двухполярным напряжением относительно корпуса. В этом случае при отсутствии входных сигналов (исходное состояние) потенциалы входа и прямого выхода близки к нулю. Для триггеров серий КП8 (122) разных модификаций напряжение питания может быть от ±3 В до ±6,3 В [8]. Такие триггеры удобно использовать в качестве дискриминаторов, амплитудных селекторов, формировате-

Более удачным следует считать выполнение защиты, способной селективно работать от токов переходного процесса при замыканиях на землю в сетях с полной компенсацией установившегося емкостного тока. Возникновение токов переходного процесса при однофазном замыкании на землю 'связано с разрядом емкости поврежденной фазы и дополнительным зарядом емкостей неповрежденных фаз. В нормальном режиме провода линии находятся под фазным напряжением относительно земли, а значение и знак дополнительных зарядных токов зависят от момента времени возникновения замыкания на землю.

тивного ионного легирования, необходимые для транзисторов с самосовмещенным затвором (см. 5.3). Вследствие большей высоты барьера Шотки для ГМЕП-транзисторов допустимо большее (до 0,7 В) прямое напряжение затвор — исток, что особенно важно для нормально закрытых транзисторов, рабочие напряжения на затворах которых могут изменяться лишь в узком диапазоне, ограниченном сверху напряжением отпирания управляющего перехода металл — полупроводник.

В качестве выходных каскадов наиболее часто применяют повторители напряжения, которые обеспечивают более высокое быстродействие, одновременно повышая нагрузочную способность ИМС. При этом, чтобы уменьшить рассеиваемую мощность, обычно применяют двухтактные каскады, работающие в режиме В или АВ. Двухтактный каскад на повторителях напряжения можно построить на комплементарных парах п-р-п-и р-п-р-транзисторов ( 3.35). В таком каскаде передача на выход сигналов отпирающей полярности обеспечивается п-р-п-транзистором Т\, а сигналов запирающей полярности - р-п-р-транзистором TZ. Под действием сигналов соответствующей полярности один из транзисторов отпирается и, работая как повторитель напряжения, формирует выходное напряжение. При работе в режиме В ( 3.35, а) рассеиваемая мощность меньше, однако заметного значения достигают нелинейные искажения, в особенности при усилении сигналов, амплитуда которых меньше или сравнима с напряжением отпирания транзистора [/от.т. Эти искажения уменьшаются при работе в режиме АВ, который обычно реализуют при помощи транзисторных структур в диодном включении ( 3.35,6), обеспечивающих на входе двухтактного усилителя начальное смещение, равное 2[/бэ« 2[/от.т.

Наименьшим напряжением отпирания Uот обладает диод на коллекторном переходе транзистора с короткозамкнутым эмиттером (5). Несколько больше UOT для диода формируемого без эмиттерной диффузии (/). Наибольшее напряжение отпирания имеет диод на эмиттерном переходе транзистора с разо^ мкнутым коллектором (2). За ним следуют -диоды: 4 — на эмиттерном переходе транзистора с короткозамкнутым коллектором; 6 - с параллельно соединенными переходами; 3 - на коллекторном переходе с разомкнутым эмиттером.

где /кз « /кО — т°к коллектора закрытых транзисторов, объединенных по выходу; /Обр — обратный ток входных диодов, являющихся нагрузкой рассматриваемого элемента (см. 7.10). Когда входное напряжение достигает значения 1/вхлт, определяемого напряжением отпирания диодов смещения UOT.CM, инвертора t/OT.T и перепадом напряжения на входном диоде t/д.вх в соответствии с выражением

Для сокращения времени Г3д.р.ср применяются ИМС с нелинейной обратной связью (рис 7.16), предотвращающей насыщение транзисторного ключа. В качестве диода Д0.с в цепи обратной связи применяют диод с возможно меньшим временем рассасывания, так как при запирании инвертора задержка выключения определяется временем рассасывания самого диода. С этой точки зрения наиболее подходящим является диод Шоттки. В элементах ДТЛ для этой цели обычно применяются транзисторы Шоттки ( 7.16.6), представляющие собой интегральные транзисторы, коллекторный переход которых шунтирован диодом Шоттки. Диоды Шоттки обладают высоким быстродействием (время переключения не превышает 0,1 не), низким напряжением отпирания (1/от =0,25 В) и малым сопротивлением в проводящем состоянии (гпр л 10 Ом). Благодаря этим особенностям диоды Шоттки являются незаменимыми компонентами там, где требуются высокое быстродействие и малые потери.

В зависимости от назначения схемы к диодным ключам предъявляются различные требования. Так, например, в большинстве случаев желательно иметь диоды с малым напряжением отпирания 1/0т, с тем чтобы уменьшалась рассеиваемая на диоде мощность. Однако при использовании диодного ключа в схеме с повышенной помехоустойчивостью, наоборот, стремятся применять диод с относительно большим напряжением отпирания.

Наибольшим напряжением отпирания обладает эмиттерныи переход при разомкнутом коллекторе ( 2.4, а); тепловой ток эмиттерного перехода /эТ меньше 1кТ, поэтому при заданном уровне тока /От соответствующее ему напряжение отпирания

4. Выбираем фиксирующий диод. Целесообразно использовать импульсный германиевый диод с относительно малым напряжением отпирания. Можно использовать германиевый мезадиод Д311.

Диоды смещения (ТД4 и ТД5) должны обладать возможно большим напряжением отпирания L/OT (это способствует повышению помехоустойчивости элемента), малым сопротивлением в проводящем состоянии и сравнительно большим временем рассасывания носителей с тем, чтобы ускорить запирание транзистора Т [151. Указанным требованиям удовлетворяет диодный ключ, построенный на параллельно включенных эмиттерном и коллекторном переходах транзисторной структуры, (см. пример 8). Применив два диода смещения, можно обеспечить нормальную работу элемента при помехах отпирающей полярности с амплитудой

1. Выбираем схемы включения транзисторов, используемых в качестве диодов в цепи обратной связи и в цепи смещения. Диод в цепи обратной связи должен обладать возможно меньшим временем рассасывания, низким напряжением отпирания и малым прямым сопротивлением. Указанным требованиям наиболее полно удовлетворяет диод, собранный на эмиттерном переходе интегрального транзистора с закороченным коллектором (см. пример 7).

где (/кос и ияс — прямое падение напряжения на диодах в цепях обратной связи и смещения. Следовательно, диод смещения должен обладать большим напряжением отпирания, чем диод в цепи обратной связи. Это будет способствовать повышению помехоустойчивости схемы. Чтобы не происходило заметного уменьшения управляющего тока /упр, отбираемого от источника входных импульсов, желательно выбирать диод смещения с малым прямым сопротивлением. При этом целесооб-