Нормально пропитанной

Ключевая схема на транзисторе Т2 инвертирует сигнал задающего генератора ( 6.66). Инвертированный сигнал своим положительным фронтом переключает триггер Тг1. На выходе триггер а появляется отрицательный потенциал ( б.бз), открывающий ключи на транзисторах Т6 и 77 ( 6.6л, м), которые шунтируют вход усилителя мощности, собранного по двухтактной схеме на транзисторах Т10, Т11. Одновременно сигнал с выхода инвертора через дифференцирующую цепочку С2, R7 поступает на базу нормально открытого транзистора ТЗ и закрывает его на время, определяемое параметрами дифференцирующей цепочки. Если в это время на коллекторе транзистора Т1 присутствует отрицательный потенциал ( б.бг), т. е. в канале, подключенном ко входу /, сигнала нет, то на коллекторе транзистора ТЗ появится импульс ( 6.6(3). Этот импульс инвертируется и расширяется ключевой схемой на транзисторе Т4 ( б.бе) и своим положительным фронтом переводит триггер Тг2 в одно из двух устойчивых состояний ( 6.6м, /с). Длительность расширенного импульса определяется параметрами дифференцирующей цепочки R7, С2.

нормально открытого транзистора..... —2,5...—0,5

Степень влияния паразитной связи зависит от типа транзистора. Для нормально закрытого транзистора толщина d0 слоя 3 n-типа (см. 5.1) или (и) концентрация доноров в этом слое ниже, чем для нормально открытого. Поэтому стоковые характеристики нормально закрытого транзистора при прочих одинаковых условиях изменяются сильнее.

Описанный выше гетеропереход используют в структурах полевых транзисторов с управляющим переходом металл — полупроводник. Примеры конструкций нормально открытого и нормально закрытого ГМЕП-транзисторов показаны на 5.11. При изготовлении нормально открытых транзисторов на легированную хромом полуизолирующую подложку из арсенида галлия ( 5.11, а) методом молеку-лярно-лучевой эпитаксии последовательно наносят: нелегированный слой арсенида галлия р~-типа проводимости, нелегированный разделительный слой арсенида галлия-алюминия, легированный кремнием (Мд = 7-1017 см~3) слой арсенида галлия-алюминия. Для формирования затвора 3 используют слой алюминия, для контактов к ис-токовой И и стоковой С областям — сплав AuGe/Ni. В нормально закрытом транзисторе с индуцированным каналом ( 5.11, б) верхний слой арсенида галлия-алюминия частично стравливают до толщины 50 нм. Таким способом на одной подложке изготовляют нормально открытые и нормально закрытые транзисторы.

Канал нормально открытого транзистора формируется при t/зи < < 0 в слое нелегированного арсенида галлия на границе с гетеропере ходом в области накопления (ОЯ) двумерного электронного газа, ограниченной штриховой линией на 5.11, а. Под действием управляю-

На 5.12 приведены стоко-затворные характеристики нормально открытого / и нормально закрытого 2 транзисторов при длине затвора L3 = 0,8 мкм и расстоянии сток — исток 4 мкм; толщины слоев соответствуют указанным на 5.11. Благодаря высокой подвижности электронов и малой длине затвора практически во всем диапазоне изменения напряжения затвора (за исключением малой области вблизи порогового напряжения) достигается насыщение дрейфовой скорости электронов в канале и наблюдается линейная зависимость

23. Почему параметры нормально открытого МЕП-транзистора по сравнению с нормально закрытым менее чувствительны к эффекту паразитной связи?

Сильфонные быстродействующие клапаны из коррозионно-стойкой стали на рп = 20 МПа с патрубками под приварку, обозначение С 96451, С 96454 (рис 3.68 и 3.69, табл. 3.36 и 3.37). Предназначены для воды, пароводяной смеси, воздуха и азота рабочей температурой до 325° С. Температура окружающей среды до 60° С. Допускается установка клапанов в герметичной зоне АЗС. Клапаны устанавливают на трубопроводе в любом положении. Клапаны С 96451 — нормально закрытого действия (отсечные), т. е. при отсутствии давления воздуха в пневмоприводе клапан закрыт; клапаны С 9654 — нормально открытого действия. Рабочая среда в клапанах ?у = 10, 15, 25, 32 и 50 мм подается под или на золотник, в клапанах Dy = 65, 100 и 150 мм — на золотник. Открывать или закрывать клапаны допускается при следующих перепадах давления на золотнике:

Таблица 3.37. Габаритные и присоединительные размеры, мм, и масса сильфонных клапанов С 96454 с пневмоприводом нормально открытого действия, кг

В классическом варианте СИТ является прибором нормально-открытого типа. Для его запирания на затвор необходимо подать отрицательное смещение, а в открытом состоянии возможны полевой и биполярный режим работы. В то же время разрабатываются структуры СИТ нормально-закрытого типа, в которых отсечка канала осуществляется даже при нулевом смещении на затворе за счет области пространственного заряда, образованной контактной разностью потенциалов на р-л-переходах затвора. Очевидно, что в открытом состоянии данного транзистора присутствует только биполярный механизм переноса тока. Такие структуры называют биполярными СИТ или БСИТ (BSIT).

где Vqtc — напряжение отсечки на проходной ВАХ нормально открытого транзистора ( 6.18).

Во избежание стекания пропиточной массы кабели с нормально пропитанной бумажной изоляцией допускается прокладывать на вертикальной или круто наклонной трассе без применения специальных устройств (стопорных муфт) с определенной разностью уровней между высшей и низшей точками расположения кабелей. Эта разность не должна превышать для кабелей со свинцовой оболочкой небронированных 20 м, со свинцовой или алюминиевой оболочками бронированных или с алюминиевой оболочкой небронированных — 25 м.

Контрольный, с медными жилами, с нормально пропитанной бумажной изоляцией жил, в свинцовой оболочке, бронирован стальными лентами с защитным джутовым покровом

жилы, мм2 4 трехжиль ные - четырехжильные 3 нормально-пропитанной обедненно-пропитанной

1 Максимально допустимая температура жил кабелей +65 °С. Для кабелей 1 и 3 кВ с обеднен-но-пропитанной изоляцией, а также для кабелей 1 кВ с битуминнрованной изоляцией допустимы такие же нагрузки, как для кабелей с нормально-пропитанной изоляцией.

Кабели с нормально-пропитанной бумажной изоляцией: бронированные 1 и 3 кВ неброниров энные 1 и 3 кВ бронированные и небронированные 6 кВ то же 10 кВ то же 35 кВ 25 20 15 15 5 25 25 20

На кабельных линиях выше 1 кВ, выполняемых гибкими кабелями с резиновой изоляцией в резиновом шланге, соединения кабелей должны производиться горячим вулканизированием с покрытием противосыростным лаком. На кабельных линиях, выполняемых кабелями с нормально пропитанной бумажной изоляцией и кабелями, пропитанными нестекающей массой, соединения кабелей должны производиться при помощи стопорно-переходных муфт, если уровень прокладки кабелей с нормально пропитанной изоляцией выше уровня прокладки кабелей, пропитанных нестекающей массой [3].

Для оконцевания кабелей с бумажной изоляцией применяются также свинцовые перчатки типа КВС и стальные воронки с битумным составом типа КВБ (см. табл. 12.10). При монтаже муфт и заделок на кабелях с нестекающей пропиткой применяют те же муфты и заделки, что и для кабелей с нормально пропитанной изоляцией. При монтаже свинцовых соединительных муфт, а также концевых заделок в стальных воронках применяют заливочную массу МБ-75. В районах с температурой окружающего воздуха —35 °С и ниже монтаж концевых муфт наружной установки и мачтовых муфт до 10 кВ ведут с применением заливочной массы МБМ и выполнением эпоксидного барьера. Барьер представляет собой подмотку из стеклоленты, промазанной эпоксидным компаундом. При соединении кабелей с пропиткой нестекающей массой с нормально пропитанными кабелями в эпоксидных и стопорных муфтах принимают меры от проникновения заливочных масс в кабели с нестекающей пропиткой.

Монтаж стопорных и стопорно-переходных муфт. Для предупреждения перемещения пропиточной массы по кабелю с нормально пропитанной изоляцией, а также при соединении кабеля с обедненно-пропитанной изоляцией и отдельными оболочками на каждой жиле и кабеля с нормально пропитанной изоляцией в общей оболочке при про-

Для кабелей с нормально пропитанной бумажной изоляцией при прокладке их на уклонах или по вертикали не следует превышать максимально допустимые разности уровней установки их концевых заделок, которая для кабелей 10 кВ составляет 15 м. При превышении нормированных разностей уровней предусматривается установка промежуточных стопорных муфт и другие специальные мероприятия в зависимости.от конструкции кабелей и условий их прокладки. Разность уровней прокладки кабелей с обедненной пропиткой допускается до 100 м, кабелей с отдельными оболочками для каждой чжилы до 300 м. Разность уровней прокладки кабелей с нестекающей

СБВ, АСБВ, СБГВ, АСБГВ, ОСБВ, АОСБВ, ОСБГВ, АОСБГВ, СПВ, АСПВ, СПГВ, АСПГВ, СКВ, АСКВ, ОСКВ, АОСКВ Прокладка на вертикальных участках или участках с разностью уровней более указанных в примечании для кабелей с нормально пропитанной изоляцией, в тех же условиях, что и для кабелей СБ, АСБ, СБГ, АСБГ, ОСБ, АОСБ, ОСБГ, АОСБГ, СП, АСП, СПГ, АСПГ, СК, АСК, ОСК, АОСК

Примечания: 1. Кабели с бумажной нормально пропитанной изоляцией предназначаются для прокладки на участках с разностью уровней (разность между высшей и низшей точками расположения кабеля по трассе) не более: