Номиналов элементов

Номинальной мощностью трансформатора называют мощность в вольт-амперах, отдаваемую во вторичной цепи при номинальном вторичном токе и номинальной вторичной нагрузке.

в. Сопротивление срабатывания регулируется в пределах 0,1—8 Ом на фазу при номинальном вторичном напряжении 100 В и в пределах 0,22—17,6 Ом на •фазу при номинальном вторичном напряжении 220 В.

При заданной допустимой погрешности реле по току срабатывания наименьшую мощность от трансформаторов тока на уровне срабатывания (или при номинальном вторичном токе) будет потреблять реле по схеме сравнения мгновенного значения (см. 6.1, а). При заданном входном токе величина Двх.срро для этой схемы будет в 1,57 раза больше (см. табл. 6.1), чем для схемы сравнения по среднему значению (см. 6.1, б), и в 1,41 раз больше, чем для схемы сравнения по действующему значению (см. 6.1, в). Следовательно, в случае одной и той же погрешности реле и при одинаковых внутренних сопротивлениях между входами линейного преобразователя и реагирующего органа мощности I2zHarp, потребляемые от трансформаторов тока при заданном значении /вх, для схемы по 6.1, а, б, в будут относиться как 1 :2, 6 :2 соответственно. В ряде случаев это соотношение будет несколько другим в пользу схемы сравнения по среднему значению по отношению к схеме сравнения по действующему значению. Наличие в схеме по 6.1, в нелинейного преобразователя К,В приводит к дополнительному потреблению мощности, вследствие чего приведенное внутреннее сопротивление схемы растет.

вания тока срабатывания; максимально возможного вторичного тока; допустимой погрешности реле по току срабатывания; мощности, потребляемой от трансформаторов тока при номинальном вторичном токе; времени срабатывания реле; коэффициента возврата реле.

1.4.18. Аналитически рассчитать и построить в относительных единицах зависимость изменения вторичного напряжения Дм от угла ^ ПРИ номинальном вторичном токе трансформатора, если известно ик = 5,5 %, а коэффициент мощности при коротком замыкании cos
8. Дополнительные технические требования к устройству (максимально допустимая мощность, потребляемая по цепи переменного тока при номинальном вторичном токе; максимально допустимые габариты устройства, способ регулировки параметров срабатывания; необходимость автоматического или полуавтоматического контроля работоспособности устройства).

Тип Номинальное на* пряжение ввода трансформатора, кП ГервичиыП ток (включая отоет-или»!!я), А Номинальный коэффициент трансформации при номинальном вторичном токе, А

Тип Номинальное напряжение ввода трансформатора, кВ Первичный ток (включая ответвления), А Номинальный коэффициент трансформации при номинальном вторичном токе, А

За номинальный вторичный ток условно принимается ток, рассчитанный по номинальной мощности при номинальном вторичном напряжении: /2н = SB/UZn — для однофазного трансформатора;

Пример 2-2. Сравним оба способа расчета к. п. д. на примере рассмотренного выше трансформатора 100 кВ -А. Определим к. п. д. для режима нагрузки при номинальном линейном первичном напряжении 6 300 В, номинальном вторичном токе (Р = == 1)

За номинальный вторичный ток условно принимается ток, рассчитанный по номинальной мощности при номинальном вторичном напряжении: /2н = 5„/?/гн — Для однофазного трансформатора; ^2н. л = 5н/1/Л3?/2н. л — для линейного тока трехфазного трансформатора; /2н = SH/3t/2H — для фазного тока трехфазного трансформатора.

Упражнение 9.14. Как зависит эффективность регулирования АЧХ от номиналов элементов схемы, изображенной на 9.7?

Не изменяя значений номиналов элементов, установленных в эксперименте 2, разомкните провод, соединяющий нейтрали источников и нагрузок в верхней схеме 6.6. Рассчитайте модуль и фазу действующего значения напряжения смещения нейтрали (j(),0 по формуле (6.9) и постройте топографическую векторную диаграмму напряжений. Экспериментально проверьте правильность расчета.

Не изменяя значений номиналов элементов, установленных в эксперименте 3, разомкните провод, соединяющий нейтрали TJO,O источников и нагрузок в нижней схеме 6.6. Рассчитайте модуль и фазу действующего значения напряжения смещения нейтрали по формуле (6.9), модули напряжений на фазах нагрузки по формуле (6.10) и модули фазных токов по формуле (6.11). Подключите в цепь необходимые вольтметры, амперметры и Боде-плоттер и проверьте экспериментально правильность расчета.

2) по параметрам элементов — добротность конденсаторов на определенной частоте, диапазон и шаг регулировки номиналов элементов, требующих подгонки после изготовления.

в результате получилась логическая схема РЕТЛ. Предельное быстродействие этой схемы /ЗСр= Юч- 15 не при сохранении параметров п^4 и т^8. Схемы РЕТЛ просты и экономичны, допускают большие разбросы номиналов элементов и напряжений питания. Их используют в серии 110 полупроводниковых ИМС. Однако ввиду большой площади, занимаемой конденсаторами, микросхемы на основе РЕТЛ наиболее удобны для реализации в гибридном исполнении, где они успешно применяются (серии 204, 216 и др.).

Точность технологического процесса. Под точностью технологического процесса понимают степень соответствия изготовленного изделия требованиям ТУ. Применительно к РЭА — это технологическая точность выходных параметров функциональных узлов и субблоков. Причины — неизбежные производственные погрешности, являющиеся следствием отклонений фактических значений номиналов элементов. Выходной параметр изделия есть функция нескольких переменных, т. е.

2) по параметрам элементов — добротность конденсаторов на определенной частоте, диапазон и шаг регулировки номиналов элементов, требующих подгонки после изготовления.

большие разбросы номиналов элементов и напряжений питания. Их используют в серии ПО полупроводниковых ИМС. Однако ввиду большой площади, занимаемой конденсаторами, микросхемы на основе РЕТЛ наиболее удобны для реализации в гибридном исполнении, где они успешно применяются (серии 204, 216 и другие).

Схемы 5 и 6. Особенности: реализуются только функции, у которых Qr = 0,5. Схема 6 инвертирует напряжение, 5 — нет. При заданных Ci, C2 и С3 для остальных элементов существует два решения. Выбирается то решение, которое приводит к меньшему разбросу номиналов элементов. Задаемся: С\, С2, С3. Условие реализуемости s= 1 — 4Q,,(C] +С2ХС2 + С5)/ССг> 0. Расчетные формулы: /?4 =

ров п^4 и лг>8. Микросхемы на основе РЕТЛ просты и экономичны, допускают большие разбросы номиналов элементов и вариации питающих напряжений. Схемы типа РЕТЛ используются в 110-й серии полупроводниковых интегральных микросхем. Однако ввиду большой площади, занимаемой конденсаторами, микросхемы на базе РЕТЛ наиболее удобны для реализации в гибридном исполнении, где они успешно применяются (серии 204, 216 и др.).

Особую группу гибридных ОВЧ интегральных схем составляют микросхемы, .которые включают в себя микроэлементы с сосредоточенными параметрами, изготовленные методами товкопленочной технологии, чаще всего, танталовой. Эти микр'Осхемы, предназначенные для работы в децимегр'Овом диапазоне частот (1—3 ГГц), мало отличаются от аналогичных низкочастотных микросхем. Различие проявляется в значениях номиналов элементов, в их геометрии, взаимном расположении и частично IB материалах, из которых они изготовляются. Гибридные СВЧ интегральные схемы, изготовляемые по тонкопленочной (танталовой) технология, характеризуются относительно 'большими .размерами подложки (порядка 2,5X5,0 см2) и применяются IB основном в аппаратуре связи (радиорелейных линиях).