Необходимо создавать

Электроны, находящиеся в зоне проводимости (свободные электроны), перемещаются внутри твердого тела, не вылетая за пределы кристалла. Электрон может покинуть твердое тело только в том случае, когда он получит дополнительную энергию (например, при повышенной температуре). Работа, которую при этом необходимо совершить, называется работой выхода; величина ее зави-16

В вакуум-при определенных условиях могут перейти не только электроны, находящиеся, в зоне проводимости и в запрещенной зоне, но и электроны из валентной зоны, лежащие в глубине твердого тела. Работа, которую необходимо совершить для такого перехода, превышает величины внешней и термодинамической работ выхода и называется истинной работой выхода.

Работа, которую необходимо совершить для перемещения электрона из бесконечности в точку х,

Электрон удерживается в твердом теле за счет электростатических сил. Для преодоления этих сил и выхода за пределы твердого тела электрону необходимо совершить некоторую работу.

другу, необходимо совершить р аботу против действия сил отталки 1ания. Энергия взаимодействия дьух зарядов равна этой работе. Если один из зарядов останется неподвижном, а другой будет иметь возможность перемещаться, то силы поля совершат работу за счет убыли энергии взаимодействия. Если один из зг рядов удалится в бесконечность, го совершенная при этом работа будет равна всей энергии взаимодействия.

Для того чтобы два одноименных точечных заряженных тела с зарядами Qx и Qa приблизились друг к другу, необходимо совершить, работу против действия сил отталкивания. Энергия взаимодействия двух зарядов равна этой работе. Если один из зарядов останется неподвижным, а другой будет иметь возможность перемещаться, то силы поля совершат работу за счет убыли энергии взаимодействия. Если один из зарядов удалится в бесконечность, то совершенная при этбм работа будет равна всей энергии взаимодействия.

После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие, при котором результирующий ток через р-п переход становится равным нулю. Это означает,что в условиях теплового равновесия вероятность прохождения носителей заряда через р-п переход в обоих направлениях становится одинаковой. Следовательно, энергетические диаграммы п- и р-областей полупроводника в процессе установления теплового равновесия должны сместиться относительно друг друга так, чтобы уровень Ферми был постоянным по всему переходу, т. е. уровень Ферми р-области WFp и n-области WFn должны' расположиться в одну линию. При этом энергетическая диаграмма р-п перехода имеет вид, показанный на 3.4, в. Разность минимальных энергий электрона в зонах проводимости р- и л-областей равна ефк, т. е. определяется контактной разностью потенциалов. Концентрация электронов в зоне проводимости л-области оказывается выше, так как минимальная энергия, которой должны обладать электроны в этой зоне, ниже, чем в зоне проводимости р-области. Чтобы перейти в зону проводимости полупроводника р-типа, электрону полупроводника я-типа необходимо совершить работу есрк. Такую же работу должны выполнить дырки для перехода из валентной зоны полупроводника р-типа в валентную зону полупроводника п-типа.

Определим число операций, которое необходимо совершить за время Т при обработке сигнала по заданному алгоритму

Это и есть условие смачивания адгезивом поверхности субстрата. Для того чтобы оторвать слой жидкости от смоченной поверхности, необходимо совершить работу

Движение микрочастицы в потенциальной яме. Рассмотрим движение микрочастицы, например электрона, в потенциальной яме, схематически показанной на 3.4, а. Для электрона такой ямой является, например, кусок металла: вне металла потенциальная энергия свободного электрона U = 0, внутри металла U0 = — qVu, где FO — положительный потенциал поля, созданного узлами решет-.ки. Электрон не может свободно покинуть металл. Для выхода из него электрону необходимо совершить работу, численно равную U0.

Проводник /, теряя электроны, заряжается положительно, проводник 2, приобретая избыточные электроны, заряжается отрицательно. Возникновение этих зарядов вызывает смещение друг относительно друга энергетических уровней проводников / и 2. В проводнике /, заряженном положительно, все уровни опускаются вниз, а в проводнике 2, заряженном отрицательно, все уровни поднимаются вверх относительно своих положений в незаряженном состоянии этих проводников ( 8.9, б). Это легко понять из следующих простых рассуждений. Для перевода электрона, например, с нулевого уровня Oj металла / на нулевой уровень 02 металла 2, находящегося под отрицательным потенциалом —V, относительно металла / необходимо совершить работу, численно равную qV. Эта работа переходит в потенциальную энергию электрона. Поэтому

Вокруг всякого провода с током / существует магнитное поле. В электротехнических устройствах синусоидального тока, например в трансформаторах, электрических двигателях, катушках измерительных приборов и т. д., необходимо создавать сильные магнитные поля.

При расчете схемы определяют номинальные значения параметров ЭРЭ, которые распределены случайным образом около номинальных значений в пределах производственных допусков. Меняющиеся условия эксплуатации и старение ЭРЭ также изменяют значения параметров ЭРЭ. Для того чтобы разрабатываемая ЭС сохраняла свою работоспособность при действии всех этих нестабильных факторов, необходимо создавать некоторый запас ее работоспособности. С этой целью к выходным параметрам ЭС при ее разработке и, в частности, при ее расчете предъявляют более высокие требования, чем те, которые указаны в ТЗ. Требования ТЗ принимают за граничные значения этих параметров.

Поставленные XXVI съездом КПСС задачи ускорения научно-технического прогресса требуют всемерной автоматизации производственных процессов; Для этого необходимо создавать электрические машины, удовлетворяющие по своим показателям и характеристикам весьма разнообразным требованиям различных отраслей народного хозяйства.

Вокруг всякого провода с током / существует магнитное поле. В электротехнических устройствах синусоидального тока, например в трансформаторах, электрических двигателях, катушках измерительных приборов и т. д., необходимо создавать сильные магнитные поля.

Вокруг всякого проводи с током / существует магнитное поле. В электротехнических устройствах синусоидального тока, например в трансформаторах, электрических двигателях, катушках измерительных приборов и т. д., необходимо создавать сильные магнитные поля.

Развитие техники проектирования и технологии производства полупроводниковых интегральных микросхем позволило формировать в одном кристалле сложные устройства, содержащие сотни, тысячи, десятки тысяч элементов, выполняющие функции обработки и управления сигналом. Но рост сложности неизбежно приводит к уменьшению или потере универсальности. Так, самая простая деталь в строительстве — кирпич — максимально универсален и может быть использован для строительства любого здания и сооружения, но более сложная деталь — прямоугольная панель — менее универсальна и может быть использована для сооружения зданий только определенной категории с определенными размерами и формой помещений. Для перехода к зданиям с более сложной архитектурной формой, чем прямоугольная, необходимо создавать и панели более сложной формы, которые будут еще менее универсальны. Уменьшение универсальности приводит к необходимости увеличения номенклатуры изделий.

Для работы МГД-генератора необходимо создавать сильное магнитное поле, которое можно получить пропусканием огромных токов по обмоткам. Во избежание сильного нагревания обмоток и потерь энергии в них сопротивление проводников должно быть по возможности наименьшим. Поэтому в качестве таких проводников

Проблема повышения качества изделий процесса фотолитографии может быть решена при комплексном подходе. Для этого на производстве необходимо создавать единую систему очистки и фильтрации (ЕСОФ), обеспечивающую не только тщательную фильтрацию фоторезиста и отмывку пластин и фотошаблонов, но и тонкую фильтрацию воздуха, всех газов, воды, реактивов. Только применение такой системы в условиях максимальной автоматизации процесса и организации автоматизированных систем контроля обеспечивает высокий выход годных изделий.

Хотя формирование линейного нарастания ЭДС преобразователя и обеспечивает высокую стабильность максимального углового ускорения электроприводов при неизменной динамической составляющей момента, и все же в разомкнутой системе угловое ускорение зависит от нагрузки, поэтому ограничивается эффективность формирования переходных процессов в разомкнутой системе, и в случае, если предъявляются более жесткие к ним требования, необходимо создавать замкнутую систему.

Логические схемы КМДП ИЛИ—НЕ и И—НЕ показаны на 4.21, б, в. Схемы на комплементарных транзисторах обладают высокой помехоустойчивостью и малой потребляемой мощностью. Однако при изготовлении структур КМДП необходимо создавать дополнительную изолирующую область под одним из транзисторов, в связи с чем плотность размещения элементов на кристалле ниже, чем в однородных МДП-схемах.

При градуировке и поверке приборов и средств, предназначенных для измерения магнитных величин, необходимо создавать магнитные поля с определенными параметрами в заданных объемах. Такие магнитные поля создаются с помощью соответствующих мер магнитных величин. При этом в основном используются меры магнитного потока, магнитной индукции, магнитного момента и градиента магнитного поля.