Необходима разработка

щихся общностью применяемых средств механизации и автоматизации. При классификации сборочных единиц в группы учитываются габаритные размеры базовой детали и остальных элементов, подлежащих сборке и монтажу, виды соединений, требуемая точность, технология осуществления этих соединений, характеристика оборудования, оснастки и контрольной аппаратуры, а также вопросы экономичности. Классификация завершается разбивкой сборочных единиц на следующие группы: 1) с начинающимся и заканчивающимся циклом сборки на одном и том же оборудовании; 2) с незаконченным циклом сборки, когда часть деталей и ЭРЭ собирается на одной групповой операции, а на остальных операциях детали и ЭРЭ входят в другие группы или их сборка выполняется по единичному процессу; 3) с одним общим групповым технологическим маршрутом, состоящим из набора групповых технологических операций, на каждом из которых используются групповые приспособления и наладки, позволяющие после небольшой перестройки производить сборку и монтаж очередной партии изделий. Для того чтобы затраты времени на переналадку оснастки были минимальные, необходима определенная последовательность запуска партий изделий из одной классификационной группы.

Многих недостатков, присущих обеим разновидностям полупроводниковых ИМС, лишены гибридные интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными, т. е. компонентами. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации гибридных ИМС определяется количеством используемых навесных компонентов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. Гибридные ИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки практически не оказывает влияния на электрические

Многих недостатков, присущих обеим разновидностям полупроводниковых ИМС, лишены гибридные интегральные микросхемы, в которых пассивные элементы выполняются по толстопленочной или тонкопленочной технологии, а активные элементы являются навесными. Такой метод проектирования ИМС обеспечивает большие производственно-экономические выгоды и расширяет схемотехнические возможности выбора оптимальных режимов работы ИМС. Степень миниатюризации гибридных ИМС определяется количеством используемых навесных элементов, для реализации которых необходима определенная площадь, и геометрическими размерами пленочных элементов. Гибридные ИМС создаются на подложке с хорошими изоляционными свойствами, поэтому материал подложки практически не оказывает влияния на электрические связи элементов, как это имеет место в полупроводниковых ИМС.

А. Общие замечания. Главными частями электрифицированного агрегата, являются исполнительный механизм и электродвигатель, сообщающий механизму тот или иной вид движения. Для их согласованной работы необходима определенная взаимозависимость между механическими характеристиками двигателя и механическими характеристиками исполнительного механизма как в установившемся режиме работы, так и в переходных. В зависимости от соотношения между этими характеристиками находится вопрос об устойчивости работы агрегата.

Для обеспечения несколько ускЬренной коммутации необходима определенная дополнительная составляющая В'к, 'так. что

Вследствие этой и других неустойчивых характеристик до настоящего времени еще ни один из существующих реакторов синтеза не смог поддержать три необходимых параметра (температуру, плотность и время удержания) на достаточно высоком уровне и достаточно долгое время. Для каждой реакции синтеза при заданной температуре необходима определенная плотность и время с тем, чтобы произошла термоядерная реакция. Для реакции ,Д+Т при 108 К это произведение должно быть

Такую зависимость /Ср (?и) можно объяснить следующим образом. Для отрыва атома от поверхности мишени необходима определенная энергия, и до тех пор, пока ионы ею не обладают, они не способны вызывать распыление. Ионы, обладающие более высокой энергией, проникают внутрь мишени на тем большую глубину, чем выше их энергия. На своем пути они смещают атомы мишени, сообщая им энергию, достаточную для подхода к поверхности и отрыва от нее. С ростом энергии ионов растет число атомов, способных покинуть мишень. Поэтому на первых порах /Ср растет с ростом ?„. Однако увеличивается и глубина проникновения ионов в мишень, вследствие чего не все атомы, получившие от иона большую энергию, выходят из мишени. Часть из них при движении к поверхности растрачивает свою энергию при столкновениях с другими атомами. Относительная доля таких атомов увеличивается по мере роста глубины проникновения ионов, т. е. по мере увеличения их энергии. Поэтому, начиная с некоторой энергии ?тах, дальнейшее ее увеличение приводит к падению /Ср.

Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитак-сией, а сами пленки — эпитаксиальными. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества — гетеро-эпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Структурному совершенству зародышей способствует также низкая скорость их роста, которая достигается при малой степени пересыщения пара осаждаемого материала или его раствора (при эпитаксии из жидкой фазы). Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. Большую роль при этом играют винтовые дислокации ( 2.8). В простейшем случае они представляют собой одноатомную.ступеньку, начинающуюся у оси 00 и идущую вдоль кристаллографической плоскости до границы кристалла. Так как при покрытии кристалла одним или несколькими слоями атомов такая ступенька исчезнуть не может, то для обес-

Кроме применения технических способов и средств для обеспечения безопасности труда в ЭУ необходима определенная система организации проектирования, монтажа, обслуживания и ремонта, соответствующая квалификация и дисциплина труда персонала.

Для обеспечения несколько ускоренной коммутации необходима определенная дополнительная составляющая Вк, так что

Увеличение сопротивления открытого канала полевого ключа с ростом температуры является одним из условий термоустойчивости. Однако необходима определенная осторожность в схемах, работающих в режиме постоянного выходного тока Постоянный ток и быстро увеличивающееся с ростом температуры сопротивление приводят к значительному росту рассеиваемой мощности Р:

Изложенные соображения показывают, что для обеспечения заданного уровня видимости объекта необходима определенная яркость фона, зависящая в реальных условиях от уровня освещенности и коэффициента отражения (коэффициента яркости) рабочей поверхности. При этом освещенность рабочей поверхности должна быть тем больше чем точнее зрительная работа (меньше угловой размер объекта), чем меньше контраст объекта с фоном и чем меньше коэффициент отражения рабочей поверхности.

Микропрограммное диагностирование- в отличие от диагностирования программными средствами позволяет контролировать изменение состояния аппаратуры ЭВМ на каждом машинном такте, благодаря чему достигается высокая разрешающая способность САД — один-два сменных элемента (ТЭЗ). Однако при этом требуется дополнительная аппаратура (около 3—5 % объема оборудования процессора и каналов) и необходима разработка большого объема (около 1 Мбайт) микродиагностической информации (микротестов).

Для выполнения с помощью ЭВМ связанных с конструкцией графических построений необходима разработка определенной графоаналитической модели, которая давала бы возможность, базируясь на основных размерных данных сердечников статора и ротора, получить соответствующие этим основным размерам графическое изображение конструкции машины.

Для выполнения с помощью ЭВМ связанных с конструкцией графических построений необходима разработка определенной графоаналитической модели, которая давала бы возможность, базируясь на основных размерных данных сердечников статора и ротора, получить соответствующие этим основным размерам графическое изображение конструкции машины.

САПР стадии проект электрической части не может ограничиваться определением основных электрических показателей и показателей по цехам (см. табл. 10.1). На этой стадии необходима разработка алгоритмов и программ по всей технологической линии проектирования. И каждый из «квадратиков» (см. 10.1)—объект (например, проектирование линии электропередачи) может быть в свою очередь разбит еще на составляющие.

При учете погрешностей характеристик водохранилища, приведенных в гл. 3, можно сделать вывод, что расчет QB на их основе- не всегда надежен. Это положение усугубляется и тем, что в значениях Ув(гвб) имеются погрешности не только во времени, но и по створу ГЭС. Вследствие этого QB(0 иногда определяют и на основе общего баланса расходов ГЭС, т. е. равенства QBe(0 и <2нб(0- Погрешности расчета QB(t) по статическим характеристикам водохранилища особо ощутимы при расчетах краткосрочных режимов ГЭС. В этих случаях необходима разработка специальных математических моделей водохранилища с учетом неустановившихся режимов его работы. Одним из таких приемов может служить использование в расчетах не отметок zB6 в створе ГЭС, а некоторой балансовой отметки г™ по водохранилищу, принимаемой за определяющую с точки зрения надежности расчета QB(0 по статическим характеристикам водохранилища.

Для использования СУБД необходима разработка логического и физического представления данных. Специалисты по электрическим машинам, принимающие участие в создании САПР, разрабатывают содержательный уровень, оказывают методическую помощь специалистам группы информационного обеспечения при реализации логического представления дан-

Таким образом, было показано, что чувствительность,, разрешающая способность и кислотостойкость (тонкие слои) применяемых фоторезистов сравнительно невелики и для полного использования преимуществ электронно-лучевого экспонирования (электронолито-графин) необходима разработка новых резистов (электроноре-зистов) с большими разрешающей способностью, кислотостойкостью и чувствительностью.

Таким образом, было показано, что чувствительность, разрешающая способность и кислотостойкость (тонких слоев) применяемых фоторезистов сравнительно невелики, и для полного использования преимуществ электронно-лучевого экспонирования (электронолитографии) необходима разработка новых фоторезистов с большими разрешающей способностью, кислотостойкостью и чувствительностью.

и жидком топливах, еще очень велика, и необходима разработка новых, более совершенных способов их очистки.

Однако имэются определенные указания на то, что такая форма не является наилучшей. Можно добиться снижения потерь применением цилиндрических трубок или трубок овального сечения, а также подбором такого оптимального зазора между витками, который обэспечивал бы более благоприятное распределение тока по поверхности трубки, снижающее ее активное сопротивление, а, следовательно, и потери. Необходима разработка обоснованных ре-

Поэтому для улучшения состояния использования ВЭР в цветной металлургии необходима разработка такого котла-утилизатора, который наряду с обеспечением надежной работы технологического агрегата обеспечивал бы полную утилизацию тепла ВЭР.