Начальная магнитная

Такое граничное условие реализуется при испарении примеси из предварительно насыщенного ею кристалла. Этот процесс называют обратной диффузией. Проводя обратную диффузию, получают поверхностные слои с повышенным удельным сопротивлением. Этим методом можно формировать лежащие вблизи поверхности р-п-переходы, если полупроводник предварительно легировать донорной и акцепторной примесями. Для формирования перехода необходимо, чтобы начальная концентрация быстро диффундирующей примеси была больше, чем концентрация примеси, диффундирующей с меньшей скоростью.

где ^ — скорость излучательной рекомбинации в термодинамически равновесном состоянии; бр — избыточная концентрация дырок (электронов) ; nt — собственная .-концентрация носителей; п0 и ро — начальная концентрация неравновесных инжектированных носителей.

в котором Со — начальная концентрация примеси в расплаве, г/см3 (атом/см3), определяемая по формуле

где С и С0 —текущая и начальная концентрация примеси в расплаве, атом/см3.

1. Определить время насыщения расплавленной зоны примесью фосфора до стационарного значения ССт из атмосферы РС13, а которой методом бестигелыюй зонной плавки выращивают монокристалл кремния с Л" = Ы016 атом/см3, диаметром 40 мм (5=12,56 см2); скорость кристаллизации f = 2 мм/мин (3,33-10~3 см/с); коэффициент распределения фосфора для этой скорости /г = 0,41; эффективный коэффициент испарения 01 = 5-10 '• см/с; начальная концентрация примеси в расплаве зоны равна ее концентрации в исходном стержне: С,1 = С0= 1 • 1015 атом/см3; равновесная концентрация примеси для данных условий процесса Ср = = 5-1016 атом/см3; объем расплава в зоне Vp = 30 см3 и площадь ее поверхности ^ = 40 см2.

где С0 — начальная концентрация растворенного в расплаве компонента полупроводникового соединения, атом/см3; Ср — равновесная концентрация для Т$ = Т\ — АГ (см. 6.27, а), атом/см3.

С помощью множителя dijdt (4-13) учитывается начальная концентрация зарядов, образующих максимальное значение статической составляющей обратного

В течение времени t=tp избыточная концентрация уменьшается в е раз. Время жизни неосновных носителей является важнейшим электрофизическим параметром полупроводников. Оно характеризует скорости изменения концентраций носителей, поэтому такой важнейший показатель, как быстродействие, для многих приборов (например, биполярных транзисторов) зависит от этого параметра. Если в (1.19) Арп<0, т.е. неравновесная концентрация меньше равновесной, то уравнение описывает процесс тепловой генерации, в результате которого устанавливаются равновесные концентрации носителей. Пусть, например, Арп(0) = ——Рпо, т.е. начальная концентрация дырок равна нулю р„(0)=0. Тогда неравновесная концентрация изменяется как

где п0 — начальная концентрация ионов;

становится больше числа равновесных, наблюдается квадратичная зависимость тока от смещения. Омический участок ВАХ структуры показан на 10.7, б штриховой прямой. Напряжение Vner>, при котором происходит переход от закона Ома к квадратичной зависимости I от V, тем выше, чем больше начальная концентрация носителей гсс.

где ^= 1/1 + 16Х°//С01 (Х° — начальная концентрация N2O4, K0i=Krii/RiT, #х—газовая постоянная). При v=0,99 на линии насыщения TV при изменении давления от .1 до 40 бар уменьшается от 3-10~6 до 2-1СГ9 сек. Эти данные позволяют считать, что процесс роста пузырька пара (время которого 10~2— 10~4 сек) происходит при равновесном протекании химических реакций и определяется равновесными «эффективными» свойствами системы. Время релаксации соизмеримо лишь со временем возникновения парового зародыша и его роста до критического размера, в процессе которого кинетика химических реакций может оказывать определяющее влияние.

Анализ кривых намагничивания различных групп магнитных материалов показывает, что начальная магнитная восприимчивость маг-витомягких материалов определяется в основном процессами смешения, т. е. составляющей XCM! магнитотвердых материалов — пропев, сами вращения, т. е. составляющей хвр-

Интерес представляют вопросы стабильности магнитных свойств ферритов во времени. С течением времени магнитная проницаемость ферритов падает. Величина уменьшения (.i сильно зависит от состава и условий спекания, а также от температуры образцов. Можно считать, что начальная магнитная проницаемость замкнутого магнитопровода в течение первого года после изготовления феррита падает на 3%. Дальнейшие изменения незначительны. Удельное сопротивление р, измеренное при постоянном токе, для различных марок ферритов составляет 10~?—1012Ом-м. Удельное сопротивление марганеццинко-вых ферритов значительно меньше, чем других; это приводит к уменьшению /кр и ограничивает частотный диапазон применения марганец-цинковых ферритов несколькими мегагерцами.

Начальная магнитная «2—94 55—65 50—60 30—34 20—24 20—24

Начальная магнитная 82—94 55—65 50—60 30—34 20—24 20—24

Кривая оа может быть получена при плавном намагничивании предварительно размагниченного образца (первоначальная кривая). На ней принято различать три основных участка: начальный, характерный медленным нарастанием индукции,— ему соответствует начальная магнитная проницаемость ^н; участок быстрого возрастания индукции — на нем магнитная проницаемость достигает максимального значения [Лмакс',- участок насыщения ферромагнитного материала, на котором индукция медленно возрастает, а магнитная проницаемость снижается ( 1.5).

Марка Коэрцитивная сила, А/м Индукция насыщения, Тл Начальная магнитная проницаемость Максимальная магнитная проницаемость Удельное электрическое сопротивление Ом • мм2/м

При выборе начальной магнитной напряженности (при отсутствии преобразуемого усилия) следует учитывать, что магнитоупругая чувствительность является функцией напряженности магнитного поля. При этом максимум магнитоупругой чувствительности практически совпадает с максимумом магнитной проницаемости. Следовательно, начальная магнитная напряженность может быть принята равной

где гх — эффективное сопротивление обмотки с сердечником, Ом; г о — сопротивление обмотки постоянному току. Ом; / — частота измерения, Гц; Lx — индуктивность обмотки с сердечником, Гн; я„ — начальная магнитная проницаемость, определяемая по формуле цн = KiKz 104/h, в которой /Cj — коэффициент начальной индуктивности, мкГн; h — высота магнитопровода, мм; Кг = l/(2In Did), где Dud — соответственно наружный и внутренний диаметры магнитопровода, мм,

где б.э — напряженность поля без экрана; Нэ — напряженность поля при наличии экрана; ц — начальная Магнитная проницаемость материала экрана; t — толщина экрана, мм; г0 — радиус эквивалентной сферы, равновеликой по объему с экранированной областью, мм.

большим колебаниям характеристик от партии к партии. При оптимальном составе начальная магнитная проницаемость доходит до 35 000, а максимальная — до 117 000 при коэрцитивной силе 1,76 А/м и удельном сопротивлении 0,81 • Ю-6 Ом-м.

Магнитная проницаемость магнитодиэлектрика слабо зависит от частоты. Для магнитодиэлектрика на основе карбонильного железа начальная магнитная проницаемость находится в пределах 10—20, на основе альсифера — 20—94, на основе пермаллоев — 60—250. Изделия из магнитодиэлектриков изготовляются в виде кольцевых и броневых сердечников или других конфигураций.