Низкочастотные маломощные

Видно, что данные цепи мало ослабляют низкочастотные колебания и сильно подавляют колебания с высокими частотами. Говорят, что такие цепи являются фильтрами нижних частот (ФНЧ). Принято вводить граничную частоту или частоту среза Ос фильтра. На этой частоте значение АЧХ уменьшается до уровня 1/1/2 = 0,707 от максимального значения. Из формулы (5.4) •следует, что сост=1, откуда

20 мкм. Ввиду того что эвтектическая пайка производится без флюса на воздухе, для посадки кристаллов этим способом применяют вибрационную притирку для разрушения и удаления оксидных пленок с поверхностей припоя и соединяемых деталей; прочность паяных соединений повышается в среднем на 30—40 %. Для монтажа кристаллов небольшого размера (менее 3x3 мм) используются как ультразвуковые, так и низкочастотные колебания, а для кристаллов больших размеров — низкочастотные колебания большой амплитуды (до 0,5—0,8 мм).

Из приведенного рассмотрения видно, что размеры эффективно излучающих антенн (создающих большие напряженности поля излучения при заданном токе) должны быть соизмеримы по длине с длиной волны А. = c/f. Так как очень длинные (точнее, высокие) антенны создавать технически сложно, то становится ясным, почему радиотехника — это в основном техника высоких частот. Низкочастотные колебания, например колебания в электросети, соответствуют очень длинным волнам (при f = 50 Гц К = 6000 км). При реальной высоте антенны, например в 100 м, отношение /аД « 10" 4. Обнаружить излучение такой антенны на расстоянии очень трудно.

Если сигнал в нижнем канале инвертировать (повернуть фазу на 180°), а затем сигналы сложить, то останутся только низкочастотные колебания и две боковые полосы:

= [/mrsin(u)i^ + 't). На смеситель UZ1 будет действовать напряжение и'= t/misin (ot + Umr sin (
Управляющие (модулирующие) сигналы — сравнительно низкочастотные колебания, содержащие информацию, которые ,не могут быть непосредственно использованы для передачи на большие расстояния с помощью электромагнитных колебаний. Управляющие сигналы делятся на три группы:

Низкочастотные автоколебания. В усилителях с обратной связью, имеющих межкаскадные связи по переменному току, проблемы обеспечения устойчивости могут возникать и на самых низких частотах. Они бывают связаны с накоплением опережающего фазового сдвига, который может возникнуть в усилителе, состоящем из нескольких каскадов, соединенных между собой через конденсаторы. Каждый блокирующий конденсатор в сочетании с входным сопротивлением, обусловленным цепями смещения и другими подобными элементами схемы усилителя, создает опережающий фазовый сдвиг на низкочастотном участке характеристики, который на частоте, соответствующей точке —3 дБ, равен 45°, а на более низких частотах приближается к 90°. Если цепь ОС обладает достаточным коэффициентом передачи, то в схеме могут возникнуть низкочастотные колебания, которые иногда называют шумом моторной лодки-«motorboating». В настоящее время, когда при необходимости всегда можно

Устранение помех в питающей сети. В токе электрической дуги наблюдаются сильные флуктуации. В некоторых электродуговых устройствах часто могут возникать короткие замыкания и обрыв тока. В частности, в вакуумных дуговых печах из-за нестабильности горения дуги возникают низкочастотные колебания реактивной мощности, которые при большой мощности печи вызывают изменения напряжения сети в диапазоне 4—8 Гц [7.20]. При определении этих изменений напряжения, особенно нежелательных, если они достигают 0,05% и выше, наиболее важным параметром является отношение мощности преобразователя к мощности короткого замыкания сети. На

Обобщенным показателем качества переходных процессов может быть степень устойчивости, или коэффициент демпфирования, малых колебаний. Обеспечение высоких значений этих показателей — задача выбора закона регулирования АРВ. Трудности этого выбора обусловлены тем, что в современных ЭЭС все чаще появляются объединения на параллельную работу с помощью межсистемных связей. Это вызывает изменение динамических свойств всего объединения, что может приводить к ухудшению качества переходных процессов, а иногда и к нарушению устойчивости. При этом возникает низкочастотное самораскачивание (с частотой в диапазоне 0,1—0,5 Гц). Это особенно важно при объединении ЭЭС с помощью слабых связей и создании энергообъединений «протяженной структуры». В этих условиях для улучшения статической устойчивости необходимы хорошие системы стабилизации существующих АРВ электростанций (например, замена АРВ п. д. на АРВ с. д.). Изменения в АРВ, выполняемые для различных электростанций, по-разному влияют на устойчивость энергообъединений. Отсюда появляется общая постановка задачи выбора АРВ, которая может быть сформулирована следующим образом: выявить те электростанции системы, на генераторах которых наиболее целесообразна установка АРВ с. д., и определить системы стабилизации этих АРВ, позволяющие повысить устойчивость ЭЭС в целом и, в частности, демпфировать низкочастотные колебания*.

лями Д^ (без железа). Их индуктивность подбирается такой, что они свободно пропускают низкочастотные колебания из цепи // в генератор /, но не пропускают обратно высокочастотные токи. Дроссели же Д (с железом) препятствуют низкочастотным токам цепи // закоротиться на источник питания.

Транзисторы классифицируются по допустимой мощности рассеивания и по частоте. В соответствии с принятой классификацией транзисторы по величине мощности, рассеиваемой коллектором, делятся на-транзисторы малой (Р„ ^ 3000 мВт), средней (Рк < ^ 1,5 Вт) и большой (Рк > 1,5 Вт) мощности. По значению предельной частоты, на которой могут работать транзисторы, их делят на низкочастотные «3 МГц), среднечастотные «30 МГц), высокочастотные « 300 МГц) и сверхвысокочастотные.(> 300 МГц). Низкочастотные маломощные транзисторы обычно изготавливают методом сплавления, поэтому их называют сплавными. Так как при изготовлении низкочастотных сплавных транзисторов обычно используют равномерно легированный исходный материал, то при малых токах электрическое поле в области базы таких транзисторов отсутствует и по механизму движения носителей они относятся к бездрейфовым.

Низкочастотные маломощные транзисторы. Кремниевые транзисторы имеют чаще всего эпитаксиально-планарную (см. 4.4) или пленарную структуру п-р-п-тппа. Планар-ные транзисторы создают в подложке л-типа без эпитакси-ального слоя.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные п-р-п универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые планарные n-p-п универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п переключательные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные n-p-п усилительные низкочастотные маломощные.,

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р универсальные низкочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-р универсальные низкочастотные маломощные.