Напряжения обратного

ми, изменяющимися, синусоидальными и несинусоидальными. Постоянные э. д. с. и напряжения обозначают прописными буквами Е и U, а изменяющиеся э. д .с. и напряжения — строчными буквами е и и.

Источник напряжения полностью характеризуется своим задающим напряжением иг (индекс «г» соответствует генератору), или электродвижущей силой ег ( 1.4, в). Внутреннее сопротивление источника напряжения равно нулю и иногда при изображении источника напряжения обозначают знаком « + » только один из зажимов и не показывают стрелкой положительное направление иг, имея в виду, что оно действует от « + » к « —» ( 1.4,6). Часто при анализе цепей ограничиваются изображением только зажимов источника напряжения, как показано на 1.1,6.

Трансформатор напряжения. Его выполняют в виде двухобмоточного понижающего трансформатора ( 2.42, а) с k = wjwz- Для обеспечения безопасности работы обслуживающего персонала вторичную обмотку тщательно изолируют от первичной и заземляют. Условно трансформатор напряжения обозначают так же, как и двухобмоточный трансформатор.

Для подключения трансформатора к линиям электропередачи на крышке бака имеются вводы, представляющие собой фарфоровые изоляторы, внутри которых проходят медные стержни. Вводы высшего напряжения обозначают буквами А, В, С, вводы низшего напряжения — буквами а, Ь, с. Ввод нулевого провода располагают слева от ввода а и обозначают О ( 7.7).

Трехфазные трансформаторы преобразуют электрическую энергию в трехфазных цепях с одним соотношением линейных напряжений и токов в электрическую энергию с другим соотношением этих же величин при неизменной частоте. В стержневых трехфазных трансформаторах с расположением трех стержней в одной плоскости, замкнутых вверху и внизу ярмами, имеются две трехфазные обмотки — высшего напряжения (ВН) и низшего напряжения (НН), в каждую из которых входят по три фазные обмотки, или фазы. Следовательно, трехфазный трансформатор имеет шесть независимых фазных обмоток и 12 выводов с соответствующими зажимами, причем начальные выводы фаз обмотки высшего напряжения обозначают буквами А, В, С, конечные выводы — X, Y, Z, а для фаз обмохки низшего напряжения применяют аналогичные обозначения — а, Ь, с их, у, г. Фазные обмотки высшего и низшего напряжений соединяют звездой или треугольником, причем при соединении их звездой нейтральные точки обозначают соответственно буквами Оно.

Напряжение между линейными проводами назьшают линейным и часто снабжают двумя индексами, например UAB (линейное напряжение между точками Л и В); модуль линейного напряжения обозначают 1/„.

Принято начала фаз обмоток высшего напряжения обозначать А, В, С, а их концы — X, У, Z; начала фаз обмоток низшего напряжения обозначают а, Ь, с, а концы — х, у, z.

Напряжения между любыми узлами и базисным узлом называют узловыми напряжениями этих узлов. Очевидно, узловое напряжение базисного узла равно нулю, если даже он не заземлен. Подобно потенц'иалам узлов на 1.1, узловые напряжения обозначают буквой и с соответствующими индексами, как показано на 2.17, е. При этом направление отсчета узловых напряжений не отмечают стрелкой, поскольку все они отсчитываются относительно базисного узла. Нетрудно видеть, что напряжение ветви равно разности узловых напряжений тех узлов, которые соединены этой ветвью. Например, если в цепи на 2.17, е отключить заземление, то потенциал узла г станет отличным от нуля (иг=7^0), а его узловое напряжение иг = иг— — иг = 0. Тогда узлы а, б, в с потенциалами va, ve, vg будут иметь узловые напряжения иа = иа — ve, Ue = v6 — ог и ив = vg — иг. При этом напряжение ветви 4—5—6 равно va — v6 = ua — иб, а напряжение ветви 7, например, равно узловому напряжению и„.

Обмотки высшего (ВН) и низшего (НН) напряжений каждой из фаз трансформатора размещают на стержне концентрически одна поверх другой. Обычно ближе к стержню располагают обмотку НН. Обмотки изолированы друг от друга и от стержня, их наматывают в одну сторону, каждая из них имеет условное начало и конец. Принято начала фаз обмоток высшего напряжения обозначать А, В, С, а их концы - X, Y, Z; начала фаз обмоток низшего напряжения обозначают а, Ь, с, а концы -х, у, z.

В импульсно-потенциальных ИМС могут использоваться как потенциальные, так и импульсные сигналы. При этом импульсные входы, управляемые перепадом напряжения, обозначают косой чертой, указывающей направление перепада напряжения (/ или \).

Источник напряжения полностью характеризуется своим задающим напряжением иГ (индекс «г» соответствует генератору), или электродвижущей силой еТ ( 1.4, в). Внутреннее сопротивление источника напряжения равно нулю и иногда при изображении источника напряжения обозначают знаком « + » только один из зажимов и не показывают стрелкой положительное направление иг, имея в виду, что оно действует от « + » к « —» ( 1.4, б). Часто при анализе цепей ограничиваются изображением только зажимов источника напряжения, как показано на 1.1,5.

Принцип действия полевого транзистора с /7-л-переходом основан на изменении сопротивления активного слоя (канала) путем расширения р-и-перехода при подаче на него напряжения обратного смещения. На 2.20 приведен идеализированный разрез полевого транзистора с и-каналом. Выводы, сделанные от противоположных сторон пластины полупроводника «-типа, называются истоком и стоком (обозначены И и С соответственно). Вывод от р-области называется затвором (обозначен 3). В большинстве случаев выводы от затворов соединены между собой, поэтому в полевом

8.55. Коэффициентом несимметрии системы называется отношение составляющей напряжения обратного следования фаз к составляющей прямого следования фаз.

Обычно не выполняется ни одно из этих условий, причем при проектировании полупроводниковых ИМС возникают особенно большие трудности. Например, полупроводниковые диффузионные резисторы и конденсаторы имеют паразитные емкости относительно подложки, значения которых зависят от напряжения обратного смещения. Такие паразитные емкости носят распределенный характер и, следовательно, замена их дискретными емкостями может быть только приближенной. Если элементы схемы изолированы р-п-переходом, то для каждого из них характерно возникновение емкости, обладающей теми же свойствами.

объемного заряда в виде электронно-дырочных пар. При этом в обратном токе появляется составляющая, пропорциональная ширине области объемного заряда и зависящая от напряжения обратного смещения. В этом случае прямой ток на начальном участке в.а.х. (кривая 2 на 2.19) оказывается больше, чем / /пЛл это следует из соотношения (2.62).

Тепловой пробой чаще всего наблюдается в мощных выпрямительных диодах и связан с нарушением теплового равновесия, при котором выделяемое в p-n-переходе количество теплоты превышает отдаваемое окружающей среде. В результате температура диода начинает самопроизвольно повышаться вплоть до выхода прибора из строя. Такие условия возникают, если увеличение обратного тока /обр, вызванное некоторым повышением температуры АГь приводит к дополнительному нагреву р-я-пере-хода на A72>A7V Вследствие экспоненциальной зависимости обратного тока от температуры одинаковые значения ATi вызывают возрастающие с повышением температуры приращения обратного тока и разности температур ATV Поэтому при некоторой достаточно высокой температуре может выполняться услови"е ЛГ2>А7'1, и наступает тепловой пробой. Величина ДГ2 пропорциональна приращению мощности, рассеиваемой в р-п-переходе за счет обратного тока, следовательно, она возрастает при повышении напряжения обратного смещения. Отсюда можно заключить, что более высокому обратному напряжению соответствует более низкая температура, при которой также развивается тепловой пробой.

Барьерная емкость уменьшается с увеличением напряжения обратного смещения. Если (/о<0, то всю емкость р-я-перехода можно считать равной его барьерной емкости.

2.35. Эквивалентная схема интегрального конденсатора на основе р-/г-перехода (а) и зависимость отношения емкости р-п-пере-хода Ci к паразитной емкости С'2 от напряжения обратного смещения подложки (б): / — Уо>= О В; 2 — (/с2= 5 В

напряжения обратного смещения, приложенного к переходу, а также от диффузионного, или контактного, потенциала фк. С повышением напряжения обратного смещения ширина области объемного заряда увеличивается и, следовательно, барьерная емкость уменьшается. Вычисление барьерной емкости сводится к вычислению зависимости ширины области объемного заряда от напряжения обратного смещения, так как эту емкость можно определить из выражения

объемного заряда, обусловленного концентрациями неподвижных ионизированных атомов акцепторной и донорной примесей (б), а также напряженности электрического поля и полного напряжения обратного смещения (в) для p-n-перехода со ступенчатым законом распределения.

На 2.37 показаны распределения результирующей концентрации примесных атомов Wpei = а* (а), плотности объемного заряда (б), напряженности электрического поля и полного напряжения обратного смещения (в) для р-и-перехода с линейным законом распределения.

барьерной емкости С0 для каждого из этих переходов в зависимости от полного напряжения обратного смещения для интегральной структуры с примесным профилем распределения, приведенным на 2.16. В этой же таблице приведены емкости Со перехода коллектор — подложка для подложки, не содержащей скрытого п+-слоя.