Напряжения коллектора

Для повышения надежности работы транзисторов рекомендуется выбирать рабочие напряжения так, чтобы они не превышали 0, 7... 0, 8 предельных значений. Учитывая максимальное коллекторное напряжение, для нашей схемы нужен транзистор, у которого постоянное напряжение, коллектор — эмиттер

Постоянные напряжения: коллектор — база k' ЦБ max =50 В, коллектор — эмиттер ^кзтах =^ ^' ЭМИТтеР — база t)KB max = = 5 В; постоянный ток коллектора /ктах=ЮО мА; постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рктах = 300 мВт при температуре 213 ...298 К.

Низкий уровень С/°х определяется падением напряжения коллектор — эмиттер на насыщенном транзисторе и составляет сотни милливольт.

35. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер кремниевого транзистора КТ603 от внешнего сопротивления в цепи эмиттер—база

= 0,2 кОм. В режиме покоя ток эмиттера /С()=:3 мА. При подаче сигнала ток эмиттера изменяется по закону /э = = (3;±:2smarf) мА. Требуется: а) определить координаты рабочей точки; б) нарисовать временные диаграммы напряжения коллектор—база ?/КБ, тока коллектора /к, напряжения эмиттер—база ?/ЭБ, тока эмиттера /э и определить максимальное и минимальное значения этих величин.

8.155. Транзистор МП103, характеристики которого даны на 8.8, включен в схему с общим эмиттером. Напряжение коллекторного источника равно 10 В, сопротивление резистора нагрузки в цепи коллектора Ян—1 кОм, ток покоя базы /Б0 —300 мкА. Требуется: а) определить амплитуды переменных составляющих коллекторного тока /тК> напряжения коллектор—эмиттер Um^3 и напряжения база— эмиттер ?/тБЭ, если на вход подается сигнал вида /5 = = (300 ± 100 sin mt) мкА; б) изобразить временные диаграммы напряжения коллектор—эмиттер ?/кэ, база — эмиттер ?/БЭ, тока базы /Б и тока коллектора /к.

т. е. зависимостью тока коллектора от напряжения коллектор — база при неизменном токе эмиттера.

Входная характеристика транзистора изображена на 38, а. Характеристика, снятая при ?/кб=0, т. е. когда коллектор и база закорочены, точно соответствует вольтамперной характеристике полупроводникового диода в пропускном направлении: ток /э экспоненциально возрастает с ростом напряжения f/эб- При очень больших токах 1Ъ входные характеристики близки к линейным. Увеличение отрицательных значений ?/Кб вызывает смещение кривых влево, ближе к оси токов. Это смещение незначительно, и при напряжениях t/кб порядка нескольких вольт характеристики практически сливаются, что объясняется слабым влиянием напряжения коллектора t/K6 на эмит-терный переход. Иногда для схем с ОБ приводят только одну входную характеристику при одном фиксированном напряжении

l/кэ, UБЭ, UБК. — напряжения коллектор — эмиттер, база—эмит-

малым, а средняя задержка определяется временем перезарядки паразитных емкостей. Средняя задержка уменьшается до 1...2 не при РСр — 10 ... 20 мВт. Для элементов ТТЛ, содержащих транзисторы с диодом Шотки, характерно пониженное значение помехоустойчивости Un [см. формулу (7.2)1. Это обусловлено повышением напряжения U° — t/Ёэ — t/д, где ?/д — прямое напряжение на диоде Шотки, и понижением порога переключения вследствие увеличения напряжения коллектор — эмиттер многоэмиттерного транзистора.

измеряется в режиме холостого хода устройством, схема которого приведена на 2.17,г. Величина А22Б равна отношению амплитуд выходного тока и напряжения коллектор — база:

коэффициент вторичной эмиссии о>1. Поэтому при считывании потенциалы элементов мишени выравниваются и повышаются до напряжения коллектора 10, а в цепи сигнальной пластины появляются емкостные токи, создающие на нагрузочном резисторе RH падение напряжения, изменяющееся по закону, заданному записанным сигналом.

При UK6 = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного электронно-дырочного перехода. Смещение характеристики влево при увеличении напряжения коллектора характеризует обратную связь по напряжению между выходной и входной цепями транзистора. Оба электронно-дырочных перехода представляют собой нелинейные сопротивления, поэтому для них вводят понятия дифференциального сопротивления откры-

Коэффициент передачи тока: Н2\ = -д7~ = о 05 ~ ^°' где А/^=1 А; А/62-/61=100-50 = 50 мА = 0,05 А, где в соответствии с выходной характеристикой ( 6.7, б) транзистора при неизменном значении напряжения коллектора f)Ki = — 4,5 В: /б2 = 100 мА, /В1 = 50 мА. A/i 0 4

Входная характеристика транзистора изображена на 38, а. Характеристика, снятая при ?/кб=0, т. е. когда коллектор и база закорочены, точно соответствует вольтамперной характеристике полупроводникового диода в пропускном направлении: ток /э экспоненциально возрастает с ростом напряжения f/эб- При очень больших токах 1Ъ входные характеристики близки к линейным. Увеличение отрицательных значений ?/Кб вызывает смещение кривых влево, ближе к оси токов. Это смещение незначительно, и при напряжениях t/кб порядка нескольких вольт характеристики практически сливаются, что объясняется слабым влиянием напряжения коллектора t/K6 на эмит-терный переход. Иногда для схем с ОБ приводят только одну входную характеристику при одном фиксированном напряжении

со второй характеристикой в точках В и С. Из полученного треугольника можно определить все необходимые величины для нахождения параметров Ь.\\э и hi23. Отрезок АВ соответствует приращению напряжения базы Д1/бэ- Приращение напряжения коллектора определяется как разность напряжений: At/K3 =

Для определения параметра Н^э из точки D необходимо провести прямую, параллельную оси абсцисс, такой длины, чтобы можно было определить достаточное для измерений приращение тока Д/К=/С/Г. По точкам DF находят приращение напряжения коллектора A?/'K3. Тогда параметр

Принципиальная схема ЗИ показана на 12.11. На вход ЗИ подается входное напряжение t/BX, являющееся напряжением питания коллектора транзистора V, включенного по схеме с общей базой. Эмиттер-ная цепь V питается от стабилизированного напряжения Иъ. Ток эмиттера определяет соответствующее значение тока коллектора, который в этой схеме включения транзистора практически не зависит от 12.11. Принципиальная схема напряжения коллектора, задатчика интенсивности. Процесс заряда и разряда

конденсатора С при включении напряжения f/BX происходит с постоянным током заряда или разряда, поэтому напряжение на конденсаторе, следовательно на выходе задатчика интенсивности, изменяется во времени линейно до значения i/Bblx = URX- Знак выходного напряжения определяется знаком входного. Ток коллектора транзистора при этом сохраняет свое направление благодаря выпрямителю В.

В качестве токостабилизирующего двухполюсника часто используется транзистор. Как известно, при постоянном токе базы коллекторный ток транзистора мало меняется при изменении напряжения коллектора в широких пределах. Это свойство транзисторов используется для стабилизации разрядного или зарядного тока в ГЛИН. Лучших показателей ГЛИН можно достигнуть при выполнении их на основе операционных усилителей с отрицательной (см. табл. 19.2, вариант а), либо с положительной (см. табл. 19.6, вариант в) обратными связями, рассматриваемых в § 19.6.

где re — распределенное сопротивление базы, измеренное без учета диффузионной составляющей, обусловленной влиянием напряжения коллектора на эмиттерный переход.

Модули Я-параметров можно определить по статическим входным и выходным характеристикам. Рассмотрим в качестве примера схему с ОЭ. Параметры Я11Э и Я12э определяют по входным статическим характеристикам ( 17.11, а). Для этого из выбранной рабочей точки А на линейной части характеристики проводят до пересечения с соседней характеристикой две прямые линии: одну — параллельно оси токов А А', другую — оси напряжения А'А". В полученном характеристическом треугольнике АА'А" катет А А' — приращение тока базы Д/Б, а катет А'А" — приращение напряжения базы At/вэ- Приращение напряжения коллектора А(УКЭ — это разность напряжений, при которых снимались обе характеристики: Д1/«э = Д^кэ2 — Д^кэ1- Из треугольника АА'А" имеем Яиэ = Д1/БЭ/А/Б и Я]2Э = At/Бэ/Л^кэ ПРИ ^кэ = 0.