Напряжения прикосновения

вольтметра V. Полярность напряжения, прикладываемого к образцу, можно изменять при помощи переключателя Я/. Это необходимо при испытаниях неоднородных материалов. В этом случае

пускает в нагрузку ток te2, а диоды Д\ и Д3 — заперты. В интервал времени <з — /4 ток в нагрузку пропускает диод Дз и т. д. Таким образом, каждый диод работает треть периода (2л/3). Точки q, r, s являются точками естественного переключения вентилей. Токи всех диодов проходят через нагрузку в одном и том же направлении, обусловливая ток нагрузки ij. При этом в любой момент времени ток работающего диода определяется значением фазного напряжения, прикладываемого к данному диоду, и сопротивлением нагрузки /?„. Поэтому при активной нагрузке мгновенное значение напряжения на нагрузке Ud повторяет форму тока нагрузки id (см. 8.5,0). Среднее значение выпрямленного напряжения

Отсюда следует важный вывод о том, что сопротивление канала МДП-транзистора можно изменять в широких пределах путем изменения напряжения, прикладываемого к затвору.

Увлажненность изоляции влияет в первую очередь на значение Rac>c- Чем больше увлажненность, тем меньше /?абс, и в этом случае ток поляризации увеличивается, затухание его происходит быстрее. Это свойство используется в методе определения состояния изоляции с помощью мега-омметра, который объединяет в себе источник выпрямленного напряжения, прикладываемого при измерениях к изоляции, и прибора, измеряющего ток.

5. Производится проверка условий работоспособности диодов и транзисторов ИФТ, связанных с допустимыми значениями тока и напряжения в наихудших условиях. При этом необходимо учитывать, что величина импульса обратного напряжения, прикладываемого к диоду и транзистору, сильно зависит от времени пере-магничивания сердечников т, которое в свою очередь зависит от температуры из-за температурного изменения динамических параметров сердечников.

Нетрудно догадаться, что ток через переход прямо пропорционален избыточной концентрации неосновных Ар„, А я,, (при инжекции) и основных Дрр, Дя„ (при экстракции) носителей заряда, которые, в свою очередь, зависят от прикладываемого внешнего напряжения прямого или обратного [(3.8) и (3.9)].

В ряде случаев необходимо иметь зависимость тока от напряжения, прикладываемого к р-п переходу. Такую зависимость можно получить в результате преобразования уравнений (3.8) и (3.9). После этого теоретическая зависимость тока от напряжения будет иметь вид

Рассмотрим схему адресного коммутатора с использованием только р-п-р транзисторов и диодов ( 4-24). Коммутатор имоет две группы возбудителей. Группа возбудителей 7\, .. , Тп и Яь ..., /7т создает в выбранной линии [одной из (пт)] ток нужной полярности, например, ток чтения. Другая группа возбудителей 7*1,..., Тп и П\, .... П'т создает в выбранной линии ток другой полярности, скажем, ток записи. Диоды Д\, ... ...,ДП и Д[, ..., Д'п, Bj, ..., Вт введены в схему с целью увеличения допустимого обратного напряжения, прикладываемого к базам соответствующих транзисторов. Это необходимо потому, что высокочастотные германиевые транзисторы имеют допустимую величину обратного на-

Рассмотрим схему адресного коммутатора с использованием только р-п-р транзисторов и диодов ( 4-24). Коммутатор имеет две группы возбудителей. Группа возбудителей Тъ ..., Тп и Яь ..., /7т создает в выбранной линии [одной из (ппг)] ток нужной полярности, например, ток чтения. Другая группа возбудителей Т[, ..., Тп и П:, .... П'т создает в выбранной линии ток другой полярности, скажем, ток записи. Диоды Д\, ... ...,ДП и Д[, ..., Д'п, В:, ..., Вт введены в схему с целью увеличения допустимого обратного напряжения, прикладываемого к базам соответствующих транзисторов. Это необходимо потому, что высокочастотные германиевые транзисторы имеют допустимую величину обратного на-

максимально допустимое повторяющееся импульсное напряжение Un — наибольшее мгновенное значение напряжения, прикладываемого к тиристору в закрытом состоянии, включая все повторяющиеся перенапряжения, но исключая все неповторяющиеся;

максимально допустимое неповторяющееся импульсное напряжение^/яп — наибольшее мгновенное значение любого неповторяющегося перенапряжения, прикладываемого к тиристору в закрытом состоянии;

Большое число отходящих ЛЭП крупных РУ различных напряжений обусловливает относительно большую плотность замыканий на землю как за пределами электростанции, так и непосредственно на ее территории. Для надежного обеспечения электробезопасности проектирование ЗУ целесообразно проводить по нормам напряжения прикосновения.

Наряду с нормами напряжения прикосновения или сопротивления ЗУ действует и вторая нормированная характеристика напряжение на ЗУ {УзУнорм, которое не должно превышать 10 кВ. При напряжениях на ЗУ более 5 и менее 10 кВ должны быть предусмотрены меры по предотвращению появления опасных потенциалов за пределами электроустановки и по защите изоляции кабельных линий связи и телемеханики. Напряжение выше 10 кВ разрешается на ЗУ, с которых не возможен вынос потенциалов за пределы зданий и сооружений электроустановки. Оптимизация конструктивных параметров ЗУ по критерию минимума капитальных затрат целесообразна при напряжениях на ЗУ, не превышающих 5 кВ.

Если Ze^/?3yIIp.HOpM или ZeK^yHoPM, то требуемая норма сопротивления ЗУ обеспечивается естественными заземлителя-ми. Искусственные заземлители необходимы для присоединения заземляемого оборудования и обеспечения допустимого напряжения прикосновения.

Для снижения напряжения прикосновения у рабочих мест разрешается в обоснованных случаях выполнять подсыпку щебня слоем 0,1—0,2м.

При вводе ЗУ в эксплуатацию выполняются измерения их характеристик и результаты измерения сравниваются с нормами. Поэтому на стадии проектирования ЗУ напряжением ПОкВ и выше намечаются контрольные точки и рассчитываются в этих точках напряжения прикосновения. На плане ЗУ указываются также точки, в которых устанавливаются токовый и измерительный электроды, и определяется поправка к результатам измерения устройства.

Расчет напряжения прикосновения в различных точках на территории РУ электростанции при замыканиях на землю возможен только при использовании точных методов и ЭВМ. Инженерные методы расчета позволяют определить наибольшее напряжение прикосновения при особо неблагоприятных обстоятельствах, когда человек находится в центре крайней угловой ячейки ЗУ и прикасается рукой к находящейся под напряжением заземленной нетоковедущей части:

Коэффициент М, являющийся функцией Pi/'p^. находится по кривой 7.7. Коэффициент рп рассчитывается по соот ношению р„ = /?г/(/?., + RH.п). где R, сопротивление тела человека, являющееся нелинейной функцией напряжения прикосновения. Ом: /?н „ сопротивление растеканию тока с ног человека в землю при прикосновении. Ом. Ориентировочно /?„.„ находится по выражению

В ГПИ «Энергосетытроект» разработана и применяется программа RZUP 2009 «Расчет заземляющих устройств подстанций». Метод расчета рассмотрен в работе «Временные руководящие указания по проектированию заземляющих устройств подстанций напряжением 3—750 кВ». Оптимизация параметров ЗУ в программе производится по условию допустимого напряжения прикосновения, по условию допустимого сопротивления растеканию, по условию допустимого сопротивления растеканию и по условию напряжения прикосновения. Программа реализована на алгоритмическом языке ФОРТРАН для ОС ЕС.

Не реже одного раза в месяц должны производиться: наружный осмотр всех заземлений, измерение сопротивления заземления каждой заземленной установки и определение напряжения прикосновения и напряжения шага. Результаты осмотра и испытаний должны заноситься в шнуровую книгу, которую ведет главный энергетик или главный механик шахты или карьера.

Таблица 6. Напряжения прикосновения и тока, проходящие через тело человека при нормальном (неаварийном) режиме электроустановки

Примечания:!. Напряжения прикосновения и токи приведены при продолжительности воздействия не более 10 мин в сутки и установлены, исходя из реакции ощущения. 2. Напряжения прикосновения и токи для лиц, выполняющих работу в условиях высоких температур (выше 25 °С) и влажности (относительная влажность более 75%), должны быть уменьшены в три раза.