Необходимо уменьшать

В библиотеке АСП помимо описания компонента должны быть занесены и его возможные номиналы. При работе с библиотекой необходимо указывать название элемента и признак шины питания.

Расчет рекомендуется заканчивать составлением таблиц произвольной формы, в которых приводятся исчерпывающие данные для резисторов и конденсаторов схемы. Для резисторов такими данными являются: расчетное сопротивление и расчетная мощность рассеяния, тип резистора, номинальное сопротивление, допускаемое отклонение' от номинального значения {в процентах), номинальная мощность рассеяния. Для конденсаторов необходимо указывать: расчетную емкость, макси-

При установлении соотношения между погрешностями образцовых средств измерений и поверяемых необходимо указывать, какая вероятность брака поверки при этом будет обеспечиваться. Обычно эти соотношения указываются в технических условиях на средства измерений конкретного типа. Перечень технической документации по результатам испытаний должен соответствовать стандартам ГОСТ 8.001—80. Требования к образцовым средствам измерений, используемым при испытаниях, изложены в ГОСТ 22261-—82, а к методике испытаний — в стандартах на конкретные типы средств измерений.

Такие параметры, как С, L, R, т, в первом приближении можно считать независимыми от частоты, а остальные являются функциями частоты и поэтому при их количественной оценке необходимо указывать частоту, на которой проводится измерение. Очевидно также, что последние целесообразно измерять на той частоте, на которой объект используется в реальных условиях.

Такие параметры, как С, L, R, т, в первом приближении можно считать независимыми от частоты, а остальные являются функциями частоты и поэтому при их количественной оценке необходимо указывать частоту, на которой проводится измерение. Очевидно также, что последние целесообразно измерять на той частоте, на которой объект используется в реальных условиях.

ВАХ для действующих значений зависят от формы напряжения на нелинейном элементе и (или) от формы протекающего через него тока, поэтому необходимо указывать, при каких условиях они получены.

У терморезистора вследствие тепловой инерции зависимость между током и напряжением в данный момент времени в значительной мере определяется тепловой предысторией. Поэтому необходимо указывать,'о какой вольт-амперной характеристике идет речь: о зависимости между постоянными током и напряжением на элементе, или между мгновенными значениями изменяющихся тока и напряжения, или между действующими значениями переменного тока и напряжения. Иными словами, надо различать статические и динамические характеристики нелинейных элементов. Этот вопрос в дальнейшем будет рассмотрен более подробно. Приведенные на 19-1—19-3 характеристики I(U) получены при постоянных токе и напряжении и, следовательно, установившемся тепловом режиме— статические характеристики.

* Поскольку электрическая прочность диэлектриков зависит от толщины материала, необходимо указывать, какой толщине материала она соответствует.

В. а. х. для действующих значений зависят от формы напряжения на нелинейном сопротивлении и (или) от формы протекающего через него тока, 'поэтому необходимо указывать, при каких условиях они получены.

Ориентация поля в пластинах по отношению к направлению проката в значительной степени влияет на магнитные свойства магнитопровода. Наихудшие магнитные свойства наблюдаются в случаях, когда магнитное поле направлено под углом 55° по отношению к направлению проката. Примерно также ухудшаются свойства стали при угле 90° (направление поля поперек проката). В этом случае особенно сильно падает магнитная проницаемость. По данным [4], удельные потери в магнитопроводе возрастают на 40—60%, напряженность намагничивающего поля при индукции 1,5—1,7 Т — в 6— 15 раз. В'чертежах на пластины из текстурованной стали необходимо указывать предпочтительную ориентацию проката по отношению к направлению магнитного поля, которое будет иметь место в собранном магнитопроводе. В последнее время разработана сталь кубической структуры, имеющая малое различие свойств вдоль и поперек проката [21]. Следует иметь в виду, что сплавы 50Н, ЗЗНКМС, 79НМ, 80НХС и других подобных типов стали текстуры не имеют.

В чертежах необходимо указывать требуемую толщину изоляционного слоя на пластинах.

необходимо уменьшать момент сопротивления. При этом ток якоря и, следовательно, нагрев двигателя не изменяется.

Для окружной скорости v0 и давления ра, выбранных из условия прочности ротора и статора на разрыв соответственно, значение г\к обратно пропорционально отношению /)/§: для увеличения т\к необходимо уменьшать D/5. Увеличение немагнитного зазора 8 при выбранном диаметре расточки D приводит к росту МДС возбуждения F и, как следствие, к увеличению энергии возбуждения W0 и потерь энергии в обмотках. Энергия возбуждения 1У0 может достигать 20% энергии нагрузки WH.

Кардинальное решение такой задачи состоит в миниатюризации вторичных источников электропитания. По мнению специалистов, необходимо уменьшать массу и габариты всех элементов, входящих в источники электропитания. Это можно сделать, если:

При подаче на диод импульса тока ( 2.29, д) напряжение на переходе будет изменяться, как показано на 2.29, е. В начальный момент (t = 0) падение напряжения на переходе будет наибольшим. Напряжение на переходе спадает во времени, достигая при / = туст стационарного значения. Величина туст называется временем установления прямого сопротивления. Снижение падения напряжения на переходе ( 2.29, е) связано с тем, что по мере прохождения прямого тока повышается концентрация носителей заряда в переходе и в результате снижается падение напряжения на нем. После отключения импульса тока напряжение на переходе будет спадать во времени ( 2.29/, е). Длительность спада среза импульса напряжения определяется длительностью процессов рассасывания неравновесных носителей заряда. Нетрудно видеть, что переходные процессы в диодах определяют их быстродействие, являющееся важнейшим параметром приборов, используемых в импульсных и цифровых схемах. Для повышения быстродействия диодов необходимо уменьшить параметры твос и туст, которые определяются процессами накопления и рассасывания инжектированных носителей заряда. Поэтому для увеличения быстродействия в первую очередь необходимо уменьшать время жизни неосновных носителей заряда и диффузионную емкость /?-/г-перехода. Значение твос можно снизить, уменьшая толщину базы диода.

При определении площади платы, габаритов и соотношения размеров сторон системность подхода заключается в необходимости учета следующих факторов: площади размещаемых на плате элементов и площади вспомогательных зон; допустимых габаритов с точки зрения технологических возможностей и условий эксплуатации, числа контактов внешних связей, допустимой задержки распространения сигнала в линии связи, коробления плат. При определении площади платы суммарная площадь устанавливаемых на нее элементов умножается на коэффициент дезинтеграции, равный 1,5...3, и к этой площади прибавляется площадь вспомогательных зон, предназначенных для размещения соединителей, направляющих, элементов фиксации, крепления, индикации, фильтрации и т. д. Дезинтеграция осуществляется с целью обеспечения зазоров для размещения линий связи, теплоот-вода, доступности к элементам роботов и манипуляторов. Чрезмерное уменьшение зазоров между элементами на плате может привести к увеличению напряженности теплового режима и, как следствие, к увеличению объема системы охлаждения. Максимальные габариты плат (особенно МПП) ограничиваются их жесткостью (при малой жесткости может произойти обрыв печатных проводников уже в производстве), а также требованиями по точности (для плат первого класса плотности 470 х 470 мм, для плат второго класса 240 х 240 мм, для плат третьего класса 170x170 мм). Совершенствование технологии может привести к изменению приведенных значений. Габаритные размеры плат могут определяться и требованиями по жесткости в условиях эксплуатации. Необходимо уменьшать длину и ширину и увеличивать толщину плат высокой жесткости по сравнению с габаритами, допускаемыми при их производстве. При определении

С целью повышения процента выхода годных и соответственно снижения их стоимости необходимо уменьшать площадь каждого кристалла. Для этого используют метод полного проектирования.

Таким образом, для повышения точности и разрешающей способности РЛС по дальности и угловым координатам необходимо уменьшать длительность зондирующих импульсов и ширину диаграмм направленности. С другой стороны, для увеличения разрешающей способности по скорости, необходимо увеличивать длительность зондирующих импульсов.

Для повышения точности самонаведения необходимо уменьшать приборные и динамические ошибки системы. Кроме того, необходимо применять дополнительные меры по увеличению маневренности снаряда, уменьшению «мертвой» зоны управления и выбору кинематического метода наведения с минимальной кривизной траектории.

Таким образом, коэффициент усиления /г<~Л~'/:!, т.е. для получения значительного усиления по напряжению необходимо уменьшать ток стока.

В КМДП-ИМС логические уровни являются фиксированными и экстремальными, причем напряжение питания ?ип соответствует уровню логической единицы, а напряжение, близкое к нулю, — уровню логического нуля. Так как оба эти уровня не зависят от параметров транзисторных структур (порогового напряжения и крутизны), то отпадает необходимость в топологическом расчете на основе статических требований. Возникающую в связи с этим свободу выбора можно целиком использовать для проектирования КМДП-ИМС, обладающих топологией, которая позволяет получить оптимальные динамические характеристики, т. е. высокое быстродействие при минимальном потреблении мощности. В этом заключается принципиальное отличие топологического проектирования КМДП-ИМС от проектирования МДП-ИМС на транзисторах с каналами одного типа электропроводности. Для минимизации потребляемой мощности необходимо уменьшать как отношение ширины канала к его длине, так и абсолютное значение длины канала. При расчете геометрических размеров транзистора длину его канала выбирают равной минимально допустимому значению. Современная фотолитография позволяет получать минимальную длину канала 2—6 мкм. Ширину канала определяют исходя из требований, предъявляемых к крутизне. При разработке топологии КМДП-ИМС необходимо учитывать особенности их структуры, которая включает в себя две области с различными типами электропроводности. В одной из этих областей создается ключевая подсхема, в другой — нагрузочная. Поскольку МДП-транзисторы с каналами обоих типов электропроводности схемотехнически взаимосвязаны, их следует размещать так, чтобы длина внутрисхемных соединений между ними была минимальной. Поэтому обычно МДП-транзисторы размещают вдоль границы р-п-перехода между исходным мо- Рис 3 5 Структура элемента КМДП-

Так, для гибридных ИМС с кристаллами ИМС ТТЛ-типа при п = 3 в проводнике длиной 5 см и шириной 0,01 мм ?/,,«0,45-^--М,125В. Для уменьшения уровня помех, обусловленных падением напряжений на проводниках питания и заземления, необходимо уменьшать сопротивление и индуктивность пленочных проводников за счет увеличения их толщины и ширины и уменьшения длины, что достигается в процессе проектирования. При этом шины питания и заземления проектируют в одном слое без пересечения проводников.