Нормально насыщенного

уплотнение с малыми протечками способно нормально функционировать без подачи запирающей воды (на контурной воде), так как небольшое количество протечек можно охладить внутренним холодильником до температуры ниже температуры кипения жидкости при атмосферном давлении (что невозможно в других уплотнениях);

Современная электронная аппаратура может нормально функционировать при нестабильности питающего напряжения 0,1—3%, а для отдельных функциональных узлов еще меньше.

Напряжение (ток) нагрузочного устройства может сильно изменяться не только при изменениях нагрузочного тока /н (см. § 9.5), но и за счет воздействия ряда дестабилизирующих факторов. Одним из них является изменение напряжения промышленных сетей переменного тока. В соответствии с ГОСТ 5237—69 это напряжение может отличаться от номинального значения в пределах от +5 до —15%. Другими дестабилизирующими факторами являются изменение температуры окружающей среды, колебание частоты тока и т. д. Применение стабилизаторов диктуется тем, что современная электронная аппаратура может нормально функционировать при нестабильности питающего напряжения 0,1—3%, а для отдельных функциональных узлов электронных устройств нестабильность должна быть еще меньше. Так, для УПТ и некоторых измерительных электронных приборов нестабильность питающего напряжения не должна превышать 10~4%.

11) климатические и механические воздействия, при которых соединитель должен нормально функционировать;

7) климатические и механические воздействия, при которых трансформатор должен нормально функционировать;

«Мертвой» зоной называют расстояние между снарядом и целью, при котором система управления перестает нормально функционировать, т.е. фактически выключается. «Мертвая» зона обусловлена в основном инерционностью системы управления, а также ухудшением условий работы пеленгационного устройства головки самонаведения при малых расстояниях между снарядом и целью.

Режим системы, т. е. ее состояние в данный момент времени, характеризуется параметрами, определяющими процесс ее функционирования. К таким параметрам режима относятся следующие величины: мощность, напряжение, ток, частота и т. д. Режимы подразделяются на установившиеся и переходные. Параметры установившихся режимов сохраняются на рассматриваемом интервале времени неизменными или изменяются относительно медленно. Переходные режимы соответствуют переходу системы от одного установившегося режима к другому; для них характерны медленные и малые или быстрые и значительные изменения параметров. Для того чтобы электроэнергетическая система могла нормально функционировать, а потребители электрической энергии могли работать согласно заложенным в их конструкции

Режим системы, т. е. ее состояние в данный момент времени, характеризуется параметрами, определяющими процесс ее функционирования. К таким параметрам режима относятся величины мощностей, напряжений, токов, частоты и т. д. Режимы подразделяются на установившиеся и переходные. Параметры установившихся режимов сохраняются на рассматриваемом интервале времени неизменными или изменяются относительно медленно. Переходные режимы соответствуют переходу системы от одного установившегося режима к другому; для них характерны относительно медленные и малые или быстрые и значительные изменения параметров. Для того чтобы электроэнергетическая система могла нормально функционировать, а потребители электрической энергии могли работать согласно заложенным в их конструкции характеристикам, необходимо соответствие параметров режима определенным величинам. При этом обеспечивается приемлемое качество электроэнергии, подводимой к потребителям, которое характеризуется значениями напряжения, частоты, симметрией (для трехфазного тока) и синусоидальностью (формой кривой переменного тока).

Большинство полупроводниковых приборов может нормально функционировать только в том температурном диапазоне, который соответствует области 2 ( 1.5), когда концентрация основных носителей практически не зависит от температуры и равна концентрации примесей. Поэтому границы области 2 определяют максимальную и минимальную рабочие температуры полупроводниковых приборов.

Пусть , есть случайное время работы до i-ro отказа, а Л ,• - время работы после i-ro отказа. Условие g (А.) < 1 означает и выполнение условий Хт < 1 и Mi] "^ Щ,- Это означает, что собственно временем ремонта по сравнению с временем безотказной работы можно пренебречь (предполагается, что дисперсия времени восстановления также мала). Система с вероятностью l-g(X) продолжает нормально функционировать после очередного отказа элемента, а с вероятностью g(K) после отказа элемента почти сразу же (т.е. в течение малого интервала п) наступает отказ дублированной системы. Таким образом, случайное время работы системы составляется из геометрически распределенного случайного числа v, экспоненциально распределенных случайных величин (интервалами ц в пределе можно пренебречь).

где в правой части стоят выражения, определенные в (5.130) и (5.131). Истинная вероятность указанного события будет, однако, больше по трем причинам: отказ какого-либо элемента при отсутствии запасных элементов на объекте может еще не означать отказа объекта, так как объект может продолжать нормально функционировать за счет наличия внутренней избыточности (различные резервные цепи, другие виды структурной и функциональной избыточности); нехватка запасных элементов на центральном складе для очередного пополнения индивидуального запаса не означает отказа системы, так как при этом объект может нормально проработать в течение периода 6 (или даже нескольких таких периодов) при неполном исходном числе запасных элементов; события А - нехватка элементов индивидуального запаса на одном из периодов 8 и В - нехватка элементов центрального склада для пополнения индивидуального запаса на одном из периодов т положительно коррелированы, и- поэтому Р (АВ)> >Р(А)Р(В).

Цепи запуска симметричного триггера. Переключение триггера можно вызвать путем подачи запускающего сигнала практически на любой электрод транзистора, не соединенный с корпусом — коллектор нормально запертого транзистора, коллектор нормально насыщенного транзистора, базу нормально запертого транзистора, базу нормально насыщенного транзистора. При этом полярность поданного сигнала должна соответствовать полярности ожидаемого скачка напряжения на данном электроде транзистора. Например, напряжение на базе нормально запертого транзистора положительной равно +?/б. После переключения на этом электроде должен установиться малый уровень отрицательного напряжения — (/Сн, соответствующий напряжению на базе транзистора после его насыщения. Ожидаемая полярность скачка напряжения на базе — отрицательная (от + U6 до — ?/бн). Для переключения триггера путем подачи импульса на базу нормально запертого транзистора полярность импульса должна быть отрицательной. Из всех указанных точек возможного приложения запускающих импульсов самой нежелательной является коллектор нормально насыщенного транзистора. Сопротивление участка коллектор — эмиттер нормаль-

По указанным причинам данный вид запуска на практике не используется. Все остальные виды запуска — на базу нормально запертого транзистора с помощью отрицательного запускающего импульса, на базу нормально насыщенного транзистора с помощью положительного запускающего импульса, на коллектор нормально запертого транзистора с помощью положительного запускающего импульса — находят практическое применение.

Диодно-емкостные цепи запуска транзисторных триггеров используются наиболее часто. На 6.23 (соединения си d) показаны цепи раздельного запуска на базу — положительным импульсом по базе нормально насыщенного транзистора (соединение d) и отрицательным импульсом на базу нор-мально запертого транзис-

тора (соединение с). В обоих случаях в цепи запуска используется напряжение дополнительного источника, обеспечивающего запертое состояние диода запускающей цепи — источника Елаа в первой из рассматриваемых цепей, источника Есм во второй. Соединения в точках а и Ь считаем пока разомкнутыми — соответствующая им цепь будет рассмотрена далее. Для цепи, соответствующей соединению d, напряжение на базе нормально насыщенного транзистора Tt равно —?/бн. Для запирания диода Д необходимо подать на его анод напряжение —Еавп, несколько большее по абсолютному значению с/бн, т. е. имеющее порядок —0,5 -f--.-----1 В. Диод Д в этом случае заперт напряжением ?зап—U6ll. Увеличение значений ?зап вызывает рост пороговой амплитуды запускающих импульсов, необходимой для обеспечения запуска. После переключения триггера напряжение на базе Т\ примет значение +U6. В этом состоянии триггера диод также заперт; запирающее напряжение равно ?зав + L/C- Аналогично небольшим напряжением Еом обеспечивается запертое состояние диода в цепи, соответствующей соединению с.

Для того чтобы проиллюстрировать особенности переходного процесса, возникающего при переключении триггера из одного состояния в другое, а также общую методику инженерного анализа этих процессов, рассмотрим один из вариантов запуска триггера — запуск запирающим импульсом положительной полярности по базе нормально насыщенного транзистора триггера. Схемы, осуществляющие такой запуск, были рассмотрены ранее (см. 6.23, соединение d).

Среди ждущих мультивибраторов особое распространение находит вариант с эмиттерной связью ( 6.28). Мультивибратор формирует разнополярные импульсы почти прямоугольной формы на коллекторе и эмиттере нормально насыщенного транзистора Т2. Отсутствие связи между коллектором транзистора Т2 и цепью положительной обратной связи позволяет включать вместо коллекторного резистора любые другие элементы.

Цепи запуска транзисторного-симметричного триггера. Переключение триггера можно вызвать путем подачи запускающего сигнала практически на любой электрод транзистора, используемого в схеме — коллектор нормально запертого транзистора, коллектор нормально насыщенного транзистора, базу нормально запертого транзистора, базу нормально насыщенного транзистора. При этом полярность поданного сигнала должна соответствовать полярности ожидаемого скачка напряжения на данном электроде транзистора. Например, напряжение на базе нормально запертого транзистора положительно и равно -\-U6. После переключения на этом электроде должен установиться малый уровень отрицательного напряжения —U6a, соответствующий напряжению на базе транзистора после его насыщения. Ожидаемая полярность скачка напряжения на базе — отрицательная (от +U6 до —t/вн)- Для переключения триггера путем подачи импульса на базу нормально запертого транзистора полярность импульса должна быть отрицательной. Из всех указанных точек возможного приложения запускающих импульсов самой нежелательной является коллектор нормально насыщенного транзистора. Сопротивление участка «коллектор—эмиттер» нормально насыщенного транзистора очень мало; генератор запускающего импульса должен работать по существу на короткозамкнутую цепь. При этом от генератора необходимо получить значительный ток, который должен увеличить коллекторный ток насыщенного транзистора и вывести транзистор из режима насыщения.

По указанным причинам данный вид запуска на практике не используется. Все остальные виды запуска: на базу нормально запертого транзистора с помощью отрицательного запускающего импульса, на базу нормально насыщенного транзистора с помощью положительного запускающего импульса, на коллектор нормально запертого транзистора с помощью положительного запускающего импульса находят практическое применение.

Диодно-емкостные цепи запуска транзисторных триггеров используются наиболее часто. На 5.23 (соединения с и d) показаны цепи раздельного запуска на базу—положительным импульсом по базе нормально насыщенного транзистора (соединение d) и отрицательным импульсом на базу нормально запертого транзистора (соединение с). В обоих случаях в цепи запуска используется напряжение дополнительного источника, обеспечивающего запертое состояние диода запускающей цепи —источника ?зап в первой из рассматриваемых цепей, источника ?см во второй. Соединения в точках а и b считаем пока разомкнутыми—соответствующая им цепь будет рассмотрена далее. Для цепи, соответствующей соеди-

нению d, напряжение на базе нормально насыщенного транзистора 7\ равно —?/би. Для запирания диода Д необходимо подать на его анод напряжение —?за:,, несколько большее по абсолютной величине значения U(т, т. е. имеющее порядок —0,5ч----1 В.

Для того чтобы проиллюстрировать особенности переходного процесса, возникающего при переключении триггера из одного состояния в другое, а также общую методику инженерного анализа этих процессов, рассмотрим один из вариантов запуска триггера— запуск запирающим импульсом положительной полярности по базе нормально насыщенного транзистора триггера. Схемы, осуществляющие такой запуск, были рассмотрены ранее (см. 5.23, соединение d).