Накопление неосновных

Накопление сообщений. Необходимость блока накопительных устройств определяется, во-первых, тем, что сообщение, поступающее в центр, в соответствии с алгоритмом функционирования сети КС должно быть накоплено и только после этого передано в направлении, определяемом адресом. Во-вторых, накопление информации обеспечивает согласование скоростей ввода, вывода и внутримашинного обмена. В-третьих, накопление необходимо для преобразования последовательного кода в параллельный. Наконец, в-четвертых, требование сохранности сообщения также ведет к необходимости введения накопительных устройств.

Увеличение расходуемой энергии связано с развитием цивилизации, расширением и углублением знаний человека об окружающем мире. Объем знаний со временем увеличивается по мере того, как развивается культура — искусство, науки, открываются новые свойства материи. Приближенно знания, отражающие уровень развития цивилизации, можно оценить количеством накопленной информации, измеряемой условной единицей — байтом. Потребление энергии и накопление информации (штриховая линия, В.2) имеют примерно одинаковый характер изменения во времени. При этом общая накопленная информация, оцениваемая количественно в байтах, конечно, не отражает ее различной ценности качественного своеобразия. Простой подсчет знаков в книгах одинаково учитывает творения и гениальных авторов, и весьма посредственных. Этот показатель применим только для грубых ориентировочных оценок, выявления общих тенденций в развитии.

накопление информации о -техническом ресурсе сохраняемости;

Увеличение расходуемой энергии связано с развитием цивилизации, расширением и углублением знаний человека об окружающем его мире. Объем знаний со временем увеличивается по мере того, как человек развивает культуру — искусство, науки, открывает новые свойства материи. Приближенно все эти знания, отражающие уровень развития цивилизации, можно оценить количеством накопленной информации, измеряемой условной единицей — байтом. Интересно отметить, что потребление энергии и накопление информации имеют примерно одинаковый характер изменения во времени (штриховая линия, В.З). Нужно иметь в виду, что общая накопленная информация, оцениваемая количественно в байтах, конечно, не отражает ее различной ценности при огромном качественном своеобразии. Простой подсчет знаков в книгах одинаково учитывает творения и гениальных авторов, и весьма посредственных. Этот показатель применим только для грубых ориентировочных оценок, выявления общих тенденций в развитии.

Блок управления обеспечивает накопление информации, принимаемой из канала связи или из периферийных устройств, и модификацию этой информации в соответствии с выполняемыми командами и указаниями ЭВМ.

значительно повысить отношение сигнал/шум, в качестве накопителя используется электронно-лучевая трубка - потенциале-скоп. Предложен способ и реализующее его устройство, позволяющее осуществлять накопление информации при контроле неподвижных объектов, в котором отношение сигнал/шум на входе и выходе связаны соотношением ЧРи-Л/ШГЧРЬ . Исследование такого устройства показало, что с увеличением числа накопленных кадров Пв до нескольких десятков (10-60), отношение сигнал/шум возрастает для различных начальных значений Ye в (5-8) рае, что достаточно для работы измерительных блоков. Важной особенностью такого накопителя является возможность получать хорошее отношение сигнал/шум даже для случаев,'когда амплитуда полезного сигнала меньше амплитуды игма. При перемещении объекта контроля изображение одного кадра не соответствует изображению другого, поэтому производить накопление с помощью обычного суммирования видеосигналов разных кадров невозможно. В таком случае принцип накопления можно применить, если параметры телевизионной развертки преобразователя магнитных полей синхронизировать со скоростью перемещения объекта контроля. При автомагическом контроле изделий и сварных соединений одной из важнейших является задача поиска дефектов в перемещающихся объектах и выделения определенных Сегментов изображения дефектного участка, т.е» селекции сварного шва, одного дефекта или их совокупности. Можно заметить, что в связи с широким использованием интегральных микросхем, основная проблема заключается не в объеме реализации, а в создании надежных устройств, обладающих высокой помехоустойчивостью. Основной задачей селекции является либо предъявление зоны телевизионного растра с одним или несколь'-кими дефектами, либо последовательное предъявление каждого дефекта, находящегося в зоне контроля. Селектируемая область представляет собой электронную диафрагму, состоящую иа рабочей области и рамки, размеры которой могут быть неизменными или же меняются с помощью специальных команд, управляющих положением стробирующих импульсов. Оптимальные размеры рамки электронной диафрагмы устанавливаются индивидуально к каждому классу дефектов экспериментальным путем.

Четвертый этап — эксплуатация продукции. На этом этапе осуществляются сбор и накопление информации о качестве изделий в эксплуатации, учет и анализ рекламаций, поставка запасных частей, повседневная и всесторонняя работа с потребителями. На базе изучения показателей эксплуатационной надежности ведется систематическая работа по совершенствованию конструкции и технологии.

Использование сильно сфокусированного лазерного луча при оптической записи на дисковый формат позволяет накапливать очень большое количество информации с чрезвычайно большой скоростью поступления данных и одновременно позволяет быстро проводить произвольную выборку определенного массива, данных при воспроизведении информации. Кроме того, инжекционный лазер имеет небольшой размер, нечувствителен к механическим вибрациям и его можно модулировать непосредственно током инжекции. Потенциальной сферой применения этих устройств является накопление информации в цифровой форме, например, данных для ЭВМ, а также аналоговой информации, в частности, видеосигналов.

Использование сильно сфокусированного лазерного луча при оптической записи на дисковый формат позволяет накапливать очень большое количество информации с чрезвычайно большой скоростью поступления данных и одновременно позволяет быстро проводить произвольную выборку определенного массива, данных при воспроизведении информации. Кроме того, инжекционный лазер имеет небольшой размер, нечувствителен к механическим вибрациям и его можно модулировать непосредственно током инжекции. Потенциальной сферой применения этих устройств является накопление информации в цифровой форме, например, данных для ЭВМ, а также аналоговой информации, в частности, видеосигналов.

Наблюдательный эксперимент имеет место, когда в составе ЭК отсутствуют источники стимулирующих воздействий, как самостоятельный компонент ЭК. Предполагается, что множество состояний объекта и среды его функционирования содержит режимы, рассматриваемые как исходные для проверяемой гипотезы, и эти режимы реализуются с достаточно высокой вероятностью. Средства измерения и средства обработки информации должны обеспечить опознавание таких режимов, накопление информации о них, обработку этой информации и представление ее оператору в виде, предусмотренном программой эксперимента ( 7.3).

Решение задачи автоматического диагностирования, как правило, проводят в два этапа. На первом этапе проводится накопление информации о состоянии диагностируемого объекта и преобразование ее к виду, удобному для последующей обработки. Второй этап заключается в выявлении особенностей, содержащихся в контролируемых параметрах, с целью поиска различий работоспособного состояния объекта от неработоспособного и формировании сигнала о наступлении соответствующего события. При этом важное значение имеют выбор, описание и анализ контролируемых параметров (признаков). Например, при испытаниях электронасосов необходимы одновременные измерения таких параметров, как частота вращения, напор, мощность, подача насоса, утечки через уплотнение, температура элементов [18.20]. По-

Измерение частичных разрядов (ЧР) используется для контроля состояния высоковольтной изоляции трансформаторов, вводов, ТН и ТТ при рабочем напряжении э реальных эксплуатационных условиях подстанции. Системы диагностики на основании измерения ЧР позволяют обнаруживать дефекты изоляции на самой ранней стадии их развития, определять тип, место расположения дефекта и степень его опасности. Рассмотрим систему диагностики высоковольтной изоляции на примере системы СКИ-2 - компьютерной системы сбора и обработки информации, поступающей от электрических, акустических и электромагнитных датчиков ЧР, размещенных на контролируемом объекте. Длина соединительных кабелей (датчик - компьютер) - до 100 м. В минимальном комплекте поставки количество подключаемых датчиков электрического и электромагнитного каналов - до 12 (параллельная регистрация), акустических датчиков - до 7 (мультиплексор). Система работает в реальном масштабе времени и обеспечивает оперативный вывод получаемой информации на экран компьютера, накопление информации и запись ее на жесткие диски. Она может подключаться к компьютерной сети. Система обеспечивает периодический контроль

При токе /бн транзистор работает на границе режима насыщения и активного режима. Если /б>/6н, то в базе транзистора вблизи коллектора происходит накопление неосновных носителей заряда, так как

Несмотря на то что после момента времени 12 коллекторный ток остается постоянным, заряд в базе продолжает нарастать, но уже с постоянной времени тн, определяемой как среднее время жизни неосновных носителей в базовом и коллекторном слоях транзистора, работающего в режиме насыщения. В базе транзистора происходит накопление неосновных носителей заряда (в данном случае электронов).

логики на транзисторах Шотки ( 1.28, в), В таких элементах в качестве переключательного применяют транзистор с коллекторным переходом в виде барьера Шотки. Транзистор с металлическим коллектором (р-п-т) обладает меньшим временем задержки переключения, так как в нем отсутствует накопление неосновных носителей заряда в коллекторе и уменьшена инжекция неосновных носителей заряда в базу.

Основное отличие МДП-структуры от контакта металл — полупроводник и р-л-перехода заключается в том, что в приповерхностной обедненной области МДП-структуры может происходить накопление неосновных носителей заряда. В структуре металл —полупроводник, так же как и в р-л-переходе, генерируемые в области объемного заряда неосновные носители заряда удаляются из этой области электрическим полем и образование инверсного слоя оказывается невозможным.

Наоборот, при резком включении достаточно большого прямого тока ( 2.20, б) в первый момент прямое сопротивление оказывается больше, чем в статическом состоянии, и только спустя некоторое время /уст, в течение которого произойдет накопление неосновных носителей заряда в объеме полупроводника, сопротивление и падение прямого напряжения уменьшатся до значений, измеряемых на постоянном токе. При коротком импульсе прямого тока этот процесс может не завершиться, и тогда прямое сопротивление диода будет повышенным.

В точке В (см. 16.40) транзистор переходит в режим насыщения. При этом наблюдается инжекция электронов из коллектора в базу. Коллекторный переход переходит в открытое состояние. В базе наблюдается рекомбинация электронов с дырками. Концентрация дырок в базе невелика, по сравнению с концентрацией поступающих в базу электронов. Поэтому в базе происходит накопление неосновных носителей — электронов. На участке t1 —12 ток базы равен разности токов эмиттера и коллектора: 'Б = 'Э"~'К- Коллекторный переход начинает участвовать в процессе переключения с некоторой задержкой t3 (см. 16.39), определяемой временем пролета носителей через базу.

Диод Шотки оказывается включенным параллельно коллекторному переходу транзистора, как показано на эквивалентной схеме ( 3.8,6). Как известно, прямой ток через ДШ обусловлен движением основных носителей заряда, а инжекция и накопление неосновных носителей заряда, характерные для р-п перехода, здесь практически отсутствуют. На 3.8, в представлены прямые ветви вольт-амперных характеристик (ВАХ) ДШ (/) и коллекторного р-п перехода обычного изопланарного транзистора (2) при Т = 300 К. Прямое напряжение при токе /пр = 2 мА для ДШ на Д?/ « 360 мВ ниже, чем для коллекторного р-п перехода. Указанные свойства ДШ используются для существенного уменьшения времени рассасывания *рас — одно-

2.14. Накопление неосновных носителей заряда (дырок) вблизи омического перехода между полупроводниками с электропроводностью п-типа при наличии внешнего электрического поля

В омических переходах, образованных в результате контакта между металлом и полупроводником, может происходить накопление неосновных носителей заряда из-за образования потен-

1) если отсутствуют инжекция неосновных носителей заряда через омический переход в прилегающую область полупроводника и накопление неосновных носителей в омическом переходе или вблизи него;

Вблизи омического перехода между полупроводниками с одной электропроводностью, но с разной степенью легирования, также может происходить накопление неосновных носителей заряда (см. § 2.9). Для меньшего влияния этого эффекта на характеристики и параметры полупроводникового прибора целесообразно в поверхностный слой полупроводника ввести примеси рекомбинационных ловушек (например, золото), что уменьшит время жизни носителей заряда в этой части структуры. При малом времени жизни накопленные носители заряда будут быстро рекомбинировать, т. е. процесс их рассасывания меньше будет сказываться на характеристиках и параметрах прибора.