Нормальном включении

В помещениях классов B-I и В-П, где возможно образование взрывоопасных концентраций смесей паров и смесей газов с окислителями при нормальном технологическом режиме, не допускается применение электрооборудования в исполнении повышенной надежности против взрыва.

Пожароопасная зона — пространство внутри и вне помещений, в пределах которого постоянно или периодически обращаются горючие (сгораемые) вещества как при нормальном технологическом процессе, так и при возможных нарушениях его. По степени опасности эти зоны делятся на четыре класса: П-I, П-П, П-Па, П-Ш;

ном технологическом режиме, а другой — при нарушенном. При этом косвенные затраты электроэнергии определяются как разность между расходом электроэнергии на прокатку при нарушенном технологическом процессе и расходом на прокатку при нормальном технологическом процессе.

Дополнительные потери электроэнергии, связанные с нарушением технологического режима (например, не- ^™ догрев слитков), выявляют на основании двух электробалансов агрегата, один из которых снимают при нормальном технологическом режиме, а другой — при нарушенном. При этом косвенные затраты электроэнергии определяют как разность между расходами электроэнергии на прокатку при нарушенном и нормальном технологических процессах.

класса В-Ia — при нормальном технологическом процессе взрывоопасные смеси горючих газов или паров с воздухом (или другими окислителями) не образуются, а возможны только в результате аварии или неисправности;

гаемого при нормальном технологическом процессе. Однако очень трудно измерить достигаемый эффект, т. е. узнать, сколько энергии потребовалось бы, если бы осуществлялась программа энергосбережения. Измерить эффективность отдельных энергосберегающих мероприятий еще более трудно. Например, добиваются различными путями — через рекомендацию, руководство, регулирование и стимулирование — более высоких стандартов теплоизоляции зданий. Как можно отделить эффект, получаемый в результате внедрения этих стандартов, от влияния цен или внедрения технических или социальных усовершенствований? Более того, сроки достижения результатов от различных мер существенно различаются. Приспособление к возрастающим ценам может занять определенное время после того, как были достигнуты первые результаты по экономии энергии.

Пожароопасной зоной называется пространство внутри и вне помещений, в пределах которого постоянно или периодически обращаются горючие (сгораемые) вещества и в которых они могут находиться при нормальном технологическом процессе или при его нарушении. Пожароопасные зоны подразделяются на классы.

Классификация пожароопасных зон*. Пожароопасной зоной называется пространство внутри и вне помещений, в пределах которого постоянно или периодически обращаются горючие (сгораемые) вещества и в котором они могут находиться при нормальном технологическом процессе или при его нарушениях.

Пожароопасной зоной называется пространство внутри (и вне) помещения, в котором постоянно или периодически обращаются горючие (сгораемые) вещества, находящиеся в нем как при нормальном технологическом процессе, так и при его нарушениях. Пожароопасные зоны имеют следующие классы:

также стабилизация тока. При питании дуги постоянным током допускаются определенные пульсации выпрямленного тока, однако минимальное значение тока должно быть выше граничного значения, чтобы исключить обрыв дуги. Источники питания должны быть устойчивы к коротким замыканиям, поскольку такие режимы не исключаются при нормальном технологическом процессе илида-

/ — при нормальном технологическом процесс»;

Транзистор является обратимым прибором, способным работать и при перемене местами эмиттера и коллектора. Однако в связи с несимметричностью конструкции переходов (см. 3.1, а) коэффициент передачи тока а при нормальном включении будет значительно выше, чем при инверсном включении, когда a,j = 0,3—0,4. Вместе с тем разработаны специальные симметричные транзисторы, параметры которых не зависят от схемы включения.

На 3.19, а, б приведены модель и энергетическая диаграмма биполярного я+-р-м-транзистора. При рассмотрении биполярных транзисторов всегда будем иметь в виду транзистор типа п+-р-п. При нормальном включении транзистора эмиттерный переход смещается в прямом направлении, коллекторный—в обратном. Прямосмещенный эмиттерный переход имеет небольшое со-

Статические режимы работы транзистора обычно анализируют с помощью математической модели Эберса — Молла. Соответствующая этой модели эквивалентная схема интегрального транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, приведена на 2.5, б. В такой эквивалентной схеме каждому р-п-пере-ходу соответствует диод. Взаимодействие p-n-переходов в транзисторной структуре отражено в эквивалентной схеме введением генератора тока с бесконечно большим внутренним сопротивлением. При нормальном включении транзистора эмиттерный переход открыт и через него проходит ток /ь в цепи коллектора возникает ток «А-/!, где ал — коэффициент передачи эмиттерного тока (индекс N относится к режиму нормального включения). Ток в цепи коллектора будет меньше тока 1\, так. как часть инжектируемых носителей заряда рекомбинирует в области базы. В эквивалентной схеме это отражается введением генератора тока a,v/i. При инверсном включении, когда коллекторный переход используется в качестве инжектирующего, а эмиттерный — в качестве собирающего, коллекторному току /2 соответствует эмиттерный ток а//2, протекающий в цепи эмиттера. Коэффициент передачи тока в этом случае обозначен через а/ (индекс / относится к режиму инверсного включения).

На 2'. 13 показано распределение концентрации подвижных носителей заряда при так называемом нормальном включении транзистора, когда эмиттерный переход смещается в прямом

«л/ п, <*лг т — коэффициенты передачи тока переключательного и токозадающего транзисторов при нормальном включении O-N эк — эквивалентный коэффициент передачи тока

транзистора при нормальном включении а„ — коэффициент передачи тока паразитного транзистора при нормальном включении

транзистора при нормальном включении А — минимальный топологический размер А Еа — ширина запрещенной зоны

При использовании несимметричных контроллеров постоянного тока расчет механических характеристик в сторону подъема груза производится аналогично, а в сторону его опускания, когда двигатель включается по потенциометрической схеме,— исходя из того, что при одинаковых потоках на естственной характеристике и нормальном включении двигателя (якорь и обмотка возбуждения соединены последовательно) и на искусственной характеристике, когда двигатель включен по потенциометрической схеме, частота его вращения пропорциональна э.д.с.:

При использовании несимметричных контроллеров постоянного тока расчет механических характеристик в сторону подъема груза производится аналогично, а в сторону его опускания, когда двигатель включается по потенциометрической схеме,— исходя из того, что при одинаковых потоках на естственной характеристике и нормальном включении двигателя (якорь и обмотка возбуждения соединены последовательно) и на искусственной характеристике, когда двигатель включен по потенциометрической схеме, частота его вращения пропорциональна э.д.с.:

Нормальные переходные процессы при больших возмущениях и аварийные переходные процессы возникают вследствие резких и существенных изменений режима системы: при коротких замыканиях в системе и последующем их отключении; при соответствующем изменении схемы соединения системы, например при случайном (аварийном) отключении агрегатов или линий электропередач, несущих значительные нагрузки; при нормальном включении или отключении линий с большой зарядной мощностью; при включении генераторов методом самосинхронизации. Это и приводит к значительным отклонениям параметров режима от их исходного состояния, при которых необходимо учитывать нелинейности системы. По отношению к большим возмущениям вводят понятие динамической устойчивости системы.

В-третьих, в транзисторных модуляторах лучше использовать транзисторы в инверсном включении, когда коллекторная область инжектирует носители в базовую область, а эмиттер собирает эти носители. Целесообразность применения транзистора в инверсном включении связана с тем, что в этом случае остаточное напряжение насыщенного транзистора меньше, чем в нормальном включении: