Напряжения лавинного

Для того чтобы нагрузка между параллельно работающими трансформаторами распределялась пропорционально их номинальным мощностям, трансформаторы должны имен» одинаковое значение напряжения короткого замыкания.

3) одинаковые напряжения короткого замыкания (допускается отклонение ± 10%).

Как увидим далее, полезно знать еще две величины — активную и реактивную составляющие напряжения короткого замыкания:

Обычно треугольник ABC строится для тока короткого эамыка-ния, равного Н9минадьному первичному току трансфоркатора( 1. fH номинальном напряжении короткого замыкания. Этот треугольник навевается треугольником короткого еамыкания трансформатора. Для простоты треугольник короткого вамыкания строится бее указания направления векторов, а стороны его откладываются в проценах от номинального напряжения трансформатора ( 1.13г). Так,гипотенуза треугольника короткого еамннания АС равна величине напряжения ко* роткого ваиннания tt* %, катеты АВ и АС - активной и реактивной составляющей ifW)fy»5J напряжения короткого вамыкания трансформатора.'

из этого выражения следует, что прение напряжения трансформатора на полном сопротивлении короткого замыкания изменяется пропорционально изменению тока нагрузки и может бнть определено кап произведение коэффициента нагрувки и номинального напряжения короткого эамыкания:

При неравенстве ноэф^ициентов траисформации перегруа1ется трансформ&.»ор о меньшим коэффициентом трансформации. 2, 'Напряжения короткого замыкания подключаемых трчнсформаторов быть равны;

где р — отношение фактического тока нагрузки к номинальному; «а и ир — активная и реактивная составляющие напряжения короткого замыкания, %; <р2 — угол сдвига фаз между током и напряжением вторичной цепи. При этом

ставляющие напряжения короткого замыкания в процентах; знак плюс относится к индуктивной, а минус — к емкостной нагрузкам.

ричные снабжают энергией общего потребителя ( 7.14). Трансформаторы можно включить на параллельную работу, если у них: 1) группа соединений одна и та же; 2) первичные и вторичные номинальные напряжения одинаковы (разница в коэффициентах трансформации не должна превышать 0,5 %);3) напряжения короткого замыкания одинаковы (допускается отклонение ±10%).

3. Два трансформатора одинаковой мощности имеют неодинаковые напряжения короткого замыкания, а точнее UK\>UK2. Какой из этих трансформаторов при параллельной работе нагружен меньше?

ющие напряжения короткого замыкания. К. п. д. трансформатора

1.5. Теоретическая (/) и экс. периментальная (2) зависимости напряжения лавинного пробоя от концентрации легирующей примеси

чтобы свободные носители могли приобрести энергию, достаточную для выбивания дополнительных валентных электронов из атомной решетки полупроводника, которые в свою очередь генерируют свободные носители и т. д. Напряжение пробоя определяется обычно концентрацией носителей на более слаболегированной стороне перехода. На 1.5 представлена зависимость •напряжения лавинного пробоя от концентрации носителей, причем принято, что на слаболегированной стороне перехода примесь распределена равномерно.- Для напряжения пробоя приблизительно выполняется соот-•ношение

пробой /?-л-переходов в полевом транзисторе. При этом ток стока резко возрастает, а гс значительно уменьшается. Лавинный пробой ^-«-переходов затвора является основной причиной, ограничивающей использование полевого транзистора по напряжению на стоке. Величина максимально допустимого напряжения стока обычно несколько меньше напряжения лавинного пробоя (с учетом коэффициента запаса). Коэффициент усиления по напряжению Hy = dC/CH/dC/3H — еще один важный параметр полевого транзистора. Нетрудно показать, что ц„ = .5гс. Отменим, что коэффициент ц„ при П_^з__ уменьшении тока стока неско-

ной ионизации около стока, дальнейшему росту положительного объемного заряда дырок и т. д. Возникает положительная обратная связь между числом носителей, генерируемых вследствие ударной ионизации, и числом носителей, инжектируемых из истока. Это приводит к резкому неуправляемому росту тока, т. е. пробою, напряжение которого может быть в 1,5...2 раза меньше собственного напряжения лавинного пробоя р-п перехода сток—подложка. В транзисторах с длиной канала 1 мкм f си проб ^ '^ ^ ПРИ ^зи > ^пор- OHO снижается при росте концентрации примесей в подложке и уменьшении толщины стоковой области, как и в транзисторе с длинным каналом,

С ростом обратного напряжения диода возрастает электрическое поле и коэффициент ударной генерации а(Е), поэтому знаменатель (1.151) уменьшается и плотность тока / возрастает. Физически это связано с размножением носителей, переносимых через ОПЗ р-п перехода «первичной» плотностью тока (/S+/RG) в условиях ударной ионизации. Формально значение напряжения лавинного пробоя t/проб соответствует бесконечно большому значению обратного тока, и условие лавинного пробоя записывается в виде

В дисща*^е р+-п-п+ структурой возможно снижение напряжения лавинного пробоя до некоторого значения UBW, если толщина базы ш

1.21. Зависимость напряжения лавинного пробоя от концентрации примеси в базе резкого р-п перехода

1.22. Зависимость показателя степени п от напряжения лавинного пробоя резкого р-п перехода

С ростом температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается. Это связано с увеличением рассеяния носителей на тепловых колебаниях решетки. Для кремния относительный температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя составляет примерно 0,1 %/°С. Обратные ветви ВАХ диодов при различных температурах приведены на 1.23.

В случае пленарных р-п переходов, полученных диффузией примеси в «окно» в оксидной маске, при определении напряжения лавинного пробоя необходимо учитывать эффекты, связанные с кривизной р-п перехода по его периферии. Под прямоугольным окном р-п переход представляет собой часть плоскости, вдоль границ окна он имеет цилнндри-

В области больших обратных напряжений па коллекторе ток коллектора резко увеличивается за счет лавинного умножения носителей в ОПЗ коллекторного р-п перехода. При напряжении с/КБпр0б наступает пробой, ограничивающий диапазон рабочих напряжений коллектора. Методы повышения напряжения лавинного пробоя в транзисторе те же, что и для р-п перехода (см. § 1.3.6).