Напряжения эмиттерного

2. Ток всей цепи и напряжение ее отдельных элементов зависят от величины сопротивления каждого из элементов цепи. При этом, если сопротивление какого-либо элемента увеличивается, ток в цепи и напряжения элементов с неизменными сопротивлениями уменьшаются, а напряжение элемента с возрастающим сопротивлением увеличивается. В пределе, когда сопротивление этого элемента равно бесконечности (холостой ход), напряжение на зажимах, при помощи которых данный элемент был присоединен к остальной части цепи, будет равно напряжению сети.

На 6.16, б показана круговая диаграмма, составленная по выражениям (6.37), (6.38), (6.39). Токи и напряжения элементов при изменении одного из со-

1.17. Используя методику, изложенную в решениях задач 1.9 и 1.11, определить на основании заданной временной диаграммы UL(I) ток цепи, а затем напряжения элементов R и С и напряжение источника.

Для того чтобы получить уравнения цепи, подставляем в (1.32) выражения токов элементов, а затем заменяем в них напряжения элементов через общее напряжение между узлами. В результате получим линейное интегро-дифференциальное уравнение с постоянными коэффициентами относительно узлового напряжения-

Исключая напряжения элементов с помощью уравнений элементов: uR = Ri] uL = Ldildt, получим дифференциальное уравнение первого порядка относительно тока контура или тока в индуктивности

Уравнения (9.30)— (9.39), связывающие токи и напряжения элементов, представляют линейные алгебраические уравнения с постоянными коэффициентами. Следовательно, зависимые источники следует отнести к классу линейных резистивных четырехполюсных элементов. Коэффициентами уравнений (9.38) и (9.39) являются соответственно параметры сопротивлений и параметры проводимостей, матрицы которых имеют вид:

Стабилитрон — полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Стабилитроны используют также в качестве ограничителей постоянного или импульсного напряжения, элементов межкаскадной связи, источников эталонного напряжения и др. На ВАХ стабилитронов имеется участок со слабой зависимостью напряжения от тока. Такой участок ВАХ наблюдается у диодов, работающих в режиме туннельного или лавинного пробоя (см. 2.30, а, б)'. На 3.2, а приведена идеальная ВАХ стабилитрона. До наступления пробоя стабилитроны имеют очень большое статическое сопротивление (порядка 1 МОм), после пробоя — очень малое дифференциальное сопротивление (Яд = 1-^50 Ом).

В данном случае энергия отбирается от элементов электроустановки. При этом условно говорят, что источниками переменного тока могут быть ТА, TV и трансформаторы собственных нужд, включаемые соответственно на токи и напряжения элементов защищаемой установки.

На третьем этапе определяют токи и напряжения элементов двухполюсника А. При этом переменные состояния IL, «с считаются известными. На этом этапе накопители могут быть представлены в виде источников энергии, например, как показано на 1.3, а, б.

Если дроссель насыщения состоит из одной обмотки ОУ_ и одной обмотки w~ ( VII. 2, а), то при отсутствии К или его малой величине обмотка ш_ для трансформируемого в ней переменного тока является практически закороченной. При этом дроссель насыщения превращается в трансформатор с короткозамкнутой обмоткой и теряет свое регулирующее действие, z рабочей обмотки практически приближается к ее активному сопротивлению. Поэтому в таком дросселе насыщения надо ограничить в цепи управления переменную составляющую тока, создаваемого наведенной в ней э. д. с. Для этой цели используют реостат или дроссель, включенный в цепь управления, что приводит к резкому возрастанию мощности, затрачиваемой в этой цепи. Кроме того, применение токоограничивающих элементов не снимает э. д. с., наводимую в обмотке управления. Эта э. д. с. может достигнуть величины, во много раз превышающей рабочее напряжение (так как W— ^> w~) и опасной как для элементов источника управляющего напряжения, так и для самой обмотки управления. Поэтому конструкции дросселей насыщения выполняют так, чтобы сохранить управляющее действие обмотки ОУ_ и исключить трансформаторное действие рабочей обмотки на управляющую. При этом отпадают: надобность в токоограничении, необходимосгь в усиленной изоляции управляющей обмотки и применении в источнике управляющего напряжения элементов, способных выдержать высокое напряжение.

пробивных напряжений f(UB) для обмотки статора одного из серийных двигателей мощностью до 100 кВт с эмалевой витковой изоляцией. Наиболее часто для описания распределения пробивного напряжения элементов изоляции используют закон Вейбулла

Коэффициенты передачи напряжения эмиттерного и ястокового повторителей определяются выражениями:

Примечание. В таблице приняты следующие обозначения: тд! — тД5 — постоянные времени рассасывания для диодов Д\ — Д5; 1/Пр. эб, f пр. кб — соответственно пробивные напряжения эмиттерного и коллекторного переходов транзистора; Сэ, Ск, Си — соответственно емкости эмиттерного, коллекторного и изолирующего переходов транзистора.

Коллекторный переход смещен в обратном направлении напряжением UK. б- Обычно оно в несколько раз выше напряжения эмиттерного перехода U3.6.

ляется нестабильностью напряжения эмиттерного перехода, со-

где /64 ~ "г^э.мэ/Р^ и 1/г„4 — соответственно ток и потенциал базы Т$; 1/см — перепад напряжения на диоде ДСм (см. 7.24, а) или на базе транзистора Т$ (см. 7.24,6). По мере увеличения входного напряжения, когда оно достигает уровня (Л)х.от2 = 1/от.т2 + ^кэн.мэ, отпирается фазорасщепитель на Тз, но все еще остается закрытым инвертор на Тт,. При этом падение напряжения на резисторе #2 от тока транзистора TI приводит к снижению входного напряжения эмиттерного повторителя на Д1/вх^2/^з- Почти на такую же величину уменьшается выходной потенциал ИМС Когда входной потенциал {/вх.от = = ^бэ2 + икзмэ + l/от.тз, отпирается инвертор на Гз и при последующем увеличении t/BX начинается более стремительный спад выходного потенциала ( 7.25). При

Коэффициент усиления напряжения эмиттерного повторителя

т. е. коэффициент передачи напряжения эмиттерного по-

У горизонтального транзистора должны быть одинаковыми пробивные напряжения эмиттерного и коллекторного переходов. Близкими должны быть и коэффициенты передачи тока эмиттера при нормальном и инверсном включении такого транзистора, так как области эмиттера и коллектора одинаковы по свойствам.

Работу схемы 7.26 можно также рассматривать следующим образом. Так как приращение напряжения AUC на конденсаторе С через эмиттерный повторитель иа транзисторе Т2 и конденсатор С0 передается в точку а целиком (если коэффициент усиления напряжения эмиттерного повторителя /Си«1), то напряжение на резисторе R с ростом Uc остается достоянным и ток резистора/? (ток заряда конденсатора) также будет постоянным, обеспечивая высокую линейность пилообразного напряжения на выходе схемы. .,

Для вычисления времени включения определим изменение выходного напряжения эмиттерного повторителя при отпирании группы логических элементов, присоединенных к его входу. Часть тока коллектора отпирающегося транзистора /кц (р),ответвляясь в базовую цепь эмиттерного повторителя, приводит к рассасыванию заряда носителей, накопленных у эмиттерного перехода транзистора 77, и сравнительно быстрому запиранию 77. После этого емкости Сь CQ разряжаются через диод Д, подключенный ко входу эмиттерного повторителя и выходное напряжение эмиттерного повторителя изменяется на величину 1)

Тд1 "~ Тд6 ~ постоянные времени рассасывания для диодов Д\ — Дв; ипр.вб' упр.кб ~ соответственно пробивные напряжения эмиттерного и коллекторного