Некоторое критическое

Вспомогательные элементы, не являясь в прямом смысле приемниками, потребляют некоторое количество энергии, что ухудшает коэффициент полезного действия (КПД) установок.

плавкая вставка / фигурной формы помещена в фибровую трубку (патрон) 2, плотно закрытую колпачками 4. Детали 3 служат для присоединения предохранителей к электрической цепи. При перегорании плавкой вставки и образовании электрической дуги некоторое количество фибры разлагается, образуя газы, способствующие быстрому гашению дуги. Эти предохранители изготовляются на номинальные токи от 15 до 1000 А.

Метод неполной взаимозаменяемости. Сущность этого метода заключается в том, что требуемая точность выходных параметров сборочных единиц достигается путем установки более широких допусков на параметры комплектующих ЭРЭ. В результате этого получается некоторое количество изделий, у которых погрешности выходных параметров вышли за пределы заданного допуска. Так как процент брака невелик, то дополнительные затраты труда и .средств на исправление брака меньше, чем затраты на изготовление ЭРЭ с более жесткими допусками на их параметры. Пояснить изложенное можно графиками, приведенными на 10.9.

После пайки на поверхности плат остается некоторое количество флюса и продуктов его разложения, которые способны вызвать коррозию контактных соединений и ухудшить диэлектрические характеристики используемых материалов. Поэтому предусматривается очистка смонтированных ПП, способ проведения которой определяется степенью и характером загрязнений, требуемой надежностью выполнения операции. Обычно применяют отмывку в различных моющих средах. Технологически просто происходит удаление остатков водорастворимых флюсов путем промывки плат

новая плавкая вставка / фигурной формы помещена в ф,ибровую трубку (патрон) 2, плотно закрытую колпачками 4. Детали 3 служат для присоединения предохранителей к электрической цепи. При перегорании плавкой вставки и образовании электрической дуги некоторое количество фибры разлагается, образуя газы, способствующие быстрому гашению дуги. Эти предохранители изготовляются на номинальные токи от 15 до 1000 А.

В машинах разной производительности и величины стековые участки памяти организуются также по-разному. Иногда стеки выполняются на быстрых регистрах, иногда в ОЗУ (в мини-ЭВМ), иногда в комбинированном варианте: вершина и некоторое количество верхних ячеек — на быстрых регистрах, а более глубокие зоны стека — в ячейках ОЗУ. Это оправдано тем, что для

Возможны три типа элементной базы: ИМС, дискретные ЭРЭ, ИМС и дискретные ЭРЭ. Практически любое ЭУ, построенное на ИМС, имеет некоторое количество дискретных ЭРЭ. Однако если все основные функции в ЭУ выполняют ИМС, а дискретные ЭРЭ выполняют вспомогательные функции (фильтры в цепях питания, согласование с помощью мощных транзисторов, тиристоров или оптронов выходов ЭУ с нагрузками и т. п.), то такое ЭУ является, несомненно, микроэлектронным. На ИМС обычно строят ЭУ, перерабатывающие информацию на низком уровне напряжения и мощности. Так, например, электронные часы, структурная схема которых показана на 3.2, могут быть полностью построены на ИМС. Смешанную элементную базу имеют ЭУ, содержащие как маломощные, так и мощные функциональные элементы. Например, смешанную элементную базу имеют усилители, содержащие каскады предварительного усиления напряжения сигнала (ИМС) и мощные каскады (транзисторы).

Потери тепла на этапе нагружения блока связаны, в частности, с нестационарностью данного режима, обусловливающей дополнительный подвод тепла для повышения параметров пара, компенсации потерь при неустановившемся топочном процессе и на аккумулирование в оборудовании при его прогреве. Кроме того, некоторое количество тепла теряется при промывке ПВД и ПНД, со сбросом воды из растопочного расширителя в конденсатор (до выхода котла на прямоточный режим) и по другим причинам. Отвод тепла в конденсаторе (холодному источнику), являющийся необходимым условием преобразования тепловой энергии в работу, в рассматриваемых пусковых потерях, естественно, не учитывается.

Явление Пельтье связано с поглощением и выделением тепла в спаях термоэлемента. При пропускании постоянного тока через термоэлемент в спаях его ветвей в единицу времени поглощается или выделяется (в зависимости от направления тока) некоторое количество тепла, пропорциональное току и коэффициенту Пельтье: Qn = П/, где П — коэффициент Пельтье.

Программа 1971 г. начинается с важного «Методического указания», отсутствовавшего в программе 1964 г.: «Настоящая программа является типовой, определяющей общее содержание курса. Руководствуясь ею, кафедры вузов разрабатывают свою рабочую программу. Рабочая программа, включая в себя содержание типовой, может иметь иную последовательность изучения разделов в соответствии с кафедральной методикой преподавания. При составлении рабочей программы ее авторы обязаны выделить некоторое количество лекционных часов на самостоятельный раздел, освещающий последние достижения науки и техники в данной конкретной области». Таким образом узаконено положение, фактически имеющее место на кафедрах многих втузов и отраженное в ряде учебников ТОЭ.

Достоинством барабанных котлов является допустимость подачи в него питательной воды, содержащей некоторое количество загрязняющих примесей (растворенных солей, взвешенных продуктов коррозии). При частичном упаривании котловой воды концентрация примесей в ней возрастает, так как примеси в пар переходят в небольшом количестве. Это дает возможность выводить из котла поступившие примеси вместе с небольшой частью котловой воды, называемой продувочной. Если количество поступающих в котел и выводимых из него примеоей будет равно, то в нем не будет происходить накопления примесей сверх установленной нормы:

Когда напряжение обратного смещения на р — п-переходе превышает некоторое критическое значение,, ток через переход быстро возрастает ( 1.3). Это критическое напряжение называют напряжением пробоя ?/пр- Если концентрация носителей по обе стороны р — n-перехода меньше Ю18 см"3, напряжение пробоя определяется началом лавинного процесса, когда электрическое поле в обедненной области достаточно велико,

Выражение (2.4) справедливо при значениях напряженности поля ?, не превышающих некоторое критическое значение ?„5, т. е. при ? <: ?кр, при которых подвижности носителей заряда не зависят от напряженности электрического поля и остаются постоянными. При ? >• > ?кр носители заряда приобретают за время свободного пробега между столкновениями дрейфовую составляющую скорости, сравнимую со скоростью теплового движения и. При этом происходит насыщение скорости дрейфа, она перестает возрастать вследствие увеличения числа столкновений в единицу времени. Поэтому при ?>?кр с ростом напряженности подвижность уменьшается, эта зависимость выражается эмпирической формулой

Общим достоинством жидкостных и испарительных систем является постоянство температуры охлаждающей среды. Однако если температура превышает некоторое критическое значение, то у стенки образуется сплошная пленка пара и эффективность теплоотвода падает. Теплоотвод ухудшается и при наличии ламинарной пленки при течении теплоносителя. Применение

Выражение (3.31) справедливо при значениях напряженности поля Е, не превышающих некоторое критическое значение Екр> т. е. при Е<Екр, при которых подвижности носителей заряда не зависят от напряженности электрического поля и остаются постоянными. При Е>Екр носители заряда приобретают за время свободного пробега между столкновениями дрейфовую составляющую скорости, сравнимую со скоростью теплового движения и. При этом проис'хо-дит насыщение скорости дрейфа, она перестает возрастать вследствие увеличения числа столкновений в единицу времени. Поэтому при Е>Е^, с ростом напряженности подвижность уменьшается, эта зависимость выражается эмпирической формулой ___

Так как темновой ток мал, то отношение тока при освещении к темновому току велико, что очень важно при индикации освещения. Если обратное напряжение превысит некоторое критическое значение, то в р — «-переходе возникает лавинное размножение носителей заряда, которое может вывести из строя фотодиод.. Световая характеристика изображает зависимость тока фотодиода от значения светового потока при постоянном напряжении на приборе: /Д = /(Ф) при t/n=const. Световая характеристика фотодиода линейна в широком диапазоне изменений светового потока ( 24, б). Спектральная характеристика показывает зависимость спектральной чувствительности от длины волны падающего на фотодиод света. Спектральные характеристики

Как правило, двойники зарождаются в монокристалле, граничащем с расплавом, переохлаждение которого превышает некоторое критическое значение. Термическое переохлаждение всегда больше у краев монокристалла. Поэтому при плоском фронте кристаллизации вероятность двойникования меньше, чем при искривленном. Концентрационное переохлаждение, о котором будет сказано ниже, возрастает с уменьшением градиента температуры в

тогда при любом напряжении ток через тиристор очень мал. Переход в эти состояния обеспечивается соответствующими токами управления. Если ток управления отсутствует или слишком мал, то тиристор заперт; если ток управления хотя бы кратковременно превысит некоторое критическое значение, то тиристор откррется.

Пробой диэлектриков и электрическая прочность. Если в ходе повышения приложенного к изоляции напряжения напряженность электрического поля в диэлектрике превышает некоторое критическое значение, то диэлектрик теряет свои электроизолирующие свойства. Сквозной ток, протекающий через диэлектрик, резко возрастает до 108 А'м2, а сопротивление диэлектрика уменьшается до такого значения, что происходит короткое замыкание электродов. Это явление называют пробоем диэлектрика. Значение напряжения в момент пробоя .называют пробивным напряжением, напряженность в момент пробоя — электрической прочностью.

и определяется внешней нагрузкой. Через сопротивление утечки />т, емкость центрального р-п перехода Саар и управляющий электрод (УЭ) в базу тиристора при подаче прямого напряжения поступает дополнительный заряд ('1 = °°). Если на интервале /4— 's (см. 6.27, в) заряд Фс=ФБ превысит некоторое критическое значение QKp (параметр модели), то тиристор не выключится.

Напряжение на базе 7'2 при р; зряде конденсатора С5 стремится к —!.: ( 5.82). Для отпирания трапзнстчра Т., необходимо, чтобы пшфкжгпч" им базе приняло некоторое критическое ггпиц.тгелыюе значение, близкое к напряжению отсечки входной характеристики транзистора c0g. С учетом сказанного длительность выходного импульса

В 1963 г. американским физиком Ганном в полупроводниках ар-сенида галлия GaAs и фосфиде индия InP с электронной электропроводностью было обнаружено явление генерации высокочастотных колебаний электрического тока в случае приложения к образцу постоянного напряжения, превышающего некоторое критическое значение. Оказалось, что частота колебаний зависит от длины образца и лежит в диапазоне нескольких гигагерц. Поскольку генерация высокочастотных колебаний в объеме не связана с наличием тонких и маломощных p-n-переходов, на приборах Ганна удалось построить генераторы СВЧ значительно большей мощности, чем на других полупроводниковых приборах.