Некоторого критического

Подобные фильтры, уменьшающие амплитуды колебаний в пределах некоторого конечного интервала частот, называют ре-о/секторными фильтрами (РФ).

флагов СЗ, СО в зависимости от соотношения между значениями чисел х0 и х\. Ситуация, соответствующая случаю «х0 несравнимо с xi» (СЗСО=11), возникает, например, при сравнении некоторого конечного числа с NAN (см. табл. 3.7).

Каждый из входных сигналов принимает значение из некоторого конечного набора символов или букв, образующего входной алфавит:

Решение данного дифференциального уравнения получим, проинтегрировав (5.22) в пределах от s=l до некоторого конечного значения SKOH:

Основное допущение метода Эйлера: постоянство производной искомой функции в пределах некоторого конечного участка применительно к магнитной цепи означает, что в схеме замещения можно проводимости рассеяния каждого участка (Xali) считать сосредоточенной и приложенной \ точкам, где действует разность магнитных потенциалов с7м/, постоянная для данного участка. Без

(в чисто реактивных двухполюсниках) не должен превышать некоторого конечного (не бесконечно большого) числа N. Но это может быть только в том случае, когда

так как t'B и U непрерывно изменяются. Работа генератора параллельного возбуждения при RB = ??в.кр также неустойчива, так как если несколько изменить величину RB, то напряжение U значительно изменится, т.~е. возрастет до некоторого ^конечного значения или упадет почти до нуля.

Переход УВХ из режима хранения в режим слежения требует некоторого конечного времени *yCT для установления сигнала. Так, в неинвертирую-щей схеме УВХ /уст определяется постоянной времени т=ггВпС, где гВКл — внутреннее сопротивление открытого ключа. В инвертирующей схеме tVci = = С#21п[^вх/(?/вх—t/вых)]. В этом отношении неинвертирующая схема УВХ имеет преимущества. Однако в неинвертирующей схеме ток заряда конденсатора вдет от источника сигнала, что является существенным недостатком.

В момент включения обмотки реле под постоянное напряжение ток, проходящий по обмотке реле, и, следовательно, поток Ф( в сердечнике, обусловленный этим током, изменяется от нуля до некоторого конечного зна-

так как tB и U непрерывно изменяются. Работа генератора параллельного возбуждения при RB = /?Е.кр также неустойчива, так как если несколько изменить величину RB, то напряжение U значительно изменится, т. е. возрастет до некоторого конечного значения или упадет почти до нуля.

Суммарный объем воды, прошедший через поперечное сечение водотока от какого-либо начального момента времени t0 до некоторого конечного tK, называется стоком W.

Диэлектрики выполняют свои изолирующие функции, пока напряжение устройства и, следовательно, напряженность электрического поля в диэлектрике данного устройства не превысят определенных значений. Если напряженность окажется больше некоторого критического значения, наступает пробой диэлектрика. Пробой различных (твердых, жидких и газообразных) диэлектриков вызван различными явлениями. Однако во всех случаях проводимость и ток диэлектрика недопустимо возрастают и он теряет свои изолирующие свойства.

Кавитация возникает в той области проточной части насоса, где местное статическое давление снижается до некоторого критического давления ркр, при котором наступает нарушение сплошности потока и изменение его структуры. При этом могут иметь место различные формы кавитации как порознь, так и одновременно в зависимости от установленного давления перед насосом /?вх-

Когда ток эмиттера достигает некоторого критического значения /Вкл, которому соответствует напряжение на эмиттере 1/вкл, начинает сказываться эффект накопления носителей заряда в подэмиттерном слое базы Б\,

что пары металлов представляет собой совокупность одноатомных молекул, которые находятся на таком большом расстоянии друг от друга, что силами их взаимодействия можно пренебречь. Все электроны в атоме пара металла прочно связаны с положительным ядром и не могут свободно перемещаться, т.е. без вмешательства внешних факторов свободные носители заряда осутствуют. Для отрыва от атома наиболее слабо связанного электрона даже из такого хорошего в нормальных условиях проводника, как серебро, необходима энергия около 15 эВ - её получение возможно лишь при температуре около 150000К. Однако при увеличении электрического поля до некоторого критического значения начинается ионизация газов. В этом случае газ становится проводником с электронной и ионной проводимостью.

Таким образом, обтекаемый электрическим током сверхпроводящий соленоид должен представлять собой «сверхпроводниковый электромагнит», не требующий питания током. Однако оказшюсь, что сверхпроводимость нарушается не только при повышении температуры свыше температуры перехода ТКР, но также и при возникновении на поверхности сверхпроводника магнитного поля со значением магнитной индукции выше некоторого критического значения ВКР. Это объясняется диаграммой состояния сверхпроводника, схематически изображенной на 2.8(а). Каждому значению температуры данного материала, находящегося в сверхпроводящем состоянии, соответствует свое значение ВКР. Зависимость ВКР от температуры во многих случаях описывается формулой

Первое необходимое условие самовозбуждения машины постоянного тока — наличие поля остаточного намагничивания. Второе условие — такое соединение обмоток возбуждения и якоря, при котором ЭДС обмотки якоря вызывает в обмотке возбуждения ток, усиливающий поле остаточного намагничивания. И третье — требование, чтобы сопротивление цепи обмотки возбуждения было меньше некоторого критического значения, при котором вольт-амперная характеристика этой цепи касательна к характеристике XX машины.

Схема, предназначенная для формирования импульсов, используемых для включения симметричного тиристора ( 63), выполнена на однопереходном транзисторе Т. При подаче напряжения питания С/В1Б2 конденсатор С1 заряжается через резистор R1. Когда напряжение на эмиттере достигает некоторого критического значения, определяемого характеристикой прибора, транзистор отпирается, и конденсатор С1 разряжается через сопротивление эмиттерного перехода транзистора и резистор R3. На резисторе R3 происходит падение напряжения, которое используется в качестве входного сигнала симметричного тиристора. По мере разряда конденсатора С1 напряжение на нем уменьшается до определенного значения, и транзистор запирается. Форма импульсов, формируемых схемой, близка к прямоугольной. С помощью резистора R1 можно регулировать момент включения нагрузки.

ионов в кристаллическую среду ионный пучок, воздействующий на поверхность подложки, распадается на два пучка, один из которых называют неканалированным, или беспорядочным, а другой — каналированным. Неканалированный пучок содержит ионы, ударяющиеся о поверхность подложки вблизи регулярных атомов кристаллической решетки на расстоянии, меньшем некоторого критического значения. В результате взаимодействия с такими атомами ионы сильно рассеиваются, поэтому для ионов неканалированного пучка анизотропные свойства бомбардируемой подложки являются несущественными. В каналированном пучке содержатся Ионы, которые, не испытав близких столкновений с поверхностью, могут дальше перемещаться по междоузель-ному пространству кристаллической решетки вдоль атомных плоскостей, выполняющих роль канала. Каналированный пучок возникает в случае, если поверхность полупроводниковой подложки ориентирована в одной из главных кристаллографических плоскостей и ионы приближаются к оси канала под углом, меньшим некоторого критического. Ионы неканалированного пучка теряют свою энергию за счет взаимодействия как с электронами, так и с атомами кристаллической решетки материала подложки. При этом преобладающим механизмом энергетических потерь каналированного пучка является взаимодействие ионов с электронами. Если считать, что каналированный и неканалированный пучки тормозятся независимо друг от друга, то распределение внедренных ионов будет определяться суперпозицией распределений для обоих пучков.

напряжением некоторого критического значения.

Вентильные свойства p-n-перехода отображаются его вольт-амперной характеристикой, представляющей зависимость значения и направления тока от значения и полярности напряжения ( 16.12). При достижении обратным напряжением некоторого критического значения UKf обратный ток возрастает. Этот режим называется пробоем р-п-перехода.

По точкам кривых 14.21 можно построить характеристику стабилизатора t/2 (f/j), определяя значения ?/х и ?/2 для одних и тех же значений тока ( 14.22). Из этой кривой видно, что стабилизирующее действие схемы имеет место лишь при напряжениях сети, больших некоторого критического напряжения Ula, соответствующего точке 2 14.18, б. При уменьшении напряжения f/j ниже критического происходит скачкообразное понижение напряжения i/3, и оно уже не стабилизируется.