Необратимых изменений

Магнитная нестабильность обусловливается изменением магнитной (доменной) структуры вещества, стремящейся к устойчивому термодинамическому равновесию как во времени (магнитное старение), так и при изменении внешних условий. Магнитная нестабильность может быть обратимой и необратимой. При возвращении внешних условий к исходным, когда магнитные свойства восстанавливаются;, имеют место обратимые изменения, при наличии гистерезиса — необратимые. Необратимые изменения, вызванные магнитной нестабильностью, можно устранить повторным намагничиванием материала. '

Такого рода стабилизация вызывает уменьшение магнитной индукции в зазоре от В А до Вр, г. е. магнит частично размагничивается. Исследования показали, что при частичном размагничивании уменьшаются необратимые изменения не только под влияние^ внешних

В.результате магнитной стабилизации (частичного размагничивания, термообработки и механических воздействий) необратимые изменения магнитной индукции уменьшаются до сотых долей процента.

С учетом сказанного необходимо разделять необратимые изменения линейных размеров (ИЛР) пленки и обратимые. Необратимые обусловлены процессами, протекающими в структуре пленки, и представляют собственно усадку материала. На 3.4 показана зависимость усадки пленок типа Kapton и ПМ от температуры и времени отжига. Предварительная термообработка пленок позволяет снизить в 10 раз

Наилучшей стабильностью обладают нихромовые резисторы, у которых температурный коэффициент сопротивления ТК R составляет 10~41/°С, при этом допуск на номинал составляет ±5%, необратимые изменения номинальных значений сопротивления менее 0,5% за 1000 ч работы.

Как указывалось ранее, на пути от преобразователя свет—сигнал до преобразователя сигнал—свет аналоговый сигнал изображения претерпевает различные преобразования, каждое из которых вносит свои необратимые изменения, быстро накапливающиеся и заметно ухудшающие качество изображения. Эффективное средство устранения (или существенного уменьшения) этих явлений — использование цифровых методов передачи изображения. Сигнал, передаваемый в цифровой форме, в гораздо меньшей степени чувствителен к линейным и нелинейным искажениям в канале связи, обладает значительно более высокой помехозащищенностью, удобен для передачи по универсальным высокоскоростным цифровым каналам связи. При этом более качественно осуществляется обработка и коррекция сигнала

2.30. Обратные ветви ВАХ при туннельном (а), лавинном (б) и тепловом (в) пробоях (t/T.m ил.п, t/Tn.n — напряжения туннельного, лавинного и теплового пробоев соответственно; UKf — критическое напряжение пробоя, при котором наступают необратимые изменения структуры перехода)

В справочных данных приводятся предельные входное и синфазное входное напряжения — максимальные напряжения между входами в первом случае и между каждым входом и землей — во втором, при которых в усилителе не происходят необратимые изменения. Кроме того, дается диапазон синфазных входных напряжений, в котором параметры ОУ лежат в гарантированных пределах.

Тип фильтра и основное направление проектирования выбирают, руководствуясь следующими рекомендациями [11]. Габаритные размеры магнитострикционных резонаторов, работающих на крутильных колебаниях, меньше, чем резонаторов, работающих на продольных и радиальных колебаниях. Резонаторы на радиальных и крутильных колебаниях, имеющие остаточное намагничивание, можно располагать рядом друг с другом, в то время как резонаторы на продольных колебаниях нельзя, так как они имеют большие внешние переменные и постоянные поля. Такие резонаторы более чувствительны к изменению уровней входных напряжений, чем остальные. Эти уровни следует ограничивать, иначе будут происходить необратимые изменения параметров резонаторов. Резонаторы с постоянными магнитами более устойчивы к механическим воздействиям, чем резонаторы, работающие с остаточным намагничиванием. Резонаторы на продольных и крутильных колебаниях технологичнее резонаторов на радиальных колебаниях, так как подстройка частоты у последних требует изменения диаметра кольцевого магнитопровода.

При длительной работе радиоизделий в условиях повышенной температуры могут появиться необратимые изменения параметров изоляционных материалов. При наличии в конструкции материалов с различными коэффициентами линейного расширения происходит изменение зазоров и натягов, что также может вызвать изменение параметров радиоаппаратуры.

Для ряда резисторов, кроме того, характерны и необратимые изменения К при длительном воздействии приложенного напряжения, изменении температуры, влажности и времени. Эти изменения оцениваются соответствующими коэффициентами.

тельно, о непрерывно изменяющейся величине, преобразованной в число импульсов. Очевидно, что при этом должно быть обеспечено выполнение ряда условий, например отсутствие зародышеобразования во всех местах ТМП, кроме ее концов, исключение самопроизвольного сползания доменных границ и др. Считывание положения границ доменов можно произвести посредством магнитооптического или индукционного метода. Магнитооптический метод обладает рядом пре.-имуществ, однако его аппаратурное обеспечение пока еще слишком сложно, значительно проще реализуется индукционный метод. Можно показать [61, что если в направлении оси трудного намагничивания действует слабое, не вызывающее необратимых изменений поле Нт = Hm cos со/, то напряжение на обмотке, которую пронизывает остаточный поток в пленке Фост, «вых = /гФОСт sin 2tat, где k — постоянный коэффициент.

Уменьшить магнитную нестабильность можно путем устранения необратимых изменений, включая магнитное старение (магнитная стабилизация); затем оценить оставшиеся обратимые изменения.

Допустимым значением в ряде установок считается Д
— максимально допустимая температура — это температура, при которой еще не происходит необратимых изменений параметров и характеристик термистора; она определяется не только свойствами исходных материалов термистора, но и его конструктивными особенностями;

При испытании электроизоляционных материалов на атмосферостой-кость образцы подвергают в заданных условиях (температура, влажность, состав газа, давление) воздействию определенных доз солнечной радиации, а при ускоренных испытаниях — воздействию ультрафиолетовой радиации. После этого фиксируют изменение электрических и механических характеристик материалов. Помимо обнаружения необратимых изменений свойств материалов (эти изменения остаются после прекращения воздействия излучения), в ряде случаев представляет интерес определение электрических свойств материала непосредственно во время облучения, что значительно более сложно и требует специально приспособленной аппаратуры. Кроме того, надо иметь в виду, что большое влияние на изменения в материале может оказывать среда, в которой находятся образцы во время облучения (воздух, нейтральный газ, вакуум и т. п.).

Методика определения радиационных характеристик существенно различается для обратимых и необратимых изменений свойств испытуемых материалов. Такие электрические характеристики материала, как р, е, tg 6, ?пр, часто возвращаются к своим прежним значениям спустя некоторое время после снятия потока радиации. Поэтому их измеряют в условиях облучения. Ниже рассматриваются методы наблюдения изменений электрических величин материалов, подвергаемых облучению.

Максимальное выходное напряжение t/вых.макс определяется предельным значением выходного напряжения ОУ при оговоренном сопротивлении нагрузки и напряжении входного сигнала, не вызывающем в ОУ необратимых изменений. Его значение на 1...5 В ниже напряжения питания.

Максимально допустимая температура термистора — это температура, при которой еще не происходит необратимых изменений параметров и характеристик термистора. Максимально допустимая температура определяется не только свойствами исходных материалов термистора, но и его конструктивными особенностями.

Рабочий режим фоторезистора, при котором не наблюдается необратимых изменений его параметров в течение всего срока службы, регламентируется рабочим напряжением (от 2 до 100 В

процессу включения током управления и по той же причине) и сопровождается эффектом локализации энергии со всеми вытекающими последствиями: локальным перегревом структуры, стягиванием тока в «шнур» и т. п. (см. § 7.5). Анодный ток, очевидно, необходимо ограничивать на таком уровне, чтобы не происходило необратимых изменений в структуре, ухудшающих параметры тиристора. Для запираемых тиристоров решающим фактором, or-

Способность полупроводникового прибора кратковременно или длительно выдерживать воздействие повышенной температуры, а также резкие изменения температуры характеризуют его теплостойкость. Нарушение теплостойкости определяют, как правило, по началу существенных необратимых изменений параметров — критериев годности приборов: температура структуры полупроводникового прибора при этом достигает своего максимально допустимого или предельного значения Т) max.