Нанесение гальванических

Позитивные фоторезисты на основе диазосоединепий имеют повышенную разрешающую способность, химическую стойкость, в них отсутствует темновое дубление. Примером такого фоторезиста может служить состав: 1,2-нафтахинондиазид (2)—5-суль-фоэфир наволока — 3 ... 5 г/л, наволочная смола — 6 ... 10 г/л, ксилол — 70 ... 80 мл/л, монометиловый эфир ацетатгликоля— 20 ... 30 мл/л. Его широко применяют для получения тираже-устойчивых сетчатых трафаретов методом прямой, печати. Наносят жидкие фоторезисты окунанием, центрифугированием, накаткой валками, разбрызгиванием. При покрытии окунанием заготовки погружаются в кювету с фоторезистом и вытягиваются с постоянной скоростью (10 ... 50 см/мин). Толщина слоя определяется вязкостью, скоростью вытягивания и колеблется от 4 до 8 мкм. Способ не требует дорогостоящего оборудования и обеспечивает двустороннее нанесение фоторезиста. Недостатком является неравномерность нанесенного слоя. Применение центрифугирования и накатки валками приводит к повышению равномерности наносимых слоев жидких фоторезистов. Валковые конвейерные установки имеют секции инфракрасной сушки резиста.

Ч — подложка; б — напыление материала контактной маски; в — нанесение фоторезиста; 3 — экспонирование; д •— проявление; е — трав/гание материала контактной маски через фоторезнстивную маску; ж — снятие фоторезиста; 3 — напыление материала пленочного элемента; и — травление материала контактной маски

а — подложка; б — напыление сплошных реэистивного и проводящего слоев; о — нанесение фоторезиста; 2 — экспонирование; д — проявление; е — травление проаодлщего слоя; Ж — снятие фоторезиста; 3 — нанесение фоторезиста; и — экспонирование; к — проявление; л — травление резистивного слоя; м — снятие фоторезиста

а — подложка; б — напыление сплошных резистианого и проводящего слоев; и —> нанесение фоторезиста; г — экспонирование; д — проявление; с — трав-лониа проводящего слоя; Ж — травление резистивного слоя; 3 — снятие фоторезиста; и — нанесение фоторезиста; к — экспонирование; л—проявление; М — травление проводящего слоя; н — снятие фоторезиста

Нанесение фоторезиста осуществляют центрифугированием, пульверизацией, поливом, окунанием в раствор фоторезиста, накаткой и т. д.

Для получения необходимой формы полосковых проводников используют процессы фотолитографии: отдельно по слоям меди и титана. Процессы фотолитографии включают следующие операции: декапирование, промывка, нанесение фоторезиста, сушка в термостате, совмещение и экспонирование, проявление, промывка, сушка в сухом азоте, контроль качества защитного слоя, ретуширование, термозадубливание, защита обратной стороны подложки лаком, травление слоя меди, промывка, травление титана, промывка, удаление фоторезиста, промывка, сушка в сухом азоте.

Помимо прецизионности, фотолитография отличается малой зависимостью от обрабатываемой площади, что способствует применению групповых методов обработки. Однако общим недостатком фотолитографии, снижающим трудоемкость, являются многочисленные и относительно продолжительные операции, следующие друг за другом: нанесение фоторезиста, экспонирование, проявление, дубление, травление или наращивание меди (химическое или электрохимическое), удаление фоторезиста. Фотолитография вызывает загрязнение сточных вод и требует дорогих мероприятий по защите окружающей среды.

Электронно-дырочный переход, изолирующий отдельные элементы полупроводниковой интегральной микросхемы друг от друга, может быть создан различными способами, которых в настоящее время разработано более десятка. Рассмотрим самый распространенный из них — планарно-эпитаксиальный с разделительной диффузией (см. 7.3). Вначале на пластине кремния выращивают эпитаксиальный слой с электропроводностью типа, противоположного типу электропроводности объема полупроводника, т. е. создают эпитаксиальный р-п-нереход по всей площади пластины кремния. Затем проводят обычные этапы пленарной технологии: окисление поверхности эпитаксиальной пленки, нанесение фоторезиста, засветку его через маску — фотошаблон, вскрытие окон в диоксиде кремния, локальную диффузию акцепторов через весь эпитаксиальный слой до подложки с электропроводностью р-типа ( 7.3, а).

10-18. Схема изготовления биметаллической маски. а —заготовка; б — нанесение фоторезиста (негативного); в — экспонирование; t — проявление; д — электромеханическое нанесение никеля; • — удаление фоторезиста; ж — селективное травление металла; э — готовая маска после удаления лаковой защиты; / — бронза; t — фоторезист; Л — фотошаблон; 4 — защитный лак; 5 —никель; ( — область подтрашшвания.

а — подложка ИМС; б — нанесение фоторезиста (позитивного); в — экспонирование; г — проявление; д — нанесение слоя материала тонкопленочного элемента; е — готовый тонкопленочный элемент на подложке; / — подложка; 3 — фоторезист; 3 — фотошаблон; 4 - - напыляемый материал.

ной пленки; в — нанесение контактов через свободную маску; г — нанесение фоторезиста; д — экспонирование; е — проявление фоторезиста; ж — селективное травление; э— удаление фоторезиста и получение готового элемента; / — подложка; 2 — резистивный слой; 3 — контакты; 4 — фоторезист; 5 — фото-шаблон.

тиях промышленные роботы успешно используются на следующих работах: изготовление заготовок (обслуживание питейных машин, прессов, молотов, печей для термообработки и т. п.); обработка заготовок и деталей (обслуживание металлорежущих станков и автоматов, в том числе с ЧПУ); обработка и покрытие поверхностей деталей и сборочных единиц (пескоструйная обработка, упрочнение, нанесение гальванических, химических и лакокрасочных покрытий) ; выполнение операций сборки методами точечной и шовной сварки, пластической деформации, изготовление резьбовых соединений (применительно к простым узлам); контроль деталей и изделий; перегрузка и транспортирование материалов, заготовок, инструментов и оснастки на складах и в цехах; сортирование и клеймение материалов и деталей.

НАНЕСЕНИЕ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА ДЕТАЛИ РТУТНО-ЦИНКОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И АРМИРОВАНИЕ КРЫШЕК

§ 85. НАНЕСЕНИЕ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ПРИ ЭЛЕКТРОЛИЗЕ ВОДНЫХ РАСТВОРОВ

§ 85. Нанесение гальванических покрытий при электролизе водных растворов ................................ 239

Трудности при нанесении гальванических покрытий на цветные металлы и сплавы обуслорлеиы наличием на их поверхности окнсной пленки с большим электроотрицательным потенциалом, препятствующей прочному сцеплению основы и осаждаемого покрытия. Поэтому нанесение гальванических покрытий на такие поверхности связано со специфическим способом их подготовки, при котором удаляется окисная пленка я предупреждается вторичное ее образование.

Нанесение гальванических покрытий: активация; промывка в холодной воде; меднение матовое (никелирование матовое или полублестящее); меднение блестящее; улавливание; промывка даухкаскадная в холодной воде; никелирование блестящее; улавливание; промывка двухкаскадпая в холодной воде; хромирование; улавлотанне; промывка в холодной воде; промывка в горячей воле; сушка, контроль качества покрытия.

Нанесение гальванических, покрытий. При нанесении гальванических покрытий на пластмассы и другие диэлектрики учитывают особенности способа нанесения н марку диэлектриков. Особенностью химико-гальванического способа получения является создание тонкого электропроводного подслоя, который легко повреждается при механических воздействиях и растворяется в агрессивных электролитах, имеет ограниченную электропроводимость (особенно подслой сульфидов). При этом способе предъявляются повышенные требования к контактным элементам подвесочных приспособлений и созданию условий, при которых не может возникнуть биполярный аффект. Особенностями пластмасс являются малая их плотность (ниже, 4tm у электролитов), повышенная деформируемость (особенно у термопластических пластмасс при повышенной температуре электролитов), более высокий- чем у наносимых покрытий коэффициент линейного расширения.

Нанесение гальванических покрытий на мелкие детали производится н ваннах барабанного и колокольного типа. Эти ванны представляют собой устройства, как правило, имеющие форму многогранной призмы. Каждая грань призмы имеет перфорацию. Детали в эти ванны загружаются насыпью, и все устройство погружается в ванну с электролитом. Специальный привод обеспечивает вращение бараб. на или колокола. Детали, занимающие часть объема, находятся в непрерывном движении вместе с барабаном. Осаждение покрытия происходит в ociiouiiou па детали, которые в данный момент располож епы по периметру барабана или колокола, в так как идет постоянное перемешивание деталей, тс посте-

Трудности при нанесении гальванических покрытий на цветные металлы и сплавы обуслорлеиы наличием на их поверхности окнсной пленки с большим электроотрицательным потенциалом, препятствующей прочному сцеплению основы и осаждаемого покрытия. Поэтому нанесение гальванических покрытий на такие поверхности связано со специфическим способом их подготовки, при котором удаляется окисная пленка и предупреждается вторичное ее образование.

Нанесение гальванических покрытий: активация; промывка в холодной воде; меднение матовое (никелирование ма-товог нлн полублестящее); меднение блестящее; улавливание; промывка двухкаскадная в холодной воде; никелирование блестящее; улавливание; промывка двухкаскадпая в холодной воде; хромирование; улавливание; промывка в холодной воде; промывка з горячей воле; сушка, контроль качества покрытия.

Нанесение гальванических, покрытий. При нанесении гальванических похрытпй на пластмассы и другие диэлектрики учитывают особенности способа нанесения и марку диэлектриков. Особенностью химико-гальванического способа получения является создание тонкого электропроводного подслоя, который легко повреждается при механических воздействиях и растворяется в агрессивных электролитах, имеет ограниченную электропроводимость (особенно подслои сульфидов). При этом способе предъявляются повышенные требования к контактным элементам подвесочных приспособлений и созданию условий, при которых не может возникнуть биполярный эффект. Особенностями пластмасс являются малая их плотность (ниже, чьм у электролитов), повышенная деформируемость (особенно у термопластических пластмасс при повышенной температуре электролитов), более высокий- чем у наносимых покрытий коэффициент линейного расширения.