Необходим дополнительный

15.22. Предварительно необходимо представить 8(е'шГ) и 8'(е'шГ) в виде z-преобразований:

Для цепей высоких порядков, когда состояние выражается системой уравнений, входящие в последнюю формулу величины необходимо представить матрицами:

Для выявления общих свойств решения систем уравнений контурных токов и узловых напряжений и установления важных теорем теории линейных цепей необходимо представить решение в аналитическом виде через определители по правилу Крамера.

ТЗ на курсовое проектирование формулируется в виде частного технического задания (ЧТЗ) (имеет сокращенную по сравнению с ТЗ структуру экономических и производственных требований), оформляется согласно принятой на кафедре последовательности и, как минимум, включает следующие исходные данные: наименование проектируемого элемента; его роль и функциональное назначение в РЭА; электрические и конструкторские параметры; условия эксплуатации и тип аппаратуры, для которой он предназначен; годовую программу выпуска, требования гибкого автоматизированного производства. Кроме того, для достижения учебных целей данный документ должен содержать: перечень вопросов, подлежащих разработке (отдельно указываются вопросы, решаемые с применением САПР или ЭВМ), и графическую документацию, которую необходимо представить на защиту курсового проекта; список рекомендуемой литературы; календарный график работы над проектом.

При определении показателей надежности необходимо представить все элементы системы электроснабжения (линии электропередачи, коммутационные аппараты, трансформаторы, шины соединений и т. д.) параметрами потока отказов (аварий) Шав (1/год), потока плановых отключений сопл (1/год) и продолжительностью одного аварийного тав (ч) и планового тпл (ч) отключений (см. табл. 6.37).

Арифметические операции над двоичными числами без знака ничем не отличаются от подобных операций над двоичными числами со знаком, отрицательные из которых представлены своими дополнениями. Это существенно упрощает схемную реализацию подобных операций в цифровых ЭВМ. Однако следует иметь в виду, с какими числами имеем дело в данный момет: без знака или со знаком. Например, при сложении двух чисел без знака результат — число без знака в виде некоторой последовательности бит, которую можно интерпретировать и как отрицательное число в дополнительном коде. В общем случае при сложении или вычитании чисел со знаком результат есть число со знаком; если при этом бит старшего разряда равен единице, то результат — отрицательное число в дополнительном коде. Если требуется определить абсолютную величину результата, последний необходимо представить в обратном коде, а затем прибавить единицу.

На первый вопрос дает ответ первая теорема подобия: необходимо измерять те величины и параметры, которые входят в критерии подобия, характеризующие данный процесс. На второй вопрос отвечает вторая теорема подобия: экспериментальные данные необходимо представить в виде критериальных уравнений. И наконец, на третий вопрос дает ответ третья теорема подобия.

Решение. Исходя из задач, поставленных перед ЛУ, заполним таблицу истинности этого устройства. Она соответствует табл. 4.4, т. е. ЛУ является мажоритарным элементом типа «два из трех». Таблице истинности соответствует логическая функция (4.1), имеющая тупиковую форму (4.2). Для реализации логической функции ЛУ на элементах И — НЕ выражение (4.2) необходимо представить как отрицание конъюнкций. Используя правило де Моргана, получим

В САК необходимо представить 'Состояние относительно заданных описаний -норм большого количества (40 и более) контролируемых величин. Наибольшие трудности в восприятии результатов контроля человеком-оператором и при вводе результатов, контроля в ВМ или в САУ возникают при отклонении контролируемых величин в объекте контроля '(технологическом оборудовании, радиоэлектронной аппаратуре и т. п.) от нормального состояния при аварийной ситуации. Устройство представления данных САК должно быстро и 'эффективно представить информацию, необходимую для принятия соответствующего решения, с учетом пропускной способное.™ системы (ВМ, системы управления) и человека-оператора, если он участвует в принятии решения пв оценке состояния объекта контроля. Основы расчета пропускной способности технических систем разработаны относительно полно (см. гл. 2).

Теперь необходимо представить переменные 62, 6s, бе, fi, /з и /4 в виде функций переменных ioV и fs- Для этого нужно найти матрицу, обратную матрице коэффициентов в левой части (4-53). Но так как уравнения (4-53) просты, то приведем их к удобному виду простыми подстановками. Подставим шестое уравнение в пятое, затем шестое в четвертое и т. д. В результате получим:

Иногда сигнал необходимо представить о помощью частотных выборок спектральной функции S (со), а не временных выборок функции s (/). Для функции S (со) можно составить ряд, аналогичный выражению (2.120). Это нетрудно сделать на основании взаимной заменяемости переменных / и со в преобразованиях Фурье. Применительно к выражению (2.120) это означает, что t следует поменять на со, 2oim на Т0, 2/т на Г0/2л и Д^ = 1/2/т на Дсо = 2п/Т0.

Если в качестве примеси используется индий, имеющий три валентных электрона, то в электронной структуре кристалла кремния одна валентная связь атома индия с четырьмя соседними атомами кремния недоукомплектована и в кристалле образуется "дырка". Для образования устойчивой электронной структуры кристалла необходим дополнительный электрон. Тепловой энергии при комнатной температуре вполне достаточно для того, чтобы атом индия захватил один электрон из валентной связи между соседними атомами кремния. При этом атом индия превращается в устойчивый неподвижный отрицательный ион, а дырка перемещается на место расположения захваченного электрона. Далее на место вновь образовавшейся дырки может переместиться электрон из соседней валентной связи и т. д. С электрофизической точки зрения этот процесс можно представить как хаотическое движение в кристалле свободных дырок с положительным зарядом, равным заряду электрона. Такой полупроводник называется полупроводником с дырочной электропроводностью или полупроводником р-типа, а соответствующая примесь —акцепторной. На 10.2 приведено условное изображение идеального полупроводника р-типа.

Если в качестве примеси используется индий, имеющий три валентных электрона, то в электронной структуре кристалла кремния одна валентная связь атома индия с четырьмя соседними атомами кремния недоукомплектована и в кристалле образуется "дырка". Для образования устойчивой электронной структуры кристалла необходим дополнительный электрон. Тепловой энергии при комнатной температуре вполне достаточно для того, чтобы атом индия захватил один электрон из валентной связи между соседними атомами кремния. При этом атом индия превращается в устойчивый неподвижный отрицательный ион, а дырка перемещается на место расположения захваченного электрона. Далее на место вновь образовавшейся дырки может переместиться электрон из соседней валентной связи и т. д. С электрофизической точки зрения этот процесс можно представить как хаотическое движение в кристалле свободных дырок с положительным зарядом, равным заряду электрона. Такой полупроводник называется полупроводником с дырочной электропроводностью или полупроводником р-типа, а соответствующая примесь -акцепторной. На 10.2 приведено условное изображение идеального полупроводника р-типа.

Если в качестве примеси используется индий, имеющий три валентных электрона, то в электронной структуре кристалла кремния одна валентная связь атома индия с четырьмя соседними атомами кремния недоукомплектована и в кристалле образуется "дырка". Для образования устойчивой электронной структуры кристалла необходим дополнительный электрон. Тепловой энергии при комнатной температуре вполне достаточно для того, чтобы атом индия захватил один электрон из валентной связи между соседними атомами кремния. При этом атом индия превращается в устойчивый неподвижный отрицательный ион, а дырка перемещается на место расположения захваченного электрона. Далее на место вновь образовавшейся дырки может переместиться электрон из соседней валентной связи и т. д. С электрофизической точки зрения этот процесс можно представить как хаотическое движение в кристалле свободных дырок с положительным зарядом, равным заряду электрона. Такой полупроводник называется полупроводником с дырочной электропроводностью или полупроводником р-типа, а соответствующая примесь —акцепторной. На 10.2 приведено условное изображение идеального полупроводника р-типа.

При повышенной температуре окружающей среды ток /KOI может настолько возрасти, что ток /Bi может упасть до нуля (и даже изменить свое направление) и стабилизация сорвется. Таким образом, первая причина необходимости в резисторе R1 — это обеспечение работоспособности при повышении температуры. Вторая причина — это обеспечение работоспособности при полном сбросе нагрузки /„ ->• О, связанным с уменьшением тока /э! (1 — аст,) почти до нуля, когда /BI «ss — /KOI [см. формулу (VIII. 124)] и необходим дополнительный ток, поступающий через резистор R1. Этот дополнительный ток называют током подпитки, а резисторы R1 и R2 — резисторами подпитки. Выражение для базового тока при подпитке имеет вид

Схема, приведенная на VIII.31, в имеет частотно-зависимое напряжение на компенсационной обмотке. Контур L;Cf настроен в резонанс на частоту выше рабочей /с. С ростом /с контур приближается к резонансу, ток через L/ возрастает, компенсационное напряжение растет и выходное напряжение падает. Здесь частотная компенсация наступает независимо от величины ZH, но необходим дополнительный трансформатор.

Устройство для управления электрифицированной пишущей машинкой сходно с устройством управления телетайпом. Отличие заключается в том, что информация к телетайпу передается по одному проводу, а к электрифицированной пишущей машинке — по семи проводам, т. е. непосредственно с каждого триггера регистра. В схеме управления пишущей машинкой требования к длительности импульсов менее жесткие, чем в схеме управления телетайпом. Как видно из 7-14, для управления электрифицированной пишущей машинкой необходим дополнительный электронный блок дешифрации кода, поступающего из устройства управления.

Устройство для управления электрифицированной пишущей ма-шинкой сходно с устройством управления телетайпом. Отличие заключается в том, что информация к телетайпу передается по одному проводу, а к электрифицированной пишущей машинке — по семи проводам, т. е. непосредственно с каждого триггера регистра. В схеме управления пишущей машинкой требования к длительности импульсов менее жесткие, чем в схеме управления телетайпом. Как видно из 7-14, для управления электрифицированной пишущей машинкой необходим дополнительный электронный блок дешифрации кода, поступающего из устройства управления.

Напомним, что в соответствии с законом сохранения энергии для усиления необходим дополнительный источник энергии. При усилении триодом электрических колебаний увеличение мощности на анодной нагрузке по сравнению с мощностью, поступающей на вход, происходит за счет энергии источника питания постоянного тока ?а.

Общие замечания. В параметрических преобразователях выходной величиной является параметр электрической цепи (R, L, М, С). При использовании параметрических преобразователей необходим дополнительный источник питания. Параметрические преобразователи весьма разнообразны по своему устройству, назначению и областям применения. Ниже приводятся описание устройства и основы теории параметрических преобразователей, получивших наибольшее практическое применение.

телем линии и цепями релейной защиты трансформатора (в основном при достаточно коротких линиях). Поэтому необходим дополнительный местный защитный аппарат, в качестве которого может использоваться выключатель ВН ( 11-7, б) или короткозамыка-тель ( 11-7, в). В последнем случае релейная защита трансформатора действует на включение короткозамыкателя, который создает перед трансформатором одно-, двух- или трехфазное к. з. Оттоков к. з. срабатывает релейная защита в начале линии и линия отключается. Короткозамыка-тели от 35 до 220 кВ значительно дешевле, чем соответствующие выключатели, и поэтому, учитывая также их более простую эксплуатацию, находят относительно широкое применение.

Из полученных формул следует, что для расчета мощности, отдаваемой генератором в систему, необходимы ЭДС всех генераторов системы и их аргументы, а также комплексные значения собственных и взаимных проводимостей. Модули и аргументы ЭДС вычисляются как параметры нормального режима, предшествующего рассматриваемому переходному режиму. Для определения собственных и взаимных проводимостей необходим дополнительный расчет.