Необходимо изготовить

В некоторых случаях бывает необходимо исследовать режимы работы одной из ветвей сложной электрической цепи при изменении сопротивления этой же ветви. При этом нет нужды производить громоздкий расчет всей цепи каким-либо из рассмотренных выше методов, а целесообразнее воспользоваться методом эквивалентного генератора. Согласно этому методу воздействие всех источников сложной электрической цепи на исследуемую ветвь можно заменить воздействием последовательно соединенного с ветвью эквивалентного генератора, имеющего э.д.с. Евкд и внутреннее сопротивление гэкв.

Для построения алгоритма оптимизации системы межоперационного контроля необходимо исследовать поведение функционала Э в зависимости от управления {Us(t)}. Для этого рассмотрим влияние выбора и назначения двух произвольных операций контроля ( 15.5) после соответствующих технологических

Во всех рассмотренных структурных схемах электропривода фигурирует статический момент Мс, создаваемый силой веса бурильной колонны. При упрощенном анализе принимают, что колонна представляет собой абсолютно жесткое тело, чему соответствует Мс = const. Такое упрощение считают допустимым при длине бурильной колонны до 3000—4000 м [42, 77]. В действительности бурильная колонна, а также талевый канат обладают упругостью и распределенными по длине параметрами, что может быть причиной возникновения колебаний в приводе и колонне. Особую опасность представляют резонансные колебания в электромеханической системе, поэтому переходные процессы необходимо исследовать с учетом динамических свойств обеих частей электромеханической системы.

Из зависимостей, приведенных на 6.4 и 6.5, можно сделать несколько полезных для проектирования выводов. Так, очевидно, что выигрыш в задержке существенно растет при росте загрузки и оказывается особенно большим в режиме больших загрузок, когда р-И. В то же время для фиксироваяного р выигрыш в задержке падает с ростом суммарной пропускной способности. Это объясняется тем, что абсолютные значения ?обд и ?рд также становятся весьма незначительными. Следует при этом помнить, что выводы получены в условиях равенства интенсивностей и средних длин; если же эти условия не выполняются, необходимо исследовать поведение разностной задержки при конкретных значениях этих параметров.

Для обеспечения надежности прогнозирования необходимо исследовать влияние случайной составляющей временного ряда, зашумляющей его. Исследования показали, что временные ряды электрических показателей для промышленных предприятий имеют малую зашумленность. Соотношение x(t) и E'(t) для общего расхода электроэнергии промышленного предприятия достигает 1—2%. Это соотношение растет по цепочке: объем

временной ряд. Построенная линия регрессии является оценкой теоретической регрессионной зависимости. Поэтому необходимо исследовать точность полученной оценки, т. е. определить доверительный интервал, который для значения у в точке t0 определяется так:

Следует подчеркнуть важную особенность цепей в синусоидальном режиме, которая состоит в том, что сопротивления реактивных элементов — индуктивности и емкости — зависят от частоты. Поэтому от частоты будут зависеть основные параметры цепи и, следовательно, все переменные. Для полного выявления свойств цепи в синусоидальном режиме необходимо исследовать основные параметры цепи при изменении частоты в диапазоне от нуля до бес-конечности. Соответствующие зависимости параметров цепи от частоты называют частотными характеристиками. В некоторых случаях интересуются поведением цепи в ограниченном диапазоне частот или при одной заданной частоте. Поскольку параметры комплексной схемы замещения зарисят от частоты и комплексные амплитуды являются функциями частоты, а не времени, то анализ по методу комплексных амплитуд называют также анализом в частотной области.

Для обеспечения нормальной работы СМ в системах электропередачи важно знать соотношения параметров цепи «машина — емкостная нагрузка», при которых возникает самовозбуждение, делающее невозможной нормальную работу СМ. Поэтому можно рассматривать только условия возникновения процесса самовозбуждения. Для решения этой задачи необходимо исследовать характеристическое уравнение, составленное для дифференциальных уравнений равновесия напряжений СМ [5, 6, 8].

Чтобы проанализировать влияние различных параметров СД на втягивание в синхронизм, необходимо исследовать электромеханические переходные процессы (14.50). С практической точки зрения важно, втянется двигатель в синхронизм при определенной нагрузке или нет. При синхронной частоте вращения средняя составляющая момента (11.46) отрицательна или равна нулю. Следовательно, она не может быть причиной втягивания в синхронизм даже при работе в режиме XX, причина втягивания СД в синхронизм — пульсирующая составляющая момента при условии, что ротор под дей-

уже отмечалось в п. 6,6.4, эти алгоритмы необходимо исследовать с помощью моделирования на ЭВМ. Для этого не-об водимо смоделировать ел уча иную последов а-тельность с плотностью распределения (7.20) для а = 0 и различных Б и сга. Полученную случайную последовательно;^ исследовать с помощью выражения (7.26) и но алгоритму выборочного среднего. Результаты этого моделирования представлены на 7.2 и 7.3. Графики

уменьшить потери короткого замыкания Рк, увеличить коэффициент заполнения kc и уменьшить не в ущерб электрической прочности трансформатора изоляционные расстояния главной изоляции обмоток. Для оценки эффективности подобных изменений необходимо исследовать, как эти изменения отражаются на параметрах трансформатора, массах и стоимости его активных материалов.

При изготовлении защитных стекол иногда необходимо изготовить в них отверстия диаметром 2...10 мм (например, для установки винта корректора). Отверстия малого диаметра (до 3 мм) сверлят, как правило, алмазными сверлами (алмаз с двумя или тремя режущими лезвиями, закрепленный в специальной оправке). Место сверления смачивается нефтяным маслом или эмульсией из масла, скипидара и камфоры. При сверлении тонких стекол во избежание растрескивания рекомендуется выбирать очень малое усилие подачи. С той же целью сверление толстых стекол целесообразно осуществлять поочередно с двух сторон. Небольшие отверстия в стекле можно сверлить также сверлами со вставками из твердого сплава, смоченными скипидаром или раствором камфоры в скипидаре.

Разработка технологического цикла. В конструкторской документации даются четкие и однозначные указания о том, что именно необходимо изготовить, но не говорится однозначно, как это сделать. Каждый элемент изделия обычно можно изготовить с применением различных станков или другого оборудования, с применением различной последовательности операций. Для наиболее эффективного и качественного выполнения элементов и изделия в целом мастерам и рабочим необходимы также указания о том, как, в каком порядке и на каком оборудовании целесообразно производить операции, как и чем их контролировать.

Перед размещением разработанного устройства в корпусе для установки его в опытную эксплуатацию необходимо изготовить и наладить макет устройства, а затем снять его характеристики.

11 FORMAT <3X.' ВАМ НЕОБХОДИМО ИЗГОТОВИТЬ МНОГОСЛОЙНУИ КАТУШКУ) 190 WRITE(iil2)

Пленочная технология предпочтительна в тех случаях, когда необходимо изготовить пассивные элементы с высокой точностью номиналов. Тонкопленочная технология позволяет выбрать материал с необходимыми параметрами и характеристиками и получить пассивные элементы любой требуемой конфигурации.

Изготовление внешних выводов. В большинстве конструкций корпусов выводы прямоугольного сечения производят групповым методом в виде рамки, объединяющей все выводы или часть в одну деталь ( 10.4, а). Рамки являются наиболее сложной из металлических деталей корпуса и изготавливаются двумя методами: штампованием и травлением. Штампы для рамок в связи со сложной их конфигурацией, высокими требованиями по точности и стойкости имеют большую стоимость, поэтому штампование применяют только в тех случаях, когда необходимо изготовить большое количество рамок. Методом штамповки также нельзя делать рамки при ширине выводов менее 100 мкм. При малых партлях и ширине выводов менее 100 мкм рамки целесообразнее изготовлять методом хи-

Поток в воздушном зазоре. Для использования энергии магнита необходимо изготовить его с воздушным зазором. Составляющая МДС, затрачиваемая постоянным магнитом на проведение потока в воздушном зазоре, называется свободной МДС.

Поток в воздушном зазоре. Для использования энергии магнита необходимо изготовить его с воздушным зазором. Составляющая МДС, затрачиваемая постоянным магнитом на проведение потока в воздушном зазоре, называется свободной МДС.

Сваренные головки изолируют согласно чертежу несколькими слоями изоляции. Последний слой изоляции — защитный. Изолировку производят лентами, которые последовательно накладывают на головки. Затем приступают к сборке междугрупповых соединений. Имеется большое количество различных схем; рассмотрим одну из них. На 16.15 приведена схема соединения одной фазы четырехполюсной машины, имеющей две параллельные ветви, по две соединенные последовательно катушечные группы в каждой ветви. Для соединения одной фазы необходимо изготовить из шинной меди две шинки, имеющие размер полукольца, и две шинки, имеющие размер четверти кольца. Как правило, шинки изготавливают по месту. Сечение шинок рассчитывают на половину номинального тока машины. Концы шинок изгибают колечком и надевают на выводной конец соответствующей катушки. Места

Двухслойная структура. На 3.5.10 показан пример двухслойной структуры, в которой слой a-SiGe служит генерирующим носителем слоем, чувствительным к инфракрасному свету (последний не может поглощаться слоем a-Si;H). Фотогенерируемые в a-SiGe электроны инжектируются в слой a-Si: Н, дырки, которые генерируются светом в слое a-SiGe, движутся к поверхности, где нейтрализуются электронным пучком. Если толщинаатоя a-SiGe достаточно мала по сравнению с толщиной a-Si: Н, то переносом дырок в слое a-SiGe можно пренебречь. Для наблюдения переноса электронов в слое a-Si: Н должны выполняться следующие условия: во-первых, необходимо изготовить слой a-SiGe с высокой фотопроводимостью, чувствительный к свету с длиной волны больше 800 нм; во-вторых, должна быть эффективной инжекция носителей из слоя a-SiGe в спой a-Si: H. Этот метод выглядит многообещающим, если учесть тот факт, что к.п.д. солнечных элементов возрастает [133] при использовании каскадной структуры, состоящей •

Двухслойная структура. На 3.5.10 показан пример двухслойной структуры, в которой слой a-SiGe служит генерирующим носителем слоем, чувствительным к инфракрасному свету (последний не может поглощаться слоем a-Si;H). Фотогенерируемые в a-SiGe электроны инжектируются в слой a-Si: Н, дырки, которые генерируются светом в слое a-SiGe, движутся к поверхности, где нейтрализуются электронным пучком. Если толщина слоя a-SiGe достаточно мала по сравнению с толщиной a-Si: Н, то переносом дырок в слое a-SiGe можно пренебречь. Для наблюдения переноса электронов в слое a-Si: Н должны выполняться следующие условия: во-первых, необходимо изготовить слой a-SiGe с высокой фотопроводимостью, чувствительный к свету с длиной волны больше 800 нм; во-вторых, должна быть эффективной инжекция носителей из слоя a-SiGe в спой a-Si: H. Этот метод выглядит многообещающим, если учесть тот факт, что к.п.д. солнечных элементов возрастает [133] при использовании каскадной структуры, состоящей •

Вначале необходимо изготовить прототип паяного узла, выбрав для него надлежащий материал, соблюдая все принципы рационального конструирования и применив соответствующую технологию пайки. Этот прототип нужно подвергнуть в металлургической лаборатории разрушающему контролю, применив один из методов, описанных ниже в данной главе. В число таких методов входит испытание на механическую прочность, проверка токонесущей способности (по замерам сопротивления) и разрезка соединения с целью обнаружить, если они есть, несмоченные участки и дефекты в спае. После того как прототип успешно пройдет все проверки, визуальный осмотр производственной продукции получает надежную основу: положительный результат такого осмотра позволяет утверждать, что качество данного паяного соединения равноценно качеству тех соединений, которые прошли всестороннюю проверку в лаборатории.