Начальное сопротивление

Значительно сложнее проанализировать спад фотопроводимости, когда генерация носителей заряда происходит в течение некоторого времени, так как начальное распределение носителей заряда не является однородным. Если же генерация происходит с постоянной скоростью в течение длительного времени, то в образце устанавливается стационарное распределение носителей заряда и задача упрощается.

Начальное распределение функции будет

Как мы видим, функция (2-7), задающая начальное распределение температуры, может быть произвольной. В результате же решения уравнения получим функцию -& = -&(х, у, z, t), которая должна быть решением в любой момент времени, в том числе и в начальный (^ = 0). Но, как вполне очевидно, имеющаяся в виду подстановка никак не может дать произвольную функцию. Таким образом, возникает представление ( 2-4) о нарушении требования непрерывности функции в начальный момент времени: начальное распределение температуры не равно распределению после подстановки.

Поскольку стержень весьма длинный, на процессы в его средней -части основное влияние оказывает начальное распределение температуры. Влияние температурных условий на концах стержня практически не сказывается в течение большого промежутка времени. Таким образом, граничные условия отпадают, т. е. стержень может рассматриваться как бесконечно длинный, и к уравнению теплопроводности присоединяется лишь начальное условие

Такое начальное распределение температуры возникает в том случае, когда в момент времени t=Q на участке стержня от хо—б до Хо + 6 внезапно выделяется количество теплоты Qo, повышающее температуру этого участка от нуля до •fto ( 3-1). Если S — площадь сечения стержня, р — плотность материала, то 26S — объем рассматриваемого отрезка, 26Sp — его масса. Тогда при удельной теплоемкости материала с количество теплоты

Рассмотрим в качестве простейшего примера начальное распределение температуры в теплоизолированном по длине и на торцах стержне, заданное функцией

начальное распределение тока и напряжения в линии нулевыми, т. е. i(x)=Q; «(д:)=0. Подобное допущение, упрощающее последующие действия, при достаточно больших tn можно рассматривать 7.12 как чисто формальное, поскольку

3. Диффузия в неограниченное тело из полубесконечного пространства. Начальное распределение концентрации вещества для этого случая

4. Диффузия в полуограниченном теле со связывающей границей при равномерном начальном распределении. Пусть начальное распределение концентрации вещества N (х, 0) = N0, т. е. вещество равномерно распределено по объему, а на границе х = 0 концентрация равна нулю при всех f > 0.

На 2.107 показано начальное распределение напряжения по схеме замещения 2.105 для обмотки с заземленной нейтралью, а на 2.108 — с незаземленной нейтралью.

2.107. Начальное распределение напряжения для обмотки с заземленной нейтралью

0 1 Ом Начальное сопротивление магазина R0 = 0,02 Ом. Магазин может быть использован на частотах до 10 кГц. Отклонение значений сопротивлений от номинальных на частоте 1000 Гц не превосходит ± (0.002Я +"0,004) Ом. Допустимая нагрузка на каждое сопротивление не превышает 1 Вт при токе

Полупроводниковые терморезисторы имеют большой температурный коэффициент, достигающий значения — (0,02-=-0,06) "С"1, и высокое начальное сопротивление — порядка 150 кОм. Для изготовления некоторых полупроводниковых терморезисторов используют спекаемые смеси окислов: а) меди и марганца (серийно выпускаемые терморезисторы типа ММТ); б) кобальта и марганца (терморезисторы типа КМТ). Применяют и другие окислы, а также сульфиды, селениды, теллуриды и другие полупроводниковые материалы. Эти терморезисторы обладают более высокой чувствительностью и более низкой тепловой инерцией по сравнению с проволочными резисторами. Влияние удлинительных проводов в этом случае также не сказывается на результатах измерения. Однако свойства терморезисторов (воспроизводимость характеристик) в сильной степени зависит от технологии производства и наличия примесей.

где /?0 — начальное сопротивление резистора; а — температурный коэффициент; Т — абсолютная температура; / — ток.

где Е, Ек, RE, REK — э. д. с. и внутренние сопротивления стабилизированных источников питания соответствующих цепей; #0 — начальное сопротивление преобразователя, при котором 1/ш* = 0; Д^ (я) — изменение сопротивления R (х) резистивного преобразователя, вызванное изменением измеряемой величины; RM, R№> R% — сопротивления, служащие для ограничения токов в соответствующих цепях.

где^н.э=-=- — начальное сопротивление бареттера при не-

где Е, Ек, RE, REK — э. д. с. и внутренние сопротивления стабилизированных источников питания соответствующих цепей; R0 — начальное сопротивление преобразователя, при котором ?/Вых = 0; А/? (х) — изменение сопротивления R (х) резистивного преобразователя, вызванное изменением измеряемой величины; R^x, /?да, #д — сопротивления, служащие для ограничения токов в соответствующих цепях.

где гэ — сопротивление единичного участка дуги; гэ0 — начальное сопротивление непосредственно после нулевого значения тока (t = 0); ffvSno — начальная энтальпия единичного участка ствола при t = 0;

где АКЛ — изменение сопротивления соединительных проводов (Кл = /?Л1 + ??j,2); RT и ат — начальное сопротивление терморезистора (при t = 0°C) и его температурный коэффициент.

где гБа — немодулированное, начальное сопротивление базы при низких уровнях инжекции.

Начальное сопротивление — сопротивление в начальном (нулевом) положении контактной метки 7 ( 1.15), которое "в силу

где /о — начальное сопротивление, ф — угол поворота подвижного контакта.