Напряжения наступает

Пренебрегая малым значением напряжения насыщения "вхнас, введем понятие идеального ОУ, у которого коэффициент усиления напряжения в режиме холостого хода и входное сопротивление имеют бесконечно большие значения, т. е. ?цх -*°° игвх -*<». Это равносильно тому, что напряжение и ток на входе идеального ОУ в режиме усиления сигналов равны нулю

дальным напряжением, амплитудное значение которого несколько меньше напряжения насыщения, а кривую намагничивания материала сердечника с достаточной точностью можно заменить тремя прямыми ( 3.9, б).

Как видно из 5.8, стабильность датчика будет определяться стабильностью точки пересечения результирующей характеристики U я = f (^cp) с осью абсцисс, стабильность которой, в свою очередь, будет определяться постоянством величины напряжения насыщения дросселя U,. ' ' '

Пренебрегая малым значением напряжения насыщения "вх нас, введем понятие идеального ОУ, у которого коэффициент усиления напряжения в режиме холостого хода и входное сопротивление имеют беско-

Пренебрегая малым значением напряжения насыщения и

На 2.20, б показано семейство стоковых (выходных) характеристик /с = ф(?/сн)у,н== const- Рассмотрим характеристику семейства при напряжении на затворе U3a, равном нулю. При подаче на сток положительного относительно истока напряжения ( 2.19, б) и его увеличении ток стока возрастает по нелинейному закону. Нелинейный характер тока стока объясняется тем, что с ростом напряжения UCH, смещающего /?-«-переходы также в обратном направлении, сечение канала уменьшается, причем тем больше, чем ближе к стоку, так как падение напряжения в канале за счет тока стока растет от ?/сн(0) ==0 на истоке до ?/сн на стоке. При этом проводимость канала уменьшается и рост тока замедляется. Когда напряжение на стоке достигает уровня так называемого напряжения насыщения f/CH = UCH „ас, происходит полное перекрытие обедненными слоями канала на стоке [у истока сечение канала остается прежним, так как

к. п. д. стабилизатора в целом. ^Kmin зависит от напряжения насыщения транзистора

Важной конструктивной особенностью эпитаксиально-планарных транзисторов является скрытый слой 3 п+-типа (см. 3.1, а), предназначенный главным образом для уменьшения объемного сопротивления коллекторной области г'к и напряжения насыщения

вень Ul понижается по линейному закону в соответствии с формулой (7.8), в которой нужно заменить /вх на /вых. Уровень t/Bb,x при малых токах /ВЫх повышается также по линейному закону вследствие увеличения напряжения насыщения выходного транзистора. Точка А отделяет режим насыщения от * активного режима этого транзистора. Активный режим недопустим, так как выходное напряжение резко возрастает при увеличении выходного тока.

и его увеличении ток стока возрастает по нелинейному закону. Нелинейный характер тока стока объясняется тем, что с повышением напряжения 1/с, смещающего р-п-пе-реходы также в обратном направлении, сечение канала уменьшается, причем тем больше, чем ближе к стоку, так как падение напряжения в канале за счет тока стока растет °т ^с(0) =0 на истоке до Ue на стоке. При этом проводимость канала уменьшается и рост тока замедляется. Когда напряжение на стоке достигает уровня так называемого напряжения насыщения Uc = С/сн, происходит полное перекрытие обедненными слоями канала на стоке (у истока сечение канала остается первоначальным, так как 1/с(0) = 0). При этом дальнейшее повышение напряжения [7С приводит к слабому росту тока стока, так как одновременно увеличивается сопротивление канала (полное перекрытие канала расширяется вглубь к истоку), а ток стока достигает тока насыщения /а„. Очевидно, при 1/3 = 0 С/с.„ = l/зо- Режим пологого участка вольт-амперной характеристики называют режимом насыщения.

Модуляторы. Как следует из анализа УПТ с модуляцией сигнала (усилитель типа МДМ), его дрейф в основном определяется свой, ствами используемого модулятора. Поэтому для снижения дрейфа начального напряжения УПТ применяют балансные схемы модуляторов, в которых можно компенсировать дрейф начального напряжения. В балансной схеме модулятора, так же как и в балансной схеме усилительного каскада, используются два идентичных интегральных транзистора, которые имеют одинаковые зависимости напряжения насыщения от температуры. В результате дрейф на выходе получается близким к нулю. При балансных схемах модуляторов, реализованных на идентичных транзисторах, в УПТ с модуляцией сигнала удается получить дрейф начального уровня менее 2 мкВ/°С, а остаточное напряжение менее 150 мкВ [15, 20].

При подведении к кварцевой пластинке переменного напряжения она совершает механические колебания, частота которых зависит только от размеров и вида выреза пластинки. Поскольку размеры пластинки постоянны, то и частота колебаний постоянна. Механические колебания кварца в свою очередь вызывают собственные электрические колебания. Когда собственная частота кварца совпадает с частотой приложенного к пластине напряжения, наступает явление резонанса и механические колебания достигают максимального значения. Добротность кварцевого резонатора QKB достигает значений (2 4- 6) 10е, чего невозможно достичь в контуре с сосредоточенными параметрами.

вечности в схеме на VIII.29, е. При учете этой поправки вольт-амперная характеристика параллельного контура для абсолютных значений тока показана на VIII.29, ж (кривая II). Для сравнения на этом же рисунке показана зависимость ?/LHC = ф (/s) (кривая III) для схемы, приведенной на VIII.28, б. Как видно из VIII.29, ж, стабилизация напряжения наступает в феррорезонанс-ном стабилизаторе гораздо раньше (/,), чем в электромагнитном без конденсаторов (/2), где требуется значительный ток намагничивания. Малая величина тетка намагничивания является преимуществом схемы на VIII.29, е.

значения иекл (точка 2) коэффициенты «i и ос2 быстро возрастают, а ток скачком увеличивается до значений, превышающих /уд (участок 4). Наклон характеристики на этом участке определяется значением нагрузочного сопротивления. Взаимодействие транзисторов, условно выделенных на 16.29, приводит к такому быстрому возрастанию ai и а^, что в течение короткого времени ток увеличивается даже при снижении напряжения (участок 3). Снижение напряжения при увеличении тока свидетельствует о том, что на этом участке тиристор имеет отрицательное сопротивление. Участок 5 соответствует обратному включению переходов П\ и Яз. При некотором значении обратного напряжения наступает необратимый пробой переходов Я и Яз и тиристор разрушается (участок 6).

На 24-9, б представлена кривая восстанавливающегося напряжения при q = 1,2 и б = 0,05. При б/и < 1 можно считать, что максимум восстанавливающегося напряжения наступает приблизительно при Та/4, т. е. через l/v периодов промышленной

бочую точку выбирают таким образом, чтобы изменения коллекторного тока до границы насыщения и до начала отсечки были одинаковыми. При этом на выходе получается напряжение, симметричное относительно оси времени. Увеличение отрицательного напряжения на входе приводит к возрастанию тока коллектора и падению напряжения на нагрузке. При определенном значении входного напряжения наступает насыщение, при котором дальнейшее изменение входного напряжения не приводит к изменению коллекторного тока. Осуществляется ограничение входного напряжения снизу.

сетки Uao-увеличивается, т. е. характеристика смещается вправо. Анодные характеристики при Uc > 0 выходят из начала координат и имеют характерный излом. Начальный, более крутой участок каждой кривой соответствует режиму возврата электронов к сетке. В этом режиме в пространстве сетка—анод образуется объемный заряд электронов, возвращающихся к сетке. Анодное поле влияет на движение этих электронов непосредственно, не буДучи экранировано сеткой. Поэтому наблюдается резкий рост анодного тока при незначительном изменении напряжения Ua. При дальнейшем увеличении анодного напряжения наступает режим'прямого перехвата электронов сеткой, в котором увеличение тока /а при возрастании анодного напряжения объясняется влиянием анодного напряжения на объемный заряд у катода. Это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, и рост анодного тока, естественно, замедляется; наклон кривой анодного тока к оси абсцисс становится примерно таким же, как на характеристиках при Uc когда лампа работает без сеточного тока.

сетки Uao-увеличивается, т. е. характеристика смещается вправо. Анодные характеристики при Uc > 0 выходят из начала координат и имеют характерный излом. Начальный, более крутой участок каждой кривой соответствует режиму возврата электронов к сетке. В этом режиме в пространстве сетка—анод образуется объемный заряд электронов, возвращающихся к сетке. Анодное поле влияет на движение этих электронов непосредственно, не буДучи экранировано сеткой. Поэтому наблюдается резкий рост анодного тока при незначительном изменении напряжения Ua. При дальнейшем увеличении анодного напряжения наступает режим'прямого перехвата электронов сеткой, в котором увеличение тока /а при возрастании анодного напряжения объясняется влиянием анодного напряжения на объемный заряд у катода. Это влияние ослаблено экранирующим действием сетки, и рост анодного тока, естественно, замедляется; наклон кривой анодного тока к оси абсцисс становится примерно таким же, как на характеристиках при Uc когда лампа работает без сеточного тока.

Что произойдет, если разомкнуть переключатель, управляющий током через индуктивность? Индуктивность, как известно, характеризуется следующим свойством: U = L(dl/dt), а из этого следует, что ток нельзя выключить моментально, так как при этом на индуктивности появилось бы бесконечное напряжение. На самом деле напряжение на индуктивности резко возрастает и продолжает увеличиваться до тех пор, пока не появится ток. Электронные устройства, которые управляют индуктивными нагрузками, могут не выдержать такого роста напряжения, особенно это относится к компонентам, в которых при некоторых значениях напряжения наступает «пробой». Рассмотрим схему, представленную

Эти выражения справедливы до тех пор, пока напряжение генератора не достигло нормального значения, после чего переходный процесс практически можно считать законченным. Построенные по ним кривые приведены на 5-21 ^толстые линии). В данном случае, как видно, режим нормального напряжения наступает через 4,4 сек.

вается автоматическое отключение части нагрузки соответственно значению дефицита. По мере развития ОЭС требования к поддержанию в них нормального значения частоты непрерывно повышались, и в настоящее время верхняя граница снижения частоты, от которой начинается автоматическая разгрузка системы, достигла 49 — 49,2 Гц. Дефицит активной мощности бывает общесистемным, вызванным выпадением крупного источника генерируемой мощности, и местным, возникающим в энергодефицитных районах при аварийных потерях их связи с системой, обеспечивающей им недостающую активную мощность. Благодаря большой мощности ОЭС возможные в них дефициты активной мощности в процентном отношении невелики и вызываемые ими снижения частоты не бывают глубокими, однако и такие снижения могут быть для них опасными (см. § 42.4). В противоположность этому дефицит в аварийно отделяющихся районах может быть весьма большим относительно располагаемой мощности электростанций и вызывать глубокое снижение частоты. Последнее в первую очередь опасно для с. н. ТЭС, которые снижают свою производительность, что ведет к снижению мощности, усугублению дефицита и развитию «лавины частоты». Критической для с. н. ТЭС является частота около 46,5 Гц. Кроме того, одновременно с дефицитом активной мощности возникает дефицит и реактивной мощности, обусловленный как увеличением ее потребления вследствие снижения реактивного сопротивления элементов системы, так и некоторым понижением напряжения на электростанциях, перегруженных реактивной мощностью. В результате снижается напряжение в узлах потребления, что может приводить к неустойчивости нагрузки с развитием «лавины напряжения». Следует отметить, что при значительном снижении напряжения наступает уменьшающая дефицит мощности саморазгрузка потребителей за счет действий защиты от понижения напряжения и отпадания магнитных пускателей, что приводит к отключению и ответственных потребителей.