Наблюдается зависимость

наблюдается увеличение ЭДС гармонической обмотки. Это приводит к увеличению тока возбуждения возбудителя при питании системы возбуждения от гармонической обмотки, т.е. на всем диапазоне изменения тока нагрузки наблюдается автоматическое компаундирование.

увлекающие с собой грубодисперсные примеси. При этом наблюдается увеличение прозрачности исходной воды.

3.67. В анодную цепь диода включен нагрузочный резистор ./?а, сопротивление которого во много раз больше сопротивления диода постоянному току i/?0 (см. 3.13). При уменьшении напряжения накала диода наблюдается увеличение мощности, рассеиваемой анодом (анод раскаляется докрасна). Объяснить это явление.

Внутреннее сопротивление на пологом участке в. а. х. обусловлено зависимостью длины канала от напряжения между истоком и стоком. При возрастании напряжения t/ol наблюдается увеличение ширины стокового перехода А/, и соответственно уменьшение длины канала L'. Это вызывает увеличение удельной крутизны b и тока стока /,.. Внутреннее сопротивление МДП-транзистора

С ростом частоты переключения у многих цифровых устройств наблюдается увеличение потребляемого тока. Для учета этого явления используют дополнительный параметр — динамическую мощность Р при максимальной частоте переключения fumax: Pu = CJ'nmax(Ul — U0), где Сн — емкость нагрузки. Максимальная частота переключения обратно пропорциональна среднему времени задержки: fnmax»4/t3.ep.

^Ри Уменьшении температуры окружающей среды наблюдается увеличение прямого и падение об-ратного сопротивлений, что приво-Дит к увеличению прямого падения напряжения и обратного тока, и ° снижает выпрямленное напряже-

Интегральный шум полевых транзисторов определяется в основном тепловым шумом, источником которого является проводящий канал. При большом входном сопротивлении следует учитывать и шум затвора, который определяется дробовым эффектом, обусловленным флюктуацией носителей, поступающих на затвор и уходящих z него. На высоких частотах из-за емкостной связи между каналом и затвором наблюдается увеличение шума затвора. В качественных приборах этой составляющей шума на частотах ниже 1 кГц можно пренебречь. Следовательно, для полевых приборов можно ис-пользонать значение низкочастотного шума 1// при оценке надежности.

излучения обусловлено.главным образом радиационными эффектами в диэлектрике затвора и на границе диэлектрик — полупроводник. Повышенная концентрация дефектов в переходном слое обусловлена различием в строении и в физических свойствах полупроводника и диэлектрика. Как видно из 6.13, соприкосновение двух веществ приводит к возникновению дефектов в виде оборванных и напряженных валентных связей в переходном слое. При воздействии радиации на структуру диэлектрик—полупроводник в ней наблюдается увеличение плотности поверхностных состояний и заряда в объеме диэлектрика. Процесс образования заряда в объеме диэлектрика определяется поглощенной до-зой ионизирующего излучения, значением и полярностью приложенного напряжения, концентрацией ловушек. В пленке двуокиси кремния, которая наиболее часто 250

В жидкостях улучшенной очистки, но не доведенных до предельно чистого состояния, проводимость практически не зависит от напряженности электрического поля до значений около 0,1 МВ/м. При больших напряженностях наблюдается более резкий рост тока, чем по закону Ома, — наблюдается увеличение проводимости, по-видимому, за счет увеличения подвижности ионов. В жидких диэлектриках обычной технической чистоты зависимость тока утечки от напряженности имеет довольно неопределенный характер. При достаточно больших значениях напряженности в обычных недегазированных жидкостях наблюдается увеличение тока утечки за, счет ударной ионизации газовых объемов, находящихся в жидкости в растворенном состоянии.

Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p-n-переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока.

Для улучшения магнитных свойств сплавы подвергают кристаллической текстуре, которая создается при направленной кристаллизации сплава (особые условия охлаждения сплава), в результате возникает микроструктура в виде ориентированных столбчатых кристаллов. При этом наблюдается увеличение всех магнитных параметров. Магнитная энергия (ВН)та* повышается на 60—70 % по сравнению с обычной кристаллизацией и достигает 40 кДж/м3.

Поляризация зависит от химической природы и структуры электрода, состава и концентрации электролита, плотности тока, температуры, конструкции электрода. Для. некоторых (в основном окис-ных) электродов наблюдается зависимость поляризации от степени разряженное™ электрода.

Для внутренней изоляции любого типа наблюдается зависимость пробивного напряжения от площади электродов S или от объема V изоляции. _V«t_ Чтобы пояснить причины и характер

У гигроскопичных материалов объемная проводимость возрастает при нахождении их во влажном воздухе за счет поглощения влаги, которое происходит тем сильней, чем больше относительная влажность воздуха. Это явление обратимое: при удалении гигроскопической воды сушкой сопротивление восстанавливается. У диэлектриков, не обладающих объемной влагопоглощаемостью, например у плотной керамики, объемная проводимость практически не зависит от влажности окружающего воздуха. У влажных диэлектриков на практике часто наблюдается зависимость сопротивления от температуры, аналогичная представленной на 2-13. Максимум в графике зависимости сопротивления от температуры объясняется удалением гигроскопической

Измерение производят на низких частотах, где наблюдается зависимость Ко.сн от частоты.

В связи с этим рассмотрим кратко работу транзистора при малых токах. Основным активным элементом микромощных ИМС является биполярный кремниевый транзистор п-р-л-типа. Особенность работы этих транзисторов обусловлена малыми коллекторными токами в открытом состоянии. Как видно из 6.7 в области малых токов наблюдается зависимость коэффициента усиления кремниевого транзистора от тока коллектора: при уменьшении тока коллектора коэффициент усиления уменьшается. Это объясняется вниянием тока рекомбинации в эмиттерном переходе.

Испытания систем слежения, управляемых человеком, показали, что второй член в функции корреляции (2.36) обычно бывает мал по сравнению с первым, и поэтому при оценке ошибок слежения им можно пренебречь. Между декрементом затухания. а и частотой Q наблюдается зависимость

Критическая плотность теплового потока. Для кольцевых каналов в общем виде наблюдается зависимость <7кр = / (р, pw, x, d, , da, /)• Кроме того, обнаруживается влияние характера подвода тепла, поскольку тепло может подводиться либо с одной поверхности — внутренней или внешней (?'), либо с двух (q").

Основная функция осциллографа заключается в воспроизведении в графическом виде различных электрических колебаний (осциллограмм), так как это принято в радиотехнике. Чаще всего с помощью осциллограмм наблюдается зависимость напряжения (тока) от времени и (/) в декартовой системе координат. Ось X является осью времени, а по оси.У откладывается напряжение сигнала.

Поскольку напряжение генератора развертки, подводимое через усилитель к горизонтально отклоняющим пластинам ЭЛТ, изменяется синхронно с напряжением частотной модуляции, а значит, и с выходным колебанием генератора СВЧ, то на экране трубки наблюдается зависимость квадрата коэффициента отражения от частоты. Она дает общую картину изменения КСВ, т.е. панораму. Изменение частоты колебаний ГКЧ контролируется по частотомеру.

Вследствие большого числа зерен вольт-амперная характеристика варистора является симметричной ( 2.25,6). Рассчитать вольт-амперную характеристику Варисторов не представляется возможным из-за наличия почти всех возможных механизмов электропроводности и отсутствия полной информации о структуре границ между зернами. Поэтому на практике пользуются эмпирическими формулами, например I=BVK, где К — коэффициент нелинейности, а В — постоянная. Экспериментально наблюдается зависимость К 90