Напряжений источников

Фазные напряжения источника отличаются от его ЭДС вследствие падений напряжения во внутренних сопротивлениях источника, а напряжения приемника отличаются от напряжений источника за счет падений напряжения в сопротивлениях

Если не учитывать сопротивлений линейных проводов и нейтрального провода, то следует считать комплексные значения линейных и фазных напряжений приемника равными соответственно комплексным зна- а ^а>-чениям линейных и фазных напряжений источника. Вследствие указанного равенства векторная диаграмма напряжений приемника не отличается от векторной диаграммы источника при соединении звездой (см. 3.5, б и 3.8). Линейные и фазные напряжения приемника, как и источника, образуют две симметричные системы напря-

Для определения постоянной А в (5.25) обратимся к закону коммутации для емкостного элемента (5.2). Так как до коммутации, т. е. и в момент времени t = 0_ , емкостный элемент был заряжен до напряжений источника, то

Большинство современных потребителей электрической энергии синусоидального тока представляют собой индуктивные нагрузки, токи которых отстают по фазе от напряжений источника питания.

Напряжения между началом и концом (или между выводами) каждой фазы источника (генератора) (см. 7.6, а) называют фазными (UA , ив, ис), а между одноименными выводами разных фаз — линейными (UAB, UBC, UCA). На практике обычно имеют дело не с отдельными источниками, а с несколькими, соединенными параллельно. В этом случае можно пренебречь внутренними сопротивлениями фаз источника, считать фазные напряжения UA , ив и ис численно равными фазным э.д.с. и изображать их симметричной системой векторов ( 7.7). Следует отметить, что система фазных и линейных напряжений источника симметрична вследствие конструктивных особенностей трехфазного генератора.

Отметим, что уравнения (7.3) позволяют определить линейные напряжения по известным фазным напряжениям. В соответствии с этими уравнениями на 7.7 построена топографическая (потенциальная) диаграмма фазных и линейных напряжений источника при соединении его фаз звездой.

Из формулы (7.9) следует, что при увеличении сопротивления нейтрального провода эффективность его использования уменьшается: чем больше величина UnN, тем больше фазные напряжения приемника отличаются от фазных напряжений источника. В случае обрыва нейтрального провода (Ун = 0) при несимметричной нагрузке величина UnN будет максимальной. По этой причине плавкий предохранитель в нейтральный провод не ставят: при перегорании предохранителя на фазах нагрузки могут возникнуть значительные перенапряжения. В нейтральный провод также не вводят выключатель.

Схема умножения первого рода ( 3.21,а) работает следующим образом [3.15]. При отрицательном полупериоде напряжения питания через диод VD^ конденсатор Ct заряжается до амплитуды Um питающего напряжения. В следующий, положительный, полупериод суммой напряжений источника Um и заряженного до Um конденсатора Сх заряжается конденсатор С2 через диод VD2 до напряжения 2Um. В следующий, отрицательный, полупериод зарядится С, через диод VD3 до ЗС/т и т. д. Конденсатор С„ зарядится до nUm.

а потенциал положителен, через диод VD^ заряжается Ci до Um. В следующий, положительный, полупериод суммой напряжений источника Um и конденсатора на С, через VD2 заряжается С2 до 2Um и т. д.

Из-за смещения нейтрали, несмотря на симметрию фазных напряжений источника Uд, UB, Uc, напряжения на фазах приемника U'A, U'B, U'с не одинаковы.

Нулевой провод принудительно уравнивает потенциалы нейтральных точек источника и приемника, поэтому звезда векторов фазных напряжений приемника точно совпадает со звездой фазных напряжений источника.

Прежде чем составлять уравнения, следует указать на схеме действительные (положительные) направления ЭДС и напряжений источников в соответствии со схемой их включения.

Поскольку ОУ представляет собой УПТ, то он обладает чувствительностью к отклонениям напряжений источников питания +Е0, оцениваемой коэффициентом влияния источников питания

коэффициент усиления при наличии отрицательной обратной связи в меньшей степени зависит от колебания напряжений источников питания, от изменения параметров усилителя и т. д.

Конструктивное исполнение всех микросхем серии однотипно. Все они выполняются в однотипном корпусе, расположение одноименных внешних выводов и соответствующих им контактных площадок на подложке обычно совпадает. Совпадают также значения напряжений источников питания и т. д. Технология изготовления различных микросхем одной и той же серий едина. Наиболее распространенные сейчас планарно-эпитаксиальная технология, при которой все элементы микросхемы формируются в эпитаксиальномслое кремния на поверхности подложки, метод прямой диффузии или технологический - процесс формирования МДП-структур и т. д.

3. Мощность, .потребляемая микросхемой от источников питания, находится как сумма произведений напряжений источников питания на потребляемые от них токи. Поскольку потребляемая мощность зависит от логического сэстояния микросхемы, средняя потребляемая мощность находится как среднее

Усилитель рассчитывают таким образом, что в отсутствие входного сигнала (ивх—0) потенциал базы транзистора Фб=0 и потенциал эмиттера фэ»—0,5 В. Потенциалы других точек схемы (относительно общей точки) зависят от напряжений источников питания и показаны для ?i=20 В и ?2=10 В. К делителю R3Ri в отсутствие входного сигнала приложено напряжение UR:>+URi — =фк — (—EJ=q>K+E2; при этом потенциал средней точки делителя должен быть равен нулю, так как в этом режиме выходное

называется медленным дрейфом и обуслов-O+f лено в основном изменением характеристик транзисторов, второе называется быстрым дрейфом и определяется колебаниями напряжений источников питания, температуры окружающей среды и другими внешними факторами.

При тщательном подборе транзисторов и резисторов, при стабилизации напряжений источников питания дрейф удается снизить до 1—20 мкВ/°С или при работе в температурном диапазоне от

Стабилитроном называется полупроводниковый прибор, у которого вольт-амперная характеристика имеет рабочий участок со слабой зависимостью напряжения от тока, протекающего через прибор. В германиевых диодах электрический пробой быстро переходит в тепловой, поэтому в качестве стабилитронов применяются обычно кремниевые диоды. Кремниевые стабилитроны используют для стабилизации напряжений источников питания, .а также для фиксации уровней напряжений (и токов) в схемах (отсюда и происходит второе название кремниевых стабилитронов «опорные диоды») и для некоторых других целей.

Схемы соединения источников и приемников и топографические диаграммы напряжений источников приведены в табл. 3.2. Комплексные сопротивления различных фаз приемника при соединении звездой Za, Zb, Zc, а при соединении треугольником - Zab, Zbc и. Zca. Источники и приемники соединяют с помощью проводов, подключаемых к точкам А и а, В к Ь, С и с в трехпроводной линии, а также JV и и в четырехпроводной линии. Возможно переключение как источника, так и приемника с одной схемы на другую. При изменении вида соединения источника, например, со звезды на треугольник напряжение между проводами линии (линейное напряжение) уменьшается в ]/3 раз. При аналогичном изменении вида соединения приемника фазное напряжение приемника увеличивается в /3 раз. Переключая источник и приемник с соединения звездой на соединение треугольником и обратно, можно изменять фазное напряжение приемника в 1/3 и в 3 раза.

^вхо(^выхо) - установившееся среднее значение напряжения на входе (выходе) усилителя в режиме двойного холостого хода при фиксированных значениях внешних факторов (температуры, напряжений источников питания и т. д.).