Напряжением называется

Необходимо отметить, что при воздействии напряжения ?/си /7-и-переходы затвора тоже смещаются в обратном направлении, но при этом оказывается, что напряжение, действующее в канале вблизи стока, имеет большее значение (/?-«-переход шире), чем вблизи истока. Этим обстоятельством и определяется вид выходных ВАХ полевого транзистора, приведенных на 2.21. Напряжение t/CH, начиная с которого формируется пологая часть характеристики, принято называть напряжением насыщения. Его можно рассчитать как ?/сн = С/0 — U3H, откуда следует, что при увеличении С/зи (по абсолютной величине) напряжение Uca уменьшается (см. 2.21).

При некотором значении напряжения на стоке, равном С/си нас» которое называют напряжением насыщения (следует помнить, что режимы насыщения полевого и биполярного транзисторов не имеют ничего общего, кроме названий) , канал перекрывается вблизи истока из-за сближения областей пространственного заряда ( 52, в) и его сопротивление становится большим. При t/си > ^СИ нас канал становится настолько узким, что ток /с остается почти неизменным с изменением t/си (участок // на 53) . При этом зона перекрытия канала распространяется к истоку.

Семейство стоковых характеристик полевого транзистора с р — «-переходами приведено на 58, а. Семейство характеристик снимается для нескольких значений напряжения U3a. При ?/зи = 0 увеличение напряжения ?/Си приводит к росту тока стока /с1. Вначале зависимость /с— /(С/си) будет близка к линейной (участок ОА). Однако с возрастанием тока /с увеличивается падение напряжения на сопротивлении канала, что ведет к росту обратного смещения р — n-перехода. Обратное напряжение на р — «-переходе увеличивается в направлении от истока к стоку. Соответственно ширина р — n-перехода в этом направлении растет, а токопроводящий канал сужается, что замедляет рост тока. В итоге ширина проводящего канала (около стока) сужается и становится почти равной нулю (см. штриховые линии и точку О на 53). Это приведет к отсечке тока в стоковой цепи. При этом на характеристике, начиная с точки А, получается почти горизонтальный участок. На этом участке увеличение напряжения Uca не приводит к росту тока /с. Такой режим называется насыщенным, а напряжение (7си.нас, при котором он наступает, — напряжением насыщения. С увеличением отрицательного напряжения на затворе характеристики тока стока будут располагаться ниже характеристики при С/зи=0. Это объясняется уменьшением сечения канала ввиду роста толщины

тому, что сечение канала вблизи области истока сужается. При некотором критическом напряжении на стоке, называемом напряжением насыщения, разность потенциалов между затвором и поверхностью на границе области стока становится равной нулю. В то же время в этой точке обращается в нуль напряженность электрического поля в диэлектрике и удельный заряд носителей в канале. Образуется так называемая горловина канала. Напряжение насыщения

емкость, встречаются также и кенотроны с вольфрамовым катодом ( V. 5, б). На V. 5, г поясняется наиболее общий случай работы выпрямителя. Здесь вольт-амперная характеристика вентиля с гпр = tg а, током /s и напряжением насыщения Es заменена характеристикой эквивалентного вентиля гпр.жв = гпр + г^ = г — tg ag и изменившимся напряжением насыщения — Esg. К вентилю прикладывается напряжение е\\ — ?/н.ср, которое превышает величину Esg. Поэтому, как это видно из рисунка, ток через фазу будет иметь форму синусоиды, усеченной сверху (на уровне тока насыщения /s) и снизу (на нулевом уровне тока). Углы верхней и нижней отсечек тока обозначены соответственно через ф и 0. При полупроводниковом диоде и кенотроне на оксидном катоде угол ф = 0, а ток через вентиль не должен превышать допустимого imax. Сравнительные величины при работе с полупроводниковым диодом и с кенотроном на оксидном катоде, или на кенотроне с вольфрамовым катодом, приводятся в табл. 9.

^Ктшдоп — называют также напряжением насыщения транзистора ^к.э.нас, оно приблизительно пропорционально /Кср.

ка /с и одновременно повышение градиента потенциала. В результате обедненный слой расширяется, сопротивление между стоком и истоком возрастает и появляется тенденция к ограничению тока. Дальнейшее повышение напряжения ?/с.и не вызывает больше увеличение тока /с. Напряжение между стоком и истоком, при котором начинается ограничение тока, называют напряжением насыщения f/с.и. нас-

VT4 закрывается. Транзистор VT3 открывается эмиттерным током транзистора VT2 и также переходит в режим насыщения. При этом выходное напряжение соответствует напряжению низкого уровня и определяется напряжением насыщения транзистора VT3. Для того чтобы транзистор VT4 не открывался при понижении выходного напряжения, в схему введен транзистор VT5. Напряжение на базе VT4 в рассматриваемом состоянии ЛЭ ?/Б4 = ?/БЭЗ + ?/кэнас2, где ^БЭЗ — напряжение база — эмиттер транзистора VT3 в режиме насыщения; ?/кэнас2—напряжение насыщения транзистора VT2. Если предположить, что в худшем с точки зрения обеспечения запирания транзистора VT4 случае Vвых = U° « 0, то и при этом напряжение 1/Б4 := 0,7+0,1 = 0,8 В (при Т — 25 °С) недостаточно для отпирания двух последовательно включенных эмиттерных переходов транзисторов VT4 и VT5.

Напряжение на стоке, при котором суммарное напряжение I t/зи I + [/синае становится равным напряжению отсечки 1/зиотс> называют напряжением насыщения [/синас- Отсюда

Чтобы обеспечить режим насыщения транзистора, его ток базы /Б выбирается больше критического значения тока базы. Падение напряжения на транзисторе, который находится в режиме насыщения, называется напряжением насыщения ?/кэнас-

Если в выражении (6.9) заменить напряжение на затворе t/зи напряжением на стоке, при котором происходит насыщение, и напряжением отсечки ?/ЗИотс, пользуясь соотношением (6.10), то получим связь между током и напряжением насыщения:

Напряжением называется скалярная величина, равная линейному интегралу напряженности электрического поля. Разность потенциалов — напряжение в безвихревом электрическом поле, в котором напряжение не зависит от пути интегрирования. (Электрическое поле цепи постоянного тока — безвихревое.) Она вычисляется вдоль любых участков цепи, не содержащих ЭДС источников.

Напряжением называется скалярная величина, равная линейному интегралу напряженности электрического поля. Разность потенциалов -напряжение в безвихревом электрическом поле, в котором напряжение не зависит от пути интегрирования. (Электрическое поле цепи постоянного тока - безвихревое.) Она вычисляется вдоль любых участков цепи, не содержащих ЭДС источников.

Напряжением называется скалярная величина, равная линейному интегралу напряженности электрического поля. Разность потенциалов — напряжение в безвихревом электрическом поле, в котором напряжение не зависит от пути интегрирования. (Электрическое поле цепи постоянного тока — безвихревое.) Она вычисляется вдоль любых участков цепи, не содержащих ЭДС источников.

Занос высоких потенциалов — перенесение высоких электрических потенциалов в здания по внешним металлическим сооружениям и коммуникациям, а также по проводам воздушных линий (электро-, радио-, телефонных) при прямых ударах молнии в них. Образующиеся искры от вторичного воздействия молнии могут быть причиной взрыва в помещениях с наличием взрывоопасных смесей. Для людей и животных, находящихся на расстоянии 5—10 м от места удара молнии в землю, воз-, никает опасность шагового напряжения. Шаговым напряжением называется напряжение, приходящееся на длину шага человека или животного, образуемое на поверхности грунта током молнии. Вероятность поражения молнией зданий и сооружений зависит от интенсивности грозовой деятельности в данной местности, рельефа ме-

Из (3.35) следует, что критическим' напряжением называется напряжение, при котором опрокидывающий момент соответствует ;рабочей нагрузке:

Электрическое соединение, при котором все потребители находятся под одним и тем же напряжением, называется параллельным ( 5.2).

Алгебраическая разность между первичным и приведенным вторичным напряжением, называется изменением напряжения в трансформаторе, зависит не только от значений токов /j и /2, но и от рода нагрузки (угла ср2)- Д113 нахождения изменения напряжения в трансформаторе видоизменим и упростим векторную диаграмму, изображенную на 11-6. Для этого повернем всю нижнюю часть диаграммы в плоскости чертежа так, чтобы вектор Ё1 = Ё2 совпал с равным ему по величине вектором — ?j. Пренебрегая относительно малым током холостого хода /0, получим совпадение приведенного вторичного тока

Начальным напряжением называется напряжение химического источника тока в начале разряда, измеряемое через установленный промежуток времени. Обычно его измеряют через 0,05—5 мин после начала разряда. При разряде, когда источник тока отдает всю свою электрическую энергию за несколько секунд или минут, начальное напряжение измеряется непосредственно после включения. При разряде, который длится несколько часов, дней или месяцев, начальным напряжением считается напряжение, измеренное не позднее чем через 5 мин после начала разряда. В условиях низких температур, особенно при больших плотностях тока, начальное напряжение ниже, чем при температуре 20—30° С, которая принята нормальной температурой эксплуатации источников тока.

нальным входным напряжением называется напряжение, которое нужно подвести к входу усилителя, чтобы получить на выходе заданную мощность. Входное напряжение зависит от типа источника усиливаемых колебаний. Чем меньше величина входного напряжения, обеспечивающего требуемую выходную мощность, тем выше чувствительность усилителя. Подача на вход усилителя напряжения, превышающего номинальное, приводит к значительным искажениям сигнала и называется перегрузкой со стороны входа. Если усилитель предназначен для работы от нескольких источников, то его вход рассчитывается обычно на наименьшее найряже-ние, которое дает один из источников, а другие источники сигнала включаются через делители напряжения.

Номинальным первичным напряжением называется напряжение, указанное на щитке трансформатора; если первичная обмотка имеет ответвления, то ее номинальное напряжение отмечается особо.

Номинальным вторичным напряжением называется напряжение на зажимах вторичной обмотки при холостом ходе трансформатора и при номинальном напряжении на зажимах первичной обмотки; если вторичная обмотка имеет ответвления, то ее номинальное напряжение отмечается особо.