Наносекундных импульсов

Маркировка, выходной контроль, нанесение защитного технологического покрытия, упаковка

Схема технологического процесса изготовления МПП методом металлизации сквозных отверстий на травящемся диэлектрике с получением рисунка схемы наружных слоев методом сеткографии приведена на 3.35. Основными этапами процессы являются: а-— изготовление заготовок фольгированного диэлектрика и стеклоткани и выполнение базовых отверстий. При нарезке заготовок необходимо предусмотреть технологический припуск на размещение контрольных элементов; б — подготовка поверхности заготовок химическим способом и нанесение рисунка монтажа внутренних слоев МПП; в — травление меди с пробельных мест и удаление защитного слоя рисунка (раздубли-вание); г — прессование МПП; д — сверление отверстий; е —• подтравливание диэлектрика в отверстиях; ж — предварительное меднение (затяжка) гальваническим методом; з — получение рисунка монтажа наружных слоев МПП методом сеткографии (сет-кографический станок должен обеспечивать совмещения рисунка с погрешностью не более ±0,05 мм); и — гальваническое меднение и нанесение защитного металлического покрытия; к — удаление защитного слоя краски, травление меди с пробельных мест.

При гальваническом меднении выполняют подтравливание поверхности торцов контактных площа/.ок в отверстиях, химическое меднение, проверку качества слоя меди в отверстиях, гальваническое меднение в борфтористоводородном электролите. Нанесение защитного металлического покрытия заключается в ретушировании рисунка схемы и собственно нанесении защитного слоя из серебра или сплава олово — свинец. Серебрение проводится в цианистом или железисто-синеродистом электролите. Осаждение сплава олово — свинец производится в такой последовательности: декапирование заготовки в соляной кислоте, промывание в проточной водопроводной воде, гальваническое осаждение сплава олово — свинец.

Нанесение защитного слоя То же То же То же То же То же

При фотолитографическом методе для изготовления ГИС, содержащих резисторы и проводники, используют также два других технологических маршрута. Первый вариант — напыление материала резистивной и проводящей пленок; фотолитография проводящего слоя; фотолитография резистивного слоя; нанесение защитного слоя ( 2.4), Второй вариант—после проведения первых двух операций.

тех же, что и в предыдущем варианте, сначала осуществляют фотолитографию и травление одновременно проводящего и резистивного слоев, затем вторую фотолитографию для стравливания проводящего слоя в местах формирования ре-зистивных элементов ( 2.5), после чего следует нанесение защитного слоя и фотолитография для вскрытия окон в нем над контактными площадками.

При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных (высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя.

1) напыление резисторов через маску, напыление проводящей пленки на резистивную; фотолитография проводящего слоя; поочередное напыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов; нанесение защитного слоя ( 2.6, а — ж). На 2.6, з показан монтаж навесных компонентов с жесткими выводами;

1) напыление через маску резисторов и проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; нанесение защитного слоя;

а — напыление резисторов через маску; б — напыление проводящей пленки; в — фотолитография проводящего слоя; напыление через маску; г — нижних обкладок конденсаторов; д — диэлектрика; е — верхних обкладок конденсаторов; ж — нанесение защитного слоя; з — монтаж навесных компонентов .с жесткими выводами

а — напыление сплошных резистивной и проводящей пленок; б—травление проводящего и резистивного слоев; а — селективное травление проводящего слоя; г — напыление через маску нижних обкладок конденсаторов; 0 — напыление через маску диэлектрика; в — напыление через маску верхних обкладок конденсаторов; Ж — нанесение защитного слоя; з — монтаж навесных компонентов

3.13. Воробьев Г. А., Месяц Г. А. Техника формирования высоковольтных наносекундных импульсов. М.: Госатомиздат, 1963.

Измерение наносекундных импульсов требует применения быстродействующих элементов. Быстродействие обычных полупроводниковых импульсных диодов в значительной степени снижается за счет конечной величины заряда переключения. Увеличить полосу импульсных вольтметров можно применением в них туннельных диодов, быстродействие которых ограничивается лишь паразитными параметрами. В большинстве вольтметров на туннельных диодах используется схема уравновешивающего преобразования с автоматическим уравновешиванием. Основным узлом такого вольтметра является дискриминатор на туннельном диоде, выдающий сигнал в момент равенства амплитуды измеряемого импульса и компенсирующего напряжения. Обычно спектр этого сигнала значительно уже спектра измеряемого импульса, поэтому индикация срабатывания может быть сделана весьма узкополосной.

7.12. Найденов А.И. Трансформация спектра наносекундных импульсов. М.: Советское радио, 1979.

5. Для наблюдения наносекундных импульсов и колебаний СВЧ требуются высокие скорости движения луча по экрану. Так, например, для получения изображения импульса длительностью т„ = 5 не на экране ЭЛТ шириной L = 100 мм скорость движения луча должна быть порядка v = 20 000 км/с (v = L/ТИ — скорость движения луча, L — размер изображения на экране).

В современных осциллографах К^ достигает десятков тысяч, что позволяет при обычных развертках наблюдать форму наносекундных импульсов.

Генератор одноканальный наносекундных импульсов Г5-44 предназначен для настройки и поверки быстродействующих счетно-решающих и радиотехнических устройств в лабораторных и цеховых условиях; удовлетворяет требованиям ГОСТ 9763—67.

Прибор представляет собой генератор одноканальный наносекундных импульсов.

Генератор двухканальный наносекундных импульсов Г5-45 предназначен для настройки и проверки быстродействующих счетно-решающих и радиотехнических устройств.

— одноканальный наносекундных импульсов Г5-44 349

— двухканальный наносекундных импульсов Г5г45 350

23.4.3. Генераторы наносекундных импульсов Г5-П . . (40.4.4) —